一种金属塑料膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种金属塑料膜的制备方法，包括步骤S1：在基材的一侧设置具有预设图案的掩模板；步骤S2：进行磁控溅射，在所述基材表面形成与预设图案相同的防护层；步骤S3：进行真空蒸镀，在所述防护层远离所述基材的侧面上形成与预设图案相同的导电金属层，本发明专利技术提供的金属塑料膜的制备方法仅需对基材进行一道磁控溅射工艺与一道真空蒸镀即可使金属网格成型，大大提高了生产效率，由于简化了其生产工艺，产品误差累积的风险减小，利于产品良率的提升。

【技术实现步骤摘要】
一种金属塑料膜的制备方法
本专利技术涉及触控屏
，尤其涉及一种金属塑料膜的制备方法。
技术介绍
为使显示面板具备触控功能，需要使其搭配触控屏。而小尺寸触控屏所使用的核心传感器材料一般为氧化铟锡(ITO)，大尺寸触控屏所使用的核心传感器材料一般为金属网格铜或者纳米银线，氧化铟锡(ITO)因其同时具备导电和透明的优势成为显示触控传感材料的首选。随着显示面板往大尺寸化和柔性化方向发展，ITO因其不可卷柔和相对较高的电阻不适用此领域，镂空的金属网格触控屏传感器应运而生。此种金属网格其网格内是镂空的，而金属网格线宽度一般仅为5μm或以下，所以从远处看，其为“透明”材料。金属网格线的厚度要求很薄，也就是要求原本金属层的厚度很薄，一般不超过2μm，所以金属层必须紧紧附着在塑料基材上才能保证不损伤断裂，此称之为金属塑料膜。在现有技术中，金属塑料膜的制备流程为：通过真空蒸镀的方式在基材表面镀一层导电金属膜、在导电金属膜表面涂覆光刻胶、曝光、显影、蚀刻、最后脱光刻胶，从而在金属塑料膜表面形成金属网格线；所谓真空蒸镀即是将金属加热到其沸点使得金属蒸汽附着在塑料片上。但是金属的沸点很高，例如铜的沸点为2562℃，其蒸汽触碰到塑料会使其立刻融化，造成产品缺陷，在后续的涂覆光刻胶、曝光、显影、蚀刻、脱光刻胶等工序中需要耗费大量的人力物力财力，工序步骤繁杂，不利于产品生产良率的提高。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种生产良率高的金属塑料膜的制备方法。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种金属塑料膜的制备方法，包括如下步骤S1：在基材的一侧设置具有预设图案的掩模板；S2：进行磁控溅射，在所述基材表面形成与预设图案相同的防护层；S3：进行真空蒸镀，在所述防护层远离所述基材的侧面上形成与预设图案相同的导电金属层。本专利技术的有益效果在于：在对基材镀膜之前，先在基材的一侧设置掩模板，再通过磁控溅射的方式在基材表面形成与掩模板预设图形相同的防护层，再通过真空蒸镀的方式在防护层上镀上一层导电金属层，防护层能够对基材形成防护作用，避免真空蒸镀过程中气化的金属将基材融化，并且整个制备过程中，只需对基材进行一道磁控溅射工艺与一次真空蒸镀工艺即可完成对金属塑料膜的金属网格的制备成型，相对于现有技术中的黄光工艺流程(压金属膜、涂覆光刻胶、曝光、显影、蚀刻、脱光刻胶)，简化了工艺流程，大大提升了产品的生产良率。附图说明图1为本专利技术实施例一的金属塑料膜的制备方法的流程图；图2为本专利技术实施例一的金属塑料膜结构示意图。标号说明：1、基材；2、掩模板；3、防护层；4、导电金属层。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。本专利技术最关键的构思在于：在基材的一侧设置掩模板，通过磁控溅射在基材表面形成防护层以防止基材融化，通过真空蒸镀直接形成金属网格，简化工艺制程，进而实现产品生产良率的提升。请参照图1和图2，一种金属塑料膜的制备方法，包括如下步骤S1：在基材1的一侧设置具有预设图案的掩模板2；S2：进行磁控溅射，在所述基材1表面形成与预设图案相同的防护层3；S3：进行真空蒸镀，在所述防护层3远离所述基材1的侧面上形成与预设图案相同的导电金属层4。从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：在对基材1镀膜之前，先在基材1的一侧设置掩模板2，再通过磁控溅射的方式在基材1表面形成与掩模板2预设图形相同的防护层3，再通过真空蒸镀的方式在防护层3上镀上一层导电金属层4，防护层3能够对基材1形成防护作用，避免真空蒸镀过程中气化的金属将基材1融化，并且整个制备过程中，只需对基材1进行一道磁控溅射工艺与一次真空蒸镀工艺即可完成对金属塑料膜的金属网格的制备成型，相对于现有技术中的黄光工艺流程(压金属膜、涂覆光刻胶、曝光、显影、蚀刻、脱光刻胶)，简化了工艺流程，大大提升了产品的生产良率。进一步的，步骤S2中磁控溅射所用的靶材为钼、钛、铌和铬中的一种或多种。进一步的，所述导电金属层4为铜、银或铝。进一步的，所述磁控溅射的工艺条件为：真空室温度为110～130℃，氩气压力为1.2～1.7Pa，溅射电源功率密度为6～7kw/㎝2。进一步的，所述真空蒸镀的工艺条件为：真空室的压强为3.7×10-5torr，温度为1200℃，蒸发源的温度为3000℃。进一步的，所述掩模板2的厚度为1mm～1dm。进一步的，所述掩模板2的材质为钼、钛、铌和铬中的一种或多种。进一步的，步骤S3之后还包括步骤S4：将掩模板2与基材1分离，对基材1上的导电金属层4进行黑化。实施例一请参照图1和图2，本专利技术的实施例一为：一种金属塑料膜的制备方法，包括如下步骤S1：在基材1的一侧设置具有预设图案的掩模板2；S2：进行磁控溅射，在所述基材1表面形成与预设图案相同的防护层3；S3：进行真空蒸镀，在所述防护层3远离所述基材1的侧面上形成与预设图案相同的导电金属层4。容易理解的，在现有的工艺中，需要采用多个步骤对金属塑料膜进行加工从而形成金属网格，因其工艺步骤较多，而在每个工艺步骤的进行都难免会出现工艺误差，随着误差的累积，产品的一致性难以得到保证，产品良率低；而在本实施例中，先将具有预设图案的掩模板2放置于基材1的一侧，再通过磁控溅射对其镀防护层3，所述防护层3能够对基材1形成保护作用，然后再采用真空蒸镀的方式对其镀导电金属层4，进而在基材1表面形成与掩模板2上的预设图案相同的金属网格线，也就是说，仅需对基材1进行一道磁控溅射工艺与一道真空蒸镀即可使金属网格成型，大大提高了生产效率，由于简化了其生产工艺，产品误差累积的风险减小，利于产品良率的提升。可选的，步骤S2中磁控溅射所用的靶材为钼、钛、铌和铬中的一种或多种；所述导电金属层4为铜、银或铝。在本实施例中，所述防护层3的材质为钼，所述导电金属层4的材质为铜；容易理解的，真空蒸镀是将金属加热到其沸点使得金属蒸汽附着在塑料片上，而铜的沸点为2562℃，其蒸汽触碰到基材1会使其立刻融化，因此，需要在镀铜膜之前在基材1表面镀一层熔点在铜的沸点之上的金属，而钼的熔点为2620℃，能够有效地对基材1形成防护，并且钼极其化合物能够提高导电金属层4在基材1上的附着力。优选的，所述磁控溅射的工艺条件为：真空室温度为120℃，氩气压力为1.5Pa，溅射电源功率密度为5kw/㎝；所述真空蒸镀的工艺条件为：真空室的压强为3.7×10-5torr，温度为1200℃，蒸发源的温度为3000℃。优选的，所述掩模板2呈长方体状，所述掩模板2的厚度为1mm～1dm，所述掩模板2的具体长度和宽度可根据实际的应用需求进行设置，沿所述掩模板2的厚度方向投影，所述掩模板2包括镂空区域和非镂空区域，镂空区域宽为3-10μm微米。非镂空区域被镂空区域划分成块，其可为任意形状本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属塑料膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤/nS1：在基材的一侧设置具有预设图案的掩模板；/nS2：进行磁控溅射，在所述基材表面形成与预设图案相同的防护层；/nS3：进行真空蒸镀，在所述防护层远离所述基材的侧面上形成与预设图案相同的导电金属层。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属塑料膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤
S1：在基材的一侧设置具有预设图案的掩模板；
S2：进行磁控溅射，在所述基材表面形成与预设图案相同的防护层；
S3：进行真空蒸镀，在所述防护层远离所述基材的侧面上形成与预设图案相同的导电金属层。


2.根据权利要求1所述的金属塑料膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中磁控溅射所用的靶材为钼、钛、铌和铬中的一种或多种。


3.根据权利要求1所述的金属塑料膜的制备方法，其特征在于，所述导电金属层为铜、银或铝。


4.根据权利要求1所述的金属塑料膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的工艺条件为：真空室温度为110～130℃，氩...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏伟，叶宗和，王海峰，
申请(专利权)人：深圳市志凌伟业光电有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44