一种LED封装结构及其车灯制造技术

本发明专利技术提供了一种红光LED结构，主要解决提升光线利用率的问题，一种LED封装结构，其特征在于，包括：基板、LED芯片、透明件、反射介质，所述基板与所述LED芯片电连接，所述LED芯片为矩形并且所述LED芯片上具有发光面和电极，所述电极位于LED芯片上发光面的侧边，所述发光面上覆盖有透明件，填充所述反射介质将所述LED芯片与所述透明件包裹，所述包裹范围不包括所述透明件的上表面，所述发光面发出的光经反射介质反射至透明件后射出。

【技术实现步骤摘要】
一种LED封装结构及其车灯
本专利技术涉及LED领域，特别是一种LED封装结构及其车灯。
技术介绍
目前红光LED封装都是透明树脂封装，透明树脂表面积比LED芯片发光面积大，面积一般都放大几倍，甚至是十几倍，单面面积光线极大降低，这样造成LED在车灯灯具配光时，光线利用率低，光线效率降低，有时为了达到配光效果，需要增加LED个数，或者功率来弥补。
技术实现思路
本专利技术的目的为了提高光线的利用率。为达到上述目的，本专利技术提供一种LED封装结构，包括：基板、LED芯片、透明件、反射介质，所述基板与所述LED芯片电连接，所述LED芯片为矩形并且所述LED芯片上具有发光面和电极，所述电极位于LED芯片上发光面的侧边，所述发光面上覆盖有透明件，填充所述反射介质将所述LED芯片与所述透明件包裹，所述包裹范围不包括所述透明件的上表面，所述发光面发出的光经反射介质反射至透明件后射出。具体的所述LED封装结构解决了现有的光线利用率低的问题，包括：基板、LED芯片、透明件、反射介质，所述基板与所述LED芯片固定后进行电连接，LED芯片规则的矩形，所述LED芯片上分别设有发光面和矩形电极，所述电极在所述LED芯片的两侧，将透明件覆盖在发光面上，填充所述反射介质将所述LED芯片与所述透明件四周包裹，反射介质不包裹所述透明件的上表面，留有出光区域，所述发光面发出的光经反射介质反射至透明件后射出，保证了无论哪个方向射出的光都会完全被利用并且从中间照射射出，提高了光线的利用率。优选地，所述基板与所述LED芯片固定后再通过金属线将电极和基板连接。优选地，所述透明件与所述LED芯片发光面的大小相等，通过硅胶或环氧树脂将两者进行固定。优选地，所述电极置于所述发光面的一侧或两侧。优选地，所述电极为矩形，所述电极长度与发光面的边长相等。优选地，所述LED芯片为发光波长在600~700nm之间的红光芯片。优选地，所述反射介质为反射性材料，所述反射性材料为二氧化钛或硫酸钡。优选地，将所述LED芯片另一面金属化处理，所述金属为金、银、金锡合金中的一种或几种。附图说明图1是本专利技术一实施例一种红光LED封装结构的剖视图;图2是本专利技术一实施例一种红光LED封装结构的俯视图；图3是本专利技术一实施例一种红光LED封装结构的LED芯片与电极的俯视图；图4是本专利技术一实施例一种红光LED封装结构的透明件与电极的俯视图；图5是本专利技术一实施例一种红光LED封装结构的电极安装图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能解释为对本专利技术的限制。为了使本专利技术所解决光线利用率低的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明，应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图1所示，在一实施例一种红光LED结构，包括：基板1、LED芯片5、透明件4、反射介质3，所述基板1与所述LED芯片5电连接，所述LED芯片5为矩形并且所述LED芯片5具有发光面和电极6，所述电极6位于LED芯片5上发光面的侧边，所述发光面上覆盖有透明件4，填充所述反射介质3将所述LED芯片5与所述透明件4包裹，所述包裹范围不包括所述透明件4的上表面，所述发光面发出的光经反射介质3反射至透明件4后射出，透明件可以是玻璃、蓝宝石、碳化硅、树脂等透明材料；解决了光线利用率低的问题。在一实施例中，所述基板1与所述LED芯片5通过导电材料2连接，所述导电材料可为硅凝胶等，所述基板与所述LED芯片5固定后通过金属线连接电极和基板。具体的，所述基板1是在裸板上进行镭射打孔或钻孔得到的，基板可以是氧化铝、氮化铝、BT树脂等成分；LED芯片通过金锡共晶焊接，或者锡膏焊接，或者导电胶粘贴在陶瓷基板的线路上，后焊接金属线，连接电极和基板线路，实现电路导通功能，共晶工艺可以是热压共晶、回流焊锡膏共晶、超声波共晶等。如图4和图3所示，在一实施例中，所述透明件4与所述LED芯片5发光面的大小相等，通过透明件4为硅胶或环氧树脂将两者进行固定。具体的，在红光LED发光区域，粘结有与LED芯片5发光面大小相等的透明件4，粘结剂可以硅胶、环氧树脂，并且经过高温烘烤来进行固定。具体的，所述LED芯片5上的发光面可以为一面，为一面的情况下，在透明件4和反射介质3覆盖并且填充好以后，多余的光会经过反射介质反射给透明件4，再经由透明件4发出；如果所述LED芯片5为除底面以外的其它面，也就是说五面，所述透明件4覆盖后，还有4个面没有被覆盖，将所述反射介质3填充后，同样原理可以将四周的光反射至透明件4，再发射出去。如图5所示，在一实施例中，所述电极6为矩形，所述电极6长度与发光面的边长相等，所述电极6置于所述发光面的一侧或两侧。具体的，将LED芯片5的P电极或者N电极、或者PN电极设计为长方形，不具体限定电极6的具体电极端，所述电极6长度与发光面的边长相等，所述电极6宽度为0.1-0.2nm，适合焊线，电极宽度太宽会有一部分材料不能被利用，太短会因为材料不够而导致焊线困难，并且置于LED芯片5的上发光面的一边，或者两边，将发光区域设计为矩形，规则图形以便出光时光线全部利用。在一实施例中，所述LED芯片5为发光波长在600nm~700nm之间的红光芯片。具体的，LED芯片5发光波长600nm~700nm之间的可选择红光，可以根据具体需要去选择以及购买需要的发光大小的红光芯片，这个范围的红色光是符合要求的红光，选择合适大小的LED芯片也有利于透明件的粘贴作业。在一实施例中，所述反射介质3的材料可为反射性材料，所述反射性材料为二氧化钛或硫酸钡。具体的，填充反射介质可以是具有反射率的树脂混合物或者玻璃混合物等然后将金属线路布局和表面处理；填充反射介质3，将红光LED芯片5、透明件4四周包裹，只留出透明件4上表面，统计包裹金属线，形成保护，成为一个完整单面发光的高光密度红光LED结构产品，所述反光介质材料为白色材料，所述反射性材料为二氧化钛或硫酸钡或者氮化硼。在一实施例中，将所述LED芯片5另一面金属化处理，所述金属为金、银、金锡合金中的一种或几种。具体的，LED芯片5底部金属化处理，为实现电气连接，可使用所述金属为金、银、金锡合金中的一种或几种。将上表面面积与LED芯片发光面积相当的透明件，通过粘结剂黏贴在红光芯片上，再利用填充反射体，将红光LED芯片和透明件四个侧面包裹，将发出LED的红光光线全部聚集通过透明件上表面射出，达到单面发光的高光密度红光LED产品，这种高光密度的LED，接近理想中点光源，方便灯具配光设计和使用时，提升光效，同时LED芯片光线不会被金属线所遮挡，整个表面红光均本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED封装结构，其特征在于，包括：基板、LED芯片、透明件、反射介质，所述基板与所述LED芯片电连接，所述LED芯片为矩形并且所述LED芯片上具有发光面和电极，所述电极位于LED芯片上发光面的侧边，所述发光面上覆盖有透明件，填充所述反射介质将所述LED芯片与所述透明件包裹，所述包裹范围不包括所述透明件的上表面，所述发光面发出的光经反射介质反射至透明件后射出。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED封装结构，其特征在于，包括：基板、LED芯片、透明件、反射介质，所述基板与所述LED芯片电连接，所述LED芯片为矩形并且所述LED芯片上具有发光面和电极，所述电极位于LED芯片上发光面的侧边，所述发光面上覆盖有透明件，填充所述反射介质将所述LED芯片与所述透明件包裹，所述包裹范围不包括所述透明件的上表面，所述发光面发出的光经反射介质反射至透明件后射出。


2.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述基板与所述LED芯片固定后再通过金属线将电极和基板连接。


3.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于，所述透明件与所述LED芯片发光面的大小相等，通过硅胶或环氧树脂将两者进行固定。


4.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高洋，廖斌，林炎楷，郑茂铃，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44