【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及透明导线膜的，具体为一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法。
技术介绍
1、透明导电膜主要由透明基底（如pet、cop等）和导电功能材料构成。导电功能材料包括ito、纳米银线、金属网格、碳纳米管、石墨烯等。单一的导电功能材料构成的透明导电膜会有不同程度的局限，举例来说，ito材料方阻较大、抗弯折能力差；纳米银线会出现雾度大、银离子迁移等本质缺陷；金属网格通常价格较高；石墨烯或碳纳米管会出现一定程度的搭接缺陷等。
2、材料复合能有效弥补单一材料的本质缺陷。在以往的石墨烯-纳米银线复合透明导电膜的专利中，通常采用先将石墨烯和纳米银线配成复合浆料，再涂刷在透明基底上，从而形成复合透明导电膜。本专利技术中，我们采用叠层复合的方式，先将纳米银线浆料涂刷在透明基底上，待完全干燥后，再涂刷石墨烯，同时为了增强纳米银线和石墨烯的相互作用，对石墨烯进行轻微硫化，通过ag-s键增强两种导电功能材料的作用力。叠层复合一方面能保证两种导电功能材料起到很好的协同作用，同时通过石墨烯对纳米银线的包裹，有效解决纳米银线的银离子迁移，另一方面，通过纳米银线的桥梁作用，解决石墨烯搭接缺陷问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，包括有以下步骤：s1：纳米银线透明导电膜的制备，配制纳
3、s2：石墨烯硫化前处理，在惰性气氛条件下，用硫气氛对石墨烯进行硫化前处理；
4、s3：石墨烯叠层涂布，将硫化处理的石墨烯配制成浆料，均匀涂刷在涂布有纳米银线的基材上，充分干燥；
5、s4：焊接效果确认，通过方阻测试等手段，对比复合膜与单一的纳米银线薄膜或单一的石墨烯导电薄膜的性能差异。
6、优选的，步骤s1中的涂布方式包括但不限于卷对卷涂布、刮涂等。
7、优选的，步骤s1中的干燥温度为40-100℃。
8、优选的，步骤s1中的溶剂为乙醇、正己烷等。
9、优选的，步骤s1中的溶剂中加入0.1-2wt%的粘附剂和0.001-1wt%的分散剂。
10、优选的，步骤s2中气氛的硫含量为0.01-10vol%，处理温度为80-500℃，处理时间为10-1000s。
11、优选的，步骤s3中石墨烯含量为0.1-10wt%。
12、优选的，步骤s3中涂布方式包括但不限于刮涂、卷对卷涂布等。
13、优选的，步骤s3中干燥温度为室温到100℃
14、优选的，在石墨烯叠层复合前，采用plasma对涂布有纳米银线的膜材进行处理，去除银线表面的有机成分。
15、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
16、本专利技术通过硫化石墨烯与纳米银线透明导电薄膜的叠层复合，解决了单一纳米银线雾度高、银离子迁移以及单一石墨烯搭接缺陷等问题，实现了纳米银线和石墨烯材料的高效协同。本专利技术提供的一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，为复合基透明导电薄膜材料的发展提供了新的方向。
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1.一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：包括有以下步骤：S1：纳米银线透明导电膜的制备，配制纳米银线悬浮液，将其均匀涂布在透明基底上，充分干燥，得到纳米银线透明导电膜；
2.根据权利要求1所述的一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤S1中的涂布方式包括但不限于卷对卷涂布、刮涂等。
3.根据权利要求1所述的一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤S1中的干燥温度为40-100℃。
4.根据权利要求1所述的一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤S1中的溶剂为乙醇、正己烷等。
5.根据权利要求1所述的一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤S1中的溶剂中加入0.1-2wt%的粘附剂和0.001-1wt%的分散剂。
6.根据权利要求1所述的一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤S2中气氛的硫含量为0.01-10vol%，处理温度为80-500℃，处理时间为10-1000
7.根据权利要求1所述的一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤S3中石墨烯含量为0.1-10wt%。
8.根据权利要求1所述的一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤S3中涂布方式包括但不限于刮涂、卷对卷涂布等。
9.根据权利要求1所述的一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤S3中干燥温度为室温至100℃。
10.根据权利要求1所述的一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：在石墨烯叠层复合前，采用plasma对涂布有纳米银线的膜材进行处理，去除银线表面的有机成分。
...【技术特征摘要】
1.一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：包括有以下步骤：s1：纳米银线透明导电膜的制备，配制纳米银线悬浮液，将其均匀涂布在透明基底上，充分干燥，得到纳米银线透明导电膜；
2.根据权利要求1所述的一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤s1中的涂布方式包括但不限于卷对卷涂布、刮涂等。
3.根据权利要求1所述的一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤s1中的干燥温度为40-100℃。
4.根据权利要求1所述的一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤s1中的溶剂为乙醇、正己烷等。
5.根据权利要求1所述的一种纳米银线-石墨烯叠层复合透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤s1中的溶剂中加入0.1-2wt%的粘附剂和0.001-1wt%的分散剂。
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【专利技术属性】
技术研发人员：苏伟，罗智勇，
申请(专利权)人：深圳市志凌伟业光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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