谐振器制造技术

本发明专利技术提供一种谐振器，其包括基底、沿第一方向设置于基底的复合膜以及设置于复合膜靠近基底一侧的纵向声波反射器；复合膜包括沿第一方向依次设置的第一电极、压电功能膜以及第二电极，第一电极设置于基底和纵向声波反射器之上；横向声波反射器的内侧面沿第一方向向复合膜的正投影所包围的区域为谐振区，谐振器位于谐振区外的区域为非谐振区；第一电极、压电功能膜和第二电极均完全覆盖谐振区；复合膜位于谐振区的部分的声阻抗与复合膜位于非谐振区的部分的声阻抗相异，且第一电极、压电功能膜和第二电极位于谐振区内的部分的声阻抗均是大致不变的。与相关技术相比，本发明专利技术的谐振器能量损失小且Q值增大。

【技术实现步骤摘要】
谐振器
本专利技术涉及谐振器
，尤其涉及一种薄膜体声波谐振器。
技术介绍
随着智能设备的日益增多，以及物联网和5G技术的不断普及，对高性能滤波器和多功器的需求越来越大。声学谐振器作为滤波器和多功器的重要组成部分，一直是近年来研究的重点对象。相关技术中，谐振器包括沿第一方向设置的基底、第一电极、压电膜以及第二电极，所述基底和所述第一电极之间设置有纵向声波反射器；所述纵向声波反射器沿所述第一方向的正投影内边缘所包围的区域为谐振区，所述第一电极、第二电极以及压电膜沿所述第一方向相重叠的部分所包围的区域为激发区，在激发区内会产生纵向声波和横向声波。然而，相关技术中，复合膜在激发区和激发区外不连续，横向声波向外传播到激发区的侧边和谐振区的侧边时，各发生一次声波散射效应，导致产生大量横向波的叠加振动，且大量声波能量进入基底形成耗散，造成反谐振点的Q值大幅降低。因此，实有必要提供一种新的谐振器解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种减少能量损失且Q值增大的谐振器。...

【技术保护点】
1.一种谐振器，其包括基底、沿第一方向设置于所述基底上方的复合膜以及设置于所述复合膜靠近所述基底一侧的纵向声波反射器，其特征在于，所述复合膜包括沿所述第一方向依次设置的第一电极、压电功能膜以及第二电极，所述第一电极设置于所述基底和所述纵向声波反射器之上；所述谐振器还包括设置于所述复合膜表面且呈封闭或开口的环状的横向声波反射器，所述横向声波反射器的内侧面沿所述第一方向向所述复合膜的正投影所包围的区域为谐振区，所述谐振器位于所述谐振区外的区域为非谐振区；所述第一电极、所述压电功能膜和所述第二电极均完全覆盖所述谐振区；所述压电功能膜包括位于所述谐振区内且设置于所述第一电极远离所述基底一侧的纵向压电膜...

【技术特征摘要】
1.一种谐振器，其包括基底、沿第一方向设置于所述基底上方的复合膜以及设置于所述复合膜靠近所述基底一侧的纵向声波反射器，其特征在于，所述复合膜包括沿所述第一方向依次设置的第一电极、压电功能膜以及第二电极，所述第一电极设置于所述基底和所述纵向声波反射器之上；所述谐振器还包括设置于所述复合膜表面且呈封闭或开口的环状的横向声波反射器，所述横向声波反射器的内侧面沿所述第一方向向所述复合膜的正投影所包围的区域为谐振区，所述谐振器位于所述谐振区外的区域为非谐振区；所述第一电极、所述压电功能膜和所述第二电极均完全覆盖所述谐振区；所述压电功能膜包括位于所述谐振区内且设置于所述第一电极远离所述基底一侧的纵向压电膜以及环绕所述纵向压电膜外周缘且设置于所述第一电极远离所述基底一侧的纵向非压电膜；所述谐振器位于所述谐振区的部分的声阻抗与所述谐振器位于所述非谐振区的部分的声阻抗相异，且所述第一电极、所述压电功能膜和所述第二电极位于所述谐振区内的部分的声阻抗均是大致不变的。


2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述横向声波反射器设置于所述第一电极远离所述第二电极的一侧并环绕所述纵向声波反射器设置。


3.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述基底包括与所述第一电极相对间隔的底壁以及由所述底壁向所述第一电极弯折延伸的呈环状的侧壁，所述第一电极设置于所述侧壁远离所述底壁的一侧，所述侧壁充当所述横向声波反射器。


4.根据权利要求3所述的谐振器，其特征在于，所述侧壁与所述底壁共同围成空腔结构，所述空腔结构充当所述纵向声波反射器，所述第一电极完全覆盖所述空腔结构。


5.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述横向声波反射器设...

【专利技术属性】
技术研发人员：窦韶旭，吕丽英，杨帅，吴一雷，韩琦，吴珂，王超，
申请(专利权)人：瑞声科技南京有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32