【技术实现步骤摘要】
一种对位标记及其制备方法
本申请涉及半导体
，更具体地说，涉及一种对位标记及其制备方法。
技术介绍
随着半导体制造工艺的不断发展及线宽尺寸的持续减小，对光刻工艺以及光刻系统相关的精度要求也越来越高，体现在套刻精度上，就是对于产品的合格率影响越来越大。在实际的生产过程中，由于各类器件的制备过程中可能涉及假栅等临时结构的制备和刻蚀，当去除这些临时结构时，可能会导致多层层叠的膜层之间出现塌陷(Collapse)现象，进而导致位于各个膜层上的对位标记出现位移，导致对位精度以及套刻精度大幅下降。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请提供了一种对位标记及其制备方法，以解决由于临时结构的移除而导致对位标记的对位精度的大幅下降的问题。为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：一种对位标记，所述对位标记用于多层层叠的功能膜层的对准，所述对位标记包括：分别位于各层所述功能膜层上的标记图案，所述标记图案的延伸方向与所述标记图案所在的功能膜层的表面平行；用于固定所有所述...
【技术保护点】
1.一种对位标记，其特征在于，所述对位标记用于多层层叠的功能膜层的对准，所述对位标记包括：/n分别位于各层所述功能膜层上的标记图案，所述标记图案的延伸方向与所述标记图案所在的功能膜层的表面平行；/n用于固定所有所述标记图案的固定膜层，所述固定膜层的延伸方向与所述功能膜层的表面相交。/n
【技术特征摘要】
1.一种对位标记，其特征在于，所述对位标记用于多层层叠的功能膜层的对准，所述对位标记包括：
分别位于各层所述功能膜层上的标记图案，所述标记图案的延伸方向与所述标记图案所在的功能膜层的表面平行；
用于固定所有所述标记图案的固定膜层，所述固定膜层的延伸方向与所述功能膜层的表面相交。
2.根据权利要求1所述的对位标记，其特征在于，所述固定膜层与所有所述功能膜层的至少一条侧边固定连接。
3.根据权利要求2所述的对位标记，其特征在于，所述固定膜层与所有所述功能膜层的所有侧边固定连接。
4.根据权利要求1所述的对位标记，其特征在于，所述功能膜层形成过程中的临时结构膜层的刻蚀速率大于所述固定膜层的刻蚀速率，且所述临时结构膜层的刻蚀速率大于所述功能膜层的刻蚀速率。
5.根据权利要求1所述的对位标记，其特征在于，所述标记图案包括覆盖标记图案、光刻对准标记图案和L型对准图案中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的对位...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢绍祥，陆聪，陈媛，郭芳芳，李俊文，曾森茂，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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