一种掩膜板组件制造技术

本申请公开了一种掩膜板组件，用于制造目标基板，该掩膜板组件包括掩膜架、可膨胀件和掩膜网，掩膜架上设置有连接面，掩膜架在连接面开设有凹槽；可膨胀件设置于凹槽内靠近掩膜架中心位置的一端；掩膜网搭接在掩膜架连接面一侧，且与可膨胀件连接；其中，可膨胀件沿凹槽背离掩膜架中心方向，可随目标基板膨胀而膨胀，以拉伸掩膜网而使得掩膜网趋于平整。本申请掩膜板组件能够减小掩膜网的下垂量，有利于提高蒸镀精度。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜板组件
本申请涉及蒸镀
，特别是涉及一种掩膜板组件。
技术介绍
在蒸镀时，目标基板使得目标基板与FMM(FineMetalMask，高精密度掩膜板)之间热膨胀系数存在较大差异，导致目标基板与掩膜网上掩膜开口之间产生蒸镀偏位的现象发生。同时，又由于掩膜网本身的下垂量，也会导致掩膜网与目标基板之间存在间隙，导致蒸镀源蒸镀于目标基板上产生贴合不良的现象发生。
技术实现思路
本申请提供一种掩膜板组件，能够减小掩膜网的下垂量，有利于提高蒸镀精度。为解决上述技术问题，本申请提出一种掩膜板组件，用于制作目标基板，掩膜板组件包括：掩膜架，掩膜架上设置有连接面，掩膜架在连接面开设有凹槽；可膨胀件，设置于凹槽内靠近掩膜架中心位置的一端；掩膜网，搭接在掩膜架连接面一侧，且与可膨胀件连接；其中，可膨胀件沿凹槽背离掩膜架中心方向，可随目标基板膨胀而膨胀，以拉伸掩膜网而使得掩膜网趋于平整。其中，可膨胀件与掩膜网接触的表面平整，且可膨胀件与掩膜网固定连接。其中，掩膜架任一对侧边各设有一凹槽，凹槽沿掩膜架侧边延伸，可膨胀件的长度与凹槽的长度匹配，凹槽的底面和可膨胀件底面形状匹配。其中，可膨胀件与掩膜网的接触面靠近掩膜架中心位置一端与掩膜网间隔设置，远离掩膜架中心位置一端与掩膜网固定连接。其中，间隔设置的空间设置有第一填充件，第一填充件与掩膜架、掩膜网均接触，且第一填充件的膨胀系数小于或等于掩膜架的膨胀系数。其中，凹槽内设置有第二填充件，可膨胀件的一端连接第二填充件，另一端连接凹槽靠近掩膜架中心位置的端部，第二填充件与掩膜网固定连接，其中可膨胀件靠近掩膜网的一侧接触或低于掩膜网，可膨胀件膨胀以驱动第二填充件拉伸掩膜网而使得掩膜网趋于平整，第二填充件的膨胀系数小于或等于掩膜架的膨胀系数。其中，可膨胀件和掩膜网之间设置有第三填充件，第三填充件位于凹槽内，第三填充件与掩膜网固定连接，其中第三填充件与第二填充件固定连接，第三填充件的膨胀系数小于或等于掩膜架的膨胀系数。其中，第二填充件和凹槽之间设置有滑移件，以使得第二填充件或第二填充件与第三填充件通过滑移件背离掩膜架中心位置移动。其中，滑移件包括滑移导轨和滑移块，滑移导轨和滑移块一个安装于凹槽底面，另一个安装于第二填充件靠近凹槽底面的一侧面上，滑移块滑移于滑移导轨。其中，可膨胀件为金属件；优选地，金属件为铁材料或铜材料。本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请能够使可膨胀件沿凹槽背离掩膜架中心方向延展以及膨胀，进而跟随目标基板膨胀而膨胀，以匹配目标基板的膨胀量，减小目标基板与掩膜网上掩膜开口之间产生蒸镀偏位；同时，可膨胀件膨胀过程中，能够拉伸掩膜网而使得掩膜网趋于平整，减小了掩膜网的下垂量，改善了贴合不良的现象，进而有利于提高蒸镀精度。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：图1是本申请掩膜板组件的蒸镀简图；图2是本申请掩膜板组件第一实施例的俯视图；图3是图2所示的局部示意图；图4是图2所示A-A的截面图；图5是本申请掩膜板组件第二实施例的俯视图；图6是图5所示B-B的截面图；图7是本申请掩膜板组件第三实施例的俯视图；图8是图7所示C-C的截面图；图9是本申请掩膜板组件第四实施例的俯视图；图10是图9所示D-D的截面图；图11是本申请掩膜板组件第五实施例的俯视图；图12是图11所示E-E的截面图；图13是本申请掩膜板组件第六实施例的俯视图；图14是图13所示的局部示意图。附图标号：1、掩膜架；11、连接面；12、凹槽；2、可膨胀件；3、掩膜网；4、目标基板；5、第一填充件；6、第二填充件；7、第三填充件；8、滑移导轨；9、蒸镀源；AA、蒸镀有效区域。具体实施方式为使本领域的技术人员更好地理解本申请的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对专利技术所提供的一种掩膜板组件做进一步详细描述。请参阅图1，图1是本申请掩膜板组件的蒸镀简图。在蒸镀过程中，蒸镀源9通过掩膜网3蒸镀于目标基板4上。由于目标基板4膨胀系数较高，当蒸镀温度升高时，目标基板4发生膨胀，如图1所示空心箭头为目标基板4膨胀方向，实心箭头为蒸镀源9移动方向，AA为蒸镀有效区域AA。其中，目标基板4可以为低温多晶硅基板等。请参阅图2、图3和图4，图2是本申请掩膜板组件第一实施例的俯视图；图3是图2所示的局部示意图；图4是图2所示A-A的截面图。本实施例掩膜板组件用于蒸镀目标基板4，其包括掩膜架1和掩膜网3，掩膜架1靠近掩膜网3的一端面为连接面11。为了解决现有目标基板4与掩膜网3上掩膜开口之间产生蒸镀偏位的现象发生以及蒸镀源9蒸镀于目标基板4上产生贴合不良的现象的问题，本实施例掩膜板组件还包括可膨胀件2，通过在连接面11一侧面上开设凹槽12，使得可膨胀件2设置于凹槽12内靠近掩膜架1中心位置的一端内，而凹槽12背离掩膜架1中心位置的另一端为间隙，该间隙用于可膨胀件2延展并提供延展路径。该可膨胀件2可以为任意形状，只要可膨胀件2设置于凹槽12内且凹槽12另一端有间隙，或不阻碍可膨胀件2朝背离掩膜架1中心位置方向延展即可。上述掩膜架1中心位置为如图2中虚线a所指示的位置。掩膜网3用于搭接在掩膜架1的连接面11一侧上，用于保持掩膜网3的平整性。在蒸镀升温过程中，可膨胀件2沿凹槽12背离掩膜架1中心方向膨胀，即可膨胀件2沿着凹槽12另一端内空隙延展以及膨胀，进而跟随目标基板4膨胀而膨胀，以匹配目标基板4的膨胀量；同时，能够拉伸掩膜网3而使得掩膜网3趋于平整，减小了掩膜网3的下垂量，改善贴合不良的现象。在一实施例中，掩膜网3搭接在连接面11除凹槽12以外的区域上，可膨胀件2与掩膜网3接触的表面平整，且可膨胀件2与掩膜网3固定连接。当可膨胀件2沿凹槽12背离掩膜架1中心方向，跟随目标基板4膨胀而膨胀，可膨胀件2带动掩膜网3拉伸以使得掩膜网3趋于平整。上述可膨胀件2与掩膜网3可以通过固定胶连接，具体方式不作限定。具体地，掩膜架1的具体形状不作限定，当掩膜架1设置有相对的侧边时，相对侧边上开设相应的凹槽12，凹槽12沿掩膜架1侧边延伸设置。其中凹槽12数量为一个，凹槽12沿掩膜架1侧边整体延伸；当凹槽12数量为多个，多个凹槽12间隔设置且沿掩膜架1侧边延伸设置。该凹槽12内设置可膨胀件2，当凹槽12数量为一个时，可膨胀件2的数量可以为一个或多个，具体根据实际情况而定。当凹槽12数量为多个时，可膨胀件2设置于多个凹槽12内。当可膨胀件2数量为多个时，尽量保持多个可膨胀件2膨胀体积一致，以保持掩膜网3的平整性。举例而言，掩膜架1为镂空的矩形，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜板组件，用于制作目标基板，其特征在于，所述掩膜板组件包括：/n掩膜架，所述掩膜架上设置有连接面，所述掩膜架在所述连接面开设有凹槽；/n可膨胀件，设置于所述凹槽内靠近所述掩膜架中心位置的一端；/n掩膜网，搭接在所述掩膜架的所述连接面一侧，且与所述可膨胀件连接；/n其中，所述可膨胀件沿所述凹槽背离所述掩膜架中心方向，可随所述目标基板膨胀而膨胀，以拉伸所述掩膜网而使得所述掩膜网趋于平整。/n

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板组件，用于制作目标基板，其特征在于，所述掩膜板组件包括：
掩膜架，所述掩膜架上设置有连接面，所述掩膜架在所述连接面开设有凹槽；
可膨胀件，设置于所述凹槽内靠近所述掩膜架中心位置的一端；
掩膜网，搭接在所述掩膜架的所述连接面一侧，且与所述可膨胀件连接；
其中，所述可膨胀件沿所述凹槽背离所述掩膜架中心方向，可随所述目标基板膨胀而膨胀，以拉伸所述掩膜网而使得所述掩膜网趋于平整。


2.根据权利要求1所述的掩膜板组件，其特征在于，所述可膨胀件与所述掩膜网接触的表面平整，且所述可膨胀件与所述掩膜网固定连接。


3.根据权利要求1所述的掩膜板组件，其特征在于，所述掩膜架任一对侧边各设有一所述凹槽，所述凹槽沿所述掩膜架侧边延伸，所述可膨胀件的长度与所述凹槽的长度匹配，所述凹槽的底面和所述可膨胀件底面形状匹配。


4.根据权利要求1所述的掩膜板组件，其特征在于，所述可膨胀件与所述掩膜网的接触面靠近所述掩膜架中心位置一端与所述掩膜网间隔设置，远离所述掩膜架中心位置一端与所述掩膜网固定连接。


5.根据权利要求4所述的掩膜板组件，其特征在于，所述间隔设置的空间设置有第一填充件，所述第一填充件与所述掩膜架、所述掩膜网均接触，且所述第一填充件的膨胀系数小于或等于所述掩膜架的膨胀系数。


6.根据权利要求1所述的掩...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱岳，臧公正，李伟丽，
申请(专利权)人：维信诺科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32