一种滤波器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种滤波器的制备方法。滤波器的制备方法包括：提供第一衬底和第二衬底；在第一衬底的表面形成单晶压电层；在单晶压电层背离第一衬底的表面形成第一电极；将第一电极背离单晶压电层的表面与第二衬底键合；去除第一衬底；在单晶压电层背离第一电极的表面形成第二电极。本发明专利技术的技术方案实现了用单晶压电层制备滤波器，达到了提高滤波器信号转换和信号传输的性能的效果。信号传输的性能的效果。信号传输的性能的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种滤波器的制备方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种滤波器的制备方法。

技术介绍

[0002]随着5G时代的到来，滤波器市场需求急剧生长，目前4G通信时主要采用声表面波（surface acoustic wave，SAW）滤波器，但是SAW滤波器无法支持5G的高频段信号传输，需要使用薄膜体声波谐振（film bulk acoustic resonator，FBAR）滤波器。
[0003]现有的FBAR滤波器大多采用金属电极、压电层和金属电极的结构，需要在金属电极上形成压电层，但是在金属电极上较难沉积单晶压电层，难以利用单晶压电层制备FBAR滤波器，导致FBAR滤波器的性能较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种滤波器的制备方法，以实现可以用单晶压电层制备滤波器，以提高滤波器的性能。
[0005]本专利技术实施例提供了一种滤波器的制备方法，滤波器的制备方法包括：提供第一衬底和第二衬底；在所述第一衬底的表面形成单晶压电层；在所述单晶压电层背离所述第一衬底的表面形成第一电极；将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器的制备方法，其特征在于，包括：提供第一衬底和第二衬底；在所述第一衬底的表面形成单晶压电层；在所述第一衬底的表面形成单晶压电层包括：在所述第一衬底的表面形成过渡层；在所述过渡层背离所述第一衬底的表面形成单晶压电层；在所述单晶压电层背离所述第一衬底的表面形成第一电极；在所述第一电极和所述单晶压电层形成至少一个沟槽，所述沟槽露出所述过渡层背离所述第一衬底的表面；将所述第一电极背离所述单晶压电层的表面与所述第二衬底键合；去除所述第一衬底；去除所述第一衬底包括：通过所述沟槽腐蚀所述过渡层，以去除所述过渡层和所述第一衬底；在所述单晶压电层背离所述第一电极的表面形成第二电极。2.根据权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，所述沟槽位于相邻两个滤波器振子之间；所述沟槽限定出所述滤波器振子；或者，所述沟槽位于相邻两个滤波器之间，所述沟槽限定出所述滤波器。3.根据权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，所述过渡层包括氮化镓层，所述单晶压电层包括氮化铝层和/或铝钪氮层；或者，所述过渡层包括氮化铝层，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：缪建民，张金姣，王志宏，
申请(专利权)人：迈感微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：