一种N型硅片的性能评估系统及方法技术方案

本发明专利技术公开了N型硅片的性能评估系统及方法，所述系统包括输送单元、第一测试单元、第二测试单元、及控制处理单元，控制处理单元用于发送第一输送信号至输送单元；输送单元用于根据第一输送信号将n个硅片样品输送至第一测试单元；第一测试单元用于测试n个硅片样品的少子寿命；控制处理单元还用于根据n个少子寿命测试信息发送第二输送信号至输送单元；输送单元还用于根据第二输送信号将n个硅片样品中有效的m个硅片样品继续输送至第二测试单元；第二测试单元用于测试m个硅片样品的电阻率；控制处理单元还用于根据测试结果进一步对N型硅片性能进行评估。本发明专利技术旨在可靠的对N型硅片的性能进行评估，以此保证N型电池的转化效率。

【技术实现步骤摘要】
一种N型硅片的性能评估系统及方法
本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种N型硅片的性能评估系统及方法。
技术介绍
随着光伏产业的迅速发展，市场对于太阳能电池及组件的性能及转换效率也提出了更高的要求。相比P型电池，N型具有无光衰、弱光效应好、温度系数低、高转化效率等优势，非常具有竞争力，太阳能电池成为主流方向，因此，提高并保障N型电池的转化效率成为当下太阳能电池领域研究的重点。而N型电池的转化效率的提升很大程度要依赖于N型硅片的电学性能，N型电池在进入产业化生产前，需筛选采购符合性能要求的N型硅片，但是现有的筛选有效很大程度基于厂家的数据标示，采购方并没有专门的可靠的性能评估方法去评估N型硅片的真实性能，这就导致实际最后生产的N型电池的转化效率并不能得到有效保障。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供一种N型硅片的性能评估系统及方法，旨在可靠的对N型硅片的性能进行评估，以此保证N型电池的转化效率。本专利技术提出的具体技术方案为：一种N型硅片的性能评估系统，包括输送单元、依次设于所述输送单元传输路径上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种N型硅片的性能评估系统，其特征在于，包括输送单元(10)、依次设于所述输送单元(10)传输路径上的第一测试单元(20)和第二测试单元(30)、及与所述输送单元(10)、第一测试单元(20)和第二测试单元(30)连接的控制处理单元(40)，其中；/n所述控制处理单元(40)用于发送第一输送信号至所述输送单元(10)；/n所述输送单元(10)用于根据所述第一输送信号将n个硅片样品(A)输送至第一测试单元(20)，其中，n≥3；/n所述第一测试单元(20)用于测试所述n个硅片样品(A)的少子寿命，并将n个少子寿命测试信息发送至所述控制处理单元(40)；/n所述控制处理单元(40)还用于根据所...

【技术特征摘要】
1.一种N型硅片的性能评估系统，其特征在于，包括输送单元(10)、依次设于所述输送单元(10)传输路径上的第一测试单元(20)和第二测试单元(30)、及与所述输送单元(10)、第一测试单元(20)和第二测试单元(30)连接的控制处理单元(40)，其中；
所述控制处理单元(40)用于发送第一输送信号至所述输送单元(10)；
所述输送单元(10)用于根据所述第一输送信号将n个硅片样品(A)输送至第一测试单元(20)，其中，n≥3；
所述第一测试单元(20)用于测试所述n个硅片样品(A)的少子寿命，并将n个少子寿命测试信息发送至所述控制处理单元(40)；
所述控制处理单元(40)还用于根据所述n个少子寿命测试信息发送第二输送信号至所述输送单元(10)；
所述输送单元(10)还用于根据所述第二输送信号将所述n个硅片样品(A)中有效的m个硅片样品(A)继续输送至第二测试单元(30)，其中，m≤n；
所述第二测试单元(30)用于测试所述m个硅片样品(A)的电阻率，并将m个电阻率测试信息传输至所述控制处理单元(40)；
所述控制处理单元(40)还用于根据所述m个电阻率测试信息获得p个电阻率有效信息和p个少子寿命有效信息，并根据p个电阻率有效信息和p个少子寿命有效信息获得硅片样品(A)的电阻率标准信息和少子寿命标准信息，依据所述电阻率标准信息和少子寿命标准信息评估所述N型硅片性能。


2.根据权利要求1所述的N型硅片的性能评估系统，其特征在于，所述输送单元(10)包括并排设置的n个输送子单元，每一所述输送子单元包括一传送带(11)；
所述第一测试单元(20)包括并排设置的n个第一测试子单元，每一所述第一测试子单元包括一少子寿命测试仪(21)，一所述少子寿命测试仪(21)位于一所述传送带(11)的传输路径上；
所述第二测试单元(30)包括并排设置的n个第二测试子单元，每一所述第二测试子单元包括一电阻率测试仪(31)，一所述电阻率测试仪(31)位于一所述传送带(11)的传输路径上，且所述电阻率测试仪(31)位于所述少子寿命测试仪(21)的下游。


3.一种N型硅片的性能评估方法，其特征在于，采用如权利要求1或2所述的N型硅片的性能评估系统，所述评估方法包括步骤：
随机选取n个硅片样品A，其中，n≥3，且n为整数；
测试n个硅片样品A的少子寿命，获得n个少子寿命测试信息。示例性的，可采用QSSPC(准稳态光电导衰减法)方法测试n个硅片样品A的少子寿命；
从n个少子寿命测试信息中筛选出m个少子寿命有效信息，其中，m≤n，且m为整数；
测试与m个少子寿命有效信息对应的m个硅片样品A的电阻率，获得m个电阻率测试信息。示例性的，可采用非接触涡流法测试与m个少子寿命有效信息对应的m个硅片样品A的电阻率；
从m个电阻率测试信息中筛选出p个电阻率有效信息，其中，p≤m，且p为整数；
获取与p个电阻率有效信息对应的p个硅片样品A的少子寿命有效信息，得到p个少子寿命有效信息；
根据p个电阻率有效信息和p个少子寿命有效信息获得硅片样品A的电阻率标准信息和少子寿命标准信息，根据电阻率标准信息和少子寿命标准信息评估N型硅片的性能。


4.根据权利要求3所述的N型硅片的性能评估方法，其特征在于，采用QSSPC方法测试n个硅片样品A的少子寿命；
采用非接触涡流法测试与m个少子寿命有效信息对应的m个硅片样品A的电阻率。


5.根据权利要求3所述的N型硅片的性能评...

【专利技术属性】
技术研发人员：张敏，杜娟，卢刚，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司，黄河水电光伏产业技术有限公司，国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司，青海黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：青海;63