薄膜体声波谐振器及滤波器制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种薄膜体声波谐振器及滤波器，该薄膜体声波谐振器包括：支撑结构，所述支撑结构内部设置空气隙；形成在所述支撑结构上的自下而上排列的下电极、压电层和上电极。本实用新型专利技术实施例提供的技术方案，增加了薄膜体声波谐振器的机械牢固度，有效避免常规工艺牺牲层被灌入通孔的腐蚀液腐蚀不完全和腐蚀液清洗不干净的问题。

【技术实现步骤摘要】
薄膜体声波谐振器及滤波器
本技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种薄膜体声波谐振器及滤波器。
技术介绍
近年来，随着无线通信技术朝着高频率和高速度方向迅猛发展，以及电子元器件朝着微型化和低功耗的方向发展，基于薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，FBAR)的滤波器的研究与开发越来越受到人们的关注。目前的薄膜体声波谐振器，常常会因为其机械牢固度不够，以至于薄膜体声波谐振器不能正常使用。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种薄膜体声波谐振器及滤波器，以解决现有技术中薄膜体声波谐振器常常会因为其机械强度不够，以至于薄膜体声波谐振器不能正常使用的技术问题。第一方面，本技术实施例提供了一种薄膜体声波谐振器，包括：支撑结构，所述支撑结构内部设置空气隙；形成在所述支撑结构上的自下而上依次排列的下电极、压电层和上电极。可选地，所述支撑结构包括第一晶圆，所述第一晶圆的第一表面设置凹槽；形成在所述第一晶圆上的第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述凹槽，所述第一晶圆和所述第一绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：支撑结构，所述支撑结构内部设置空气隙；/n形成在所述支撑结构上的自下而上依次排列的下电极、压电层和上电极；/n所述支撑结构包括第一晶圆，所述第一晶圆的第一表面设置凹槽；/n形成在所述第一晶圆上的第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述凹槽，所述第一晶圆和所述第一绝缘层包围所述凹槽，所述凹槽构成所述空气隙。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：支撑结构，所述支撑结构内部设置空气隙；
形成在所述支撑结构上的自下而上依次排列的下电极、压电层和上电极；
所述支撑结构包括第一晶圆，所述第一晶圆的第一表面设置凹槽；
形成在所述第一晶圆上的第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述凹槽，所述第一晶圆和所述第一绝缘层包围所述凹槽，所述凹槽构成所述空气隙。


2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，在垂直...

【专利技术属性】
技术研发人员：缪建民，张瑞珍，
申请(专利权)人：迈感微电子上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31