基于光辐射的晶圆清洗设备和包括其的晶圆清洗系统技术方案

提供了基于光辐射的晶圆清洗设备以及包括该晶圆清洗设备的晶圆清洗系统，该晶圆清洗设备能够有效地清洗晶圆上的残留物而不损坏晶圆。该晶圆清洗设备构造为通过光辐射来清洗晶圆上的残留物，并且包括：光辐射单元，其构造为在光辐射期间将光辐射到晶圆上；晶圆处理单元，其构造为为容纳晶圆并控制晶圆的位置，使得在光辐射期间将光辐射到晶圆上；以及冷却单元，其构造为在已经完成光辐射之后冷却晶圆。光辐射单元、晶圆处理单元和冷却单元顺序地布置在竖直结构中，光辐射单元位于晶圆处理单元上方，并且晶圆处理单元位于冷却单元上方。

【技术实现步骤摘要】
基于光辐射的晶圆清洗设备和包括其的晶圆清洗系统相关申请的交叉引用本申请要求于2019年6月10日在在韩国知识产权局提交的第10-2019-0068277号韩国专利申请的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
本专利技术构思涉及一种晶圆清洗设备，更具体地讲，涉及一种使用光辐射的晶圆清洗设备和包括该晶圆清洗设备的晶圆清洗系统。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中包括的各种蚀刻工艺(例如，离子注入工艺、光刻等)中，会产生包括例如有机物质的残留物。因此，可能需要执行在半导体器件的制造工艺的各中间工艺之间去除残留物的清洗工艺。在清洗工艺中，正在研究用于提高清洗效率同时防止损坏诸如半导体衬底、栅极结构和绝缘结构的部件的清洗工艺条件。最近，存在例如由于半导体器件集成度的增加而引起的设计规则的减小所导致的在清洗工艺中的图案倾斜的问题，因此，正在进行研究以解决图案倾斜问题。
技术实现思路
本专利技术构思提供一种基于光辐射的晶圆清洗设备以及包括该晶圆清洗设备的晶圆清洗系统，该晶圆清洗设备能够有效地清洗晶圆上的残留物而不损坏晶圆。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆清洗设备，所述晶圆清洗设备构造为通过光辐射来清洗晶圆上的残留物，所述晶圆清洗设备包括：/n光辐射单元，其构造为在所述光辐射期间将光辐射到所述晶圆上；/n晶圆处理单元，其构造为容纳所述晶圆并控制所述晶圆的位置，使得在所述光辐射期间所述光辐射到所述晶圆上；以及/n冷却单元，其构造为在已经完成所述光辐射之后冷却所述晶圆，/n其中，所述光辐射单元、所述晶圆处理单元和所述冷却单元顺序地布置在竖直结构中，所述光辐射单元位于所述晶圆处理单元上方，并且所述晶圆处理单元位于所述冷却单元上方。/n

【技术特征摘要】
20190610 KR 10-2019-00682771.一种晶圆清洗设备，所述晶圆清洗设备构造为通过光辐射来清洗晶圆上的残留物，所述晶圆清洗设备包括：
光辐射单元，其构造为在所述光辐射期间将光辐射到所述晶圆上；
晶圆处理单元，其构造为容纳所述晶圆并控制所述晶圆的位置，使得在所述光辐射期间所述光辐射到所述晶圆上；以及
冷却单元，其构造为在已经完成所述光辐射之后冷却所述晶圆，
其中，所述光辐射单元、所述晶圆处理单元和所述冷却单元顺序地布置在竖直结构中，所述光辐射单元位于所述晶圆处理单元上方，并且所述晶圆处理单元位于所述冷却单元上方。


2.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备，
其中，在已经使用超临界流体对所述晶圆执行干燥工艺之后，进行所述光辐射以清洗所述晶圆上的残留物。


3.根据权利要求2所述的晶圆清洗设备，
其中，所述超临界流体包括CO2超临界流体，并且
执行所述光辐射以去除在执行异丙醇和CO2超临界流体的置换工艺之后残留在所述晶圆上的异丙醇残留物。


4.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备，
其中，所述光辐射单元包括构造为产生所述光的至少一个灯和构造为均匀地漫射来自所述至少一个灯的光的漫射透镜。


5.根据权利要求4所述的晶圆清洗设备，
其中，所述光辐射单元包括构造为透射与特定波长区域相对应的光的滤波器。


6.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备，
其中，所述光辐射单元包括构造为产生所述光的灯，并且
所述晶圆处理单元构造为控制所述晶圆的旋转和所述晶圆与所述灯的距离。


7.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备，
其中，所述晶圆处理单元包括本体和在所述本体的内部空间中的至少一个传感器，并且
所述晶圆清洗设备还包括控制器，所述控制器构造为基于由所述至少一个传感器测量的至少一个物理性质来控制所辐射的光的量。


8.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备，
其中，所述冷却单元包括本体和所述本体中的至少一个热交换器，并且
所述至少一个热交换器包括位于所述本体的底部处的第一热交换器，或者，所述至少一个热交换器包括位于所述本体的底部处的所述第一热交换器和位于所述本体的顶部处的第二热交换器。


9.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备，
其中，所述晶圆处理单元包括第一本体，并且所述冷却单元包括第二本体，
向所述第一本体的内部空间和所述第二本体的内部空间供应用于保持清洗气氛的气体，
多个第一槽被限定在所述第一本体中，并且构造为将所述晶圆托持在所述第一本体的内部空间中的多个不同位置中，并且
多个第二槽被限定在所述第二本体中，并且构造为将所述晶圆托持在所述第二本体的内部空间中的多个不同位置中。


10.根据权利要求9所述的晶圆清洗设备，
其中，所述晶圆处理单元构造为容纳一个晶圆，同时所述冷却单元构造为容纳多个晶圆，并且
所述多个晶圆中的每一个在所述冷却单元中容留预定的时间段，并且所述多个晶圆被顺序地传送到所述冷却单元中并被顺序地传送出所述冷却单元。


11.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备，
其中，所述晶圆清洗设备构造为安装在使用超临界流体的清洗装备的侧表面上，或者所述晶圆清洗设备构造为安装在所述清洗装备的存储有晶圆的装载端口中。


12.一种基于光辐射的晶圆清洗设备，所述晶圆清洗设备包括：
光辐射系统，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵炳权，朴相真，高镛璿，S·田，郑志薰，洪晟植，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR