【技术实现步骤摘要】
一种薄膜体声波谐振器
本专利技术涉及半导体器件制造领域,尤其涉及一种薄膜体声波谐振器。
技术介绍
自从射频通讯技术在上世纪90代初被开发以来,射频前端模块已经逐渐成为通讯设备的核心组件。在所有射频前端模块中,滤波器已成为增长势头最猛、发展前景最大的部件。随着无线通讯技术的高速发展,5G通讯协议日渐成熟,市场对射频滤波器的各方面性能也提出了更为严格的标准。滤波器的性能由组成滤波器的谐振器单元决定。在现有的滤波器中,薄膜体声波谐振器(FBAR)因其体积小、插入损耗低、带外抑制大、品质因数高、工作频率高、功率容量大以及抗静电冲击能力良好等特点,成为最适合5G应用的滤波器之一。通常,薄膜体声波谐振器包括两个薄膜电极,并且两个薄膜电极之间设有压电薄膜层,其工作原理为利用压电薄膜层在交变电场下产生振动,该振动激励出沿压电薄膜层厚度方向传播的体声波,此声波传至上下电极与空气交界面被反射回来,进而在薄膜内部来回反射,形成震荡。当声波在压电薄膜层中传播正好是半波长的奇数倍时,形成驻波震荡。但是,目前制作出的空腔型薄膜体声波谐振 ...
【技术保护点】
1.一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,包括:/n第一衬底;/n设置于所述第一衬底上的支撑层,所述支撑层中设有贯穿所述支撑层的第一空腔;/n压电叠层结构,覆盖所述第一空腔,所述压电叠层结构从上至下包括依次层叠的第一电极、压电层和第二电极,在有效谐振区所述第一电极、压电层和第二电极在垂直于所述压电层表面方向上重叠,所述有效谐振区位于所述第一空腔围成的区域上方;/n所述压电叠层结构中设有贯穿所述压电层及所述第二电极的第一沟槽,所述第一沟槽靠近所述有效谐振区的侧壁为第一侧面,所述第一侧面与所述第一电极表面的夹角为85-95度,所述有效谐振区的部分边界由所述第一侧面构成。/n
【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器,其特征在于,包括:
第一衬底;
设置于所述第一衬底上的支撑层,所述支撑层中设有贯穿所述支撑层的第一空腔;
压电叠层结构,覆盖所述第一空腔,所述压电叠层结构从上至下包括依次层叠的第一电极、压电层和第二电极,在有效谐振区所述第一电极、压电层和第二电极在垂直于所述压电层表面方向上重叠,所述有效谐振区位于所述第一空腔围成的区域上方;
所述压电叠层结构中设有贯穿所述压电层及所述第二电极的第一沟槽,所述第一沟槽靠近所述有效谐振区的侧壁为第一侧面,所述第一侧面与所述第一电极表面的夹角为85-95度,所述有效谐振区的部分边界由所述第一侧面构成。
2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第一电极或所述第一电极与所述压电层设有第二侧面,所述有效谐振区的边界包括:第一侧面和第二侧面。
3.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第二侧面与所述第二电极表面的夹角为85-95度。
4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述第一沟槽连通于所述第一空腔。
5.根据权利要求2所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述压电叠层结构中设有贯穿所述第一电极或同时贯穿所述第一电极及所述压电层的第二沟槽,所述第二沟槽靠近所述有效谐振区的侧壁构成所述第二侧面。
6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述压电层的材料具有晶格结构,所述晶格具有第一晶面,所述第一晶面与所述第一侧面平行。
7.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄河,罗海龙,李伟,
申请(专利权)人:中芯集成电路宁波有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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