体声波谐振器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种体声波谐振器及其制造方法，采用对空腔的边缘区域进行局部开孔的方式，在空腔的边缘上方的压电叠层中刻出至少一个与空腔连通的通孔，以使空腔与大气连通，进而使原本接近真空的空腔变成一个大气压，解决空气内外压力差异问题，同时还不会影响谐振工作区的压电叠层的结构和性能，从而避免空腔在后续工艺中发生不必要的破裂。此外，本发明专利技术的体声波谐振器，能够采用本发明专利技术的体声波谐振器的制造方法，简化工艺，降低制作成本。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器及其制造方法
本专利技术涉及射频通信
，尤其涉及一种体声波谐振器及其制造方法。
技术介绍
射频(RF)通信，如在移动电话中使用的通信，需要射频滤波器，每一个射频滤波器都能传递所需的频率，并限制所有其他频率。射频滤波器的核心是声谐振器，每个射频滤波器包括一组声谐振器。目前常用的一种声谐振器为体声波谐振器(FBAR谐振器)，且目前制作FBAR谐振器的工艺过程中，当空腔形成后，容易因后续工艺中因空腔的内外压差大而导致空腔破裂的问题。而一旦空腔破裂，就会导致FBAR谐振器的谐振腔失效，这会导致产品良率偏低、品质因数不良等问题。因此，需要一种新的技术方案，来解决空腔内外压力差较大的问题，以避免空腔破裂。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种体声波谐振器及其制造方法，能够解决空腔内外压力差较大的问题，避免空腔破裂。为了实现上述目的，本专利技术提供一种体声波谐振器，包括：衬底；支撑层，位于所述衬底上，且所述支撑层中形成有顶部开口的空腔；包括上电极、压电层和下电极的压电叠层，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：/n衬底；/n支撑层，位于所述衬底上，且所述支撑层中形成有顶部开口的空腔；/n包括上电极、压电层和下电极的压电叠层，所述上电极、压电层和下电极依次层叠在所述支撑层上，并均具有与所述空腔重叠的部分；以及/n至少一个通孔，所述通孔位于所述空腔的边缘上方且贯穿所述压电叠层，以与所述空腔连通。/n

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：
衬底；
支撑层，位于所述衬底上，且所述支撑层中形成有顶部开口的空腔；
包括上电极、压电层和下电极的压电叠层，所述上电极、压电层和下电极依次层叠在所述支撑层上，并均具有与所述空腔重叠的部分；以及
至少一个通孔，所述通孔位于所述空腔的边缘上方且贯穿所述压电叠层，以与所述空腔连通。


2.如权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述通孔设置在所述空腔边缘处。


3.如权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述通孔为多个时，所有的所述通孔均匀分布在空腔的边缘。


4.如权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述空腔的顶部开口呈方形，所述通孔至少分布在所述空腔的顶部开口的四个角其中之一位置处。


5.如权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述通孔的开口线宽为10μm～30μm；和/或，所述通孔的开口形状为各边不平行的多边形。


6.如权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层键合于所述衬底。


7.如权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层的材料包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、正硅酸乙酯、干膜中的至少一种。


8.如权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述上电极、所述下电极及所述压电层均完全覆盖所述空腔；
或者，
所述上电极和所述下电极在所述空腔上方部分重叠，所述上电极和所述下电极共同完全覆盖所述空腔。


9.如权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述体声波谐振器具有位于所述空腔外围的下电极引出区，所述下电极引出区中的所述上电极和所述压电层被去除，暴露出所述下电极。


10.如权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述下电极至少覆盖所述空腔的上空的一半，所述上电极还具有从所述空腔的上方连续延伸到所述空腔外围的衬底上方的搭边，所述上电极中仅有所述搭边与所述空腔的边界重叠。


11.一种体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一衬底，在所述第一衬底上依次形成压电叠层和支撑层，所述压电叠层包括依次层叠在所述第一衬底上的上电极层、压电层和下电极层；
刻蚀所述支撑层，以在所述支撑层中形成空腔；
提供第二衬底，并将所述第二衬底键合到所述支撑层上；
去除所述第一衬底；以及，
形成位于所述空腔的边缘上的至少一个通孔，所述通孔依次贯穿所述空腔的边缘上的所述压电叠层，以与所述空腔连通。

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，罗海龙，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33