具有光学耦合层的集成电路器件制造技术

描述了在包括集成电路层的垂直布置的集成电路器件（１０２）中，在其第一集成电路层（１０４）和第二集成电路层（１０６）之间耦合光信号（Ｓ１）。所述光信号（Ｓ１）在第一集成电路层（１０４）内在光子晶体缺陷波导（１１０）和光子晶体缺陷腔（１１２）之间瞬间耦合，并在第二集成电路层（１０６）上、在光子晶体缺陷腔（１１２）和光学孔径（１１６）之间进行投影式耦合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及集成电路器件的不同层之间的耦合信号。
技术介绍
集成电路器件在从计算机和机器人装置到家用电器和汽车控制系统 的广泛种类产品中已经成为重要的部件。随着集成电路器件在物理尺寸 和功耗上继续减小，其变得更有用和更快速，因此新应用不断被发现。 如在这里使用的，集成电路器件广泛地是指，具有一个或多个实现至少 一个电学和/或光学功能的集成电路芯片的装置，并且包括单芯片和多芯 片装置。在多芯片装置中，每个集成电路芯片通常是从衬底中独立制造 或由衬底"组成"的，并且所获得的芯片结合在一起或另外耦合入公共 物理配置中。集成电路技术继续朝着将电路尺寸减小到越来越小尺寸的方向前 进，这样整个本地电路(比如，存储单元，移位寄存器，加法器等)可 以减小到在线性尺寸上几百纳米的量级，并且最终甚至减小到几十纳米 或更小。在这样的物理等级和考虑到不断增加的时钟频率，在集成电路 器件的不同部分之间可实现的数据传输率受到限制，通过只有几百或几 千微米长的电互连线，本地电路与"远"电路的通信变得困难。为了解决这些问题，已经提出建议，将集成电路器件中的不同电路光学互连。比如，在共同转让的U.S.2005/0本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在包括集成电路层的垂直布置的集成电路器件（１０２）中，在其第一集成电路层（１０４）和第二集成电路层（１０６）之间耦合光信号（Ｓ１）的方法，包括：在第一集成电路层（１０４）内在光子晶体缺陷波导（１１０）和光子晶体缺陷腔（１１２）之间瞬间耦合光信号（Ｓ１）；和在第二集成电路层（１０６）上，在所述光子晶体缺陷腔（１１２）和光学孔径（１１６）之间投影式耦合光信号（Ｓ１）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：SM斯皮莱恩，RG博索莱尔，
申请(专利权)人：惠普开发有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]