利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器，结构包括：第一硅衬底、串联单晶薄膜体声波谐振器、第一电极层、并联单晶薄膜体声波谐振器、第二电极层和第一射频耦合电容，串联单晶薄膜体声波谐振器通过第一电极层与并联单晶薄膜体声波谐振器连接，并联单晶薄膜体声波谐振器通过第二电极层与第一射频耦合电容连接。通过采用第一射频耦合电容能够显著增强体声波滤波器的带外抑制特性，同时，通过第一射频耦合电容与并联单晶薄膜体声波谐振器进行连接，能够有效减少外接电路引入的性能损耗，此外，本实用新型专利技术仅仅需要串联单晶薄膜体声波谐振器与并联单晶薄膜体声波谐振器连接在一起即可，不需要形成拓扑结构，降低了制备难度。

【技术实现步骤摘要】
利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器
本技术涉及谐振器
，特别涉及一种利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器。
技术介绍
近年来，随着移动通信服务形式的升级和传输信息量的提升，带来了对工作在高频段(2.5GHz以上)范围内的小体积、低损耗、高品质因数、高带外抑制等性能滤波器的大量需求，FBAR具有体积小、损耗低、可集成、高工作频率和高功率承受能力等优点，是目前唯一可集成的射频前端滤波器，因此FBAR被认为是下一代通讯系统的重要组成部分。目前主流的采用单晶AlN薄膜制备成的空腔型FBAR存在以下缺陷：(1)将多个FBAR谐振器进行串联与并联形成拓扑结构，但是这种方式在构成高阶滤波器以及高频滤波器时存在插入损耗大，带外抑制差等问题；(2)制备拓扑结构的FBAR难度大，制备工艺复杂，导致制备的成本高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器，解决了现有单晶薄膜体声波谐振器存在的制备难度大、带外抑制差、插入损耗大的问题。本技术通过以下技术方案实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括第一硅衬底(1)、设置在第一硅衬底(1)上的串联单晶薄膜体声波谐振器、第一电极层(2)、并联单晶薄膜体声波谐振器、第二电极层(3)和第一射频耦合电容，所述串联单晶薄膜体声波谐振器通过第一电极层(2)与并联单晶薄膜体声波谐振器连接，所述并联单晶薄膜体声波谐振器通过所述第二电极层(3)与第一射频耦合电容连接，所述串联单晶薄膜体声波谐振器包括第一串联谐振器(4)和第二串联谐振器(5)，所述并联单晶薄膜体声波谐振器包括第一并联谐振器(6)和第二并联谐振器(7)，所述第一射频耦合电容包括第一补偿电容(8)和第二补偿电容(9)。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括第一硅衬底(1)、设置在第一硅衬底(1)上的串联单晶薄膜体声波谐振器、第一电极层(2)、并联单晶薄膜体声波谐振器、第二电极层(3)和第一射频耦合电容，所述串联单晶薄膜体声波谐振器通过第一电极层(2)与并联单晶薄膜体声波谐振器连接，所述并联单晶薄膜体声波谐振器通过所述第二电极层(3)与第一射频耦合电容连接，所述串联单晶薄膜体声波谐振器包括第一串联谐振器(4)和第二串联谐振器(5)，所述并联单晶薄膜体声波谐振器包括第一并联谐振器(6)和第二并联谐振器(7)，所述第一射频耦合电容包括第一补偿电容(8)和第二补偿电容(9)。


2.根据权利要求1所述的一种利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第二串联谐振器(5)、第一并联谐振器(6)和第二并联谐振器(7)分别与第一串联谐振器(4)的组成和结构相同。


3.根据权利要求2所述的一种利用射频电容优化的硅背刻蚀型单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述第一串联谐振器(4)包括第二硅衬底(10)、谐振器底电极(11)、单晶压电薄膜(12)、谐振器顶电极(13)、第二射频耦合电容下电极(14)、二氧化硅介质层(15)、第二射频耦合电容上电极(16)和金属连接件(17)，所述第二硅衬底(10)设置有第一通孔(18)和第二通孔(19)，所述单晶压电薄膜(12)底部设置有与谐振器底电极(11)相匹配的第一凹槽(20)和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：河源市众拓光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44