一种滤波器的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种滤波器的制备方法。滤波器的制备方法包括：提供第一衬底和第二衬底；在第一衬底的表面形成单晶压电层；在单晶压电层背离第一衬底的表面形成第一电极；将第一电极背离单晶压电层的表面与第二衬底键合；去除第一衬底；在单晶压电层背离第一电极的表面形成第二电极。本发明专利技术的技术方案实现了用单晶压电层制备滤波器，达到了提高滤波器信号转换和信号传输的性能的效果。信号传输的性能的效果。信号传输的性能的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种滤波器的制备方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种滤波器的制备方法。

技术介绍

[0002]随着5G时代的到来，滤波器市场需求急剧生长，目前4G通信时主要采用声表面波（surface acoustic wave，SAW）滤波器，但是SAW滤波器无法支持5G的高频段信号传输，需要使用薄膜体声波谐振（film bulk acoustic resonator，FBAR）滤波器。
[0003]现有的FBAR滤波器大多采用金属电极、压电层和金属电极的结构，需要在金属电极上形成压电层，但是在金属电极上较难沉积单晶压电层，难以利用单晶压电层制备FBAR滤波器，导致FBAR滤波器的性能较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种滤波器的制备方法，以实现可以用单晶压电层制备滤波器，以提高滤波器的性能。
[0005]本专利技术实施例提供了一种滤波器的制备方法，滤波器的制备方法包括：提供第一衬底和第二衬底；在所述第一衬底的表面形成单晶压电层；在所述单晶压电层背离所述第一衬底的表面形成第一电极；将所述第一电极背离所述单晶压电层的表面与所述第二衬底键合；去除所述第一衬底；在所述单晶压电层背离所述第一电极的表面形成第二电极。
[0006]可选地，在所述第一衬底的表面形成单晶压电层包括：在所述第一衬底的表面形成过渡层；在所述过渡层背离所述第一衬底的表面形成单晶压电层。
[0007]可选地，在所述单晶压电层背离所述第一衬底的表面形成第一电极之后，还包括：在所述第一电极和所述单晶压电层形成至少一个沟槽，所述沟槽露出所述过渡层背离所述第一衬底的表面；去除所述第一衬底包括：通过所述沟槽腐蚀所述过渡层，以去除所述过渡层和所述第一衬底。
[0008]可选地，所述沟槽位于相邻两个滤波器振子之间；所述沟槽限定出所述滤波器振子；或者，所述沟槽位于相邻两个滤波器之间，所述沟槽限定出所述滤波器。
[0009]可选地，在去除所述第一衬底之后，还包括：去除所述过渡层。
[0010]可选地，所述过渡层包括氮化镓层，所述单晶压电层包括氮化铝层；或者，所述过渡层包括氮化铝层，所述单晶压电层包括氮化镓层。
[0011]可选地，将所述第一电极背离所述单晶压电层的表面与所述第二衬底键合包括：在所述第一电极背离所述单晶压电层的表面形成第一键合层；在所述第二衬底的表面形成第二键合层；将所述第一键合层与所述第二键合层键合，所述第一键合层背离所述第一电极的表面与所述第二键合层背离所述第二衬底的表面重合。
[0012]可选地，在将所述第一电极背离所述单晶压电层的表面与所述第二衬底键合之前，还包括：在所述第二衬底形成至少一个空腔。
[0013]可选地，所述空腔在第二衬底厚度的剖面的形状包括梯形、半椭圆形或长方形。
[0014]可选地，在所述单晶压电层背离所述第一衬底的表面形成第一电极之前，还包括：修整所述单晶压电层背离所述第一衬底的表面；在所述单晶压电层背离所述第一电极的表面形成第二电极之前，还包括：修整所述单晶压电层背离所述第一电极的表面。
[0015]本专利技术通过在第一衬底的表面形成单晶压电层，在单晶压电层背离第一衬底的表面形成第一电极，将第一电极背离单晶压电层的表面与第二衬底键合，再去除第一衬底，使得第二衬底作为滤波器的衬底，在单晶压电层背离第一电极的表面形成第二电极，从而完成滤波器的制备，无需在电极层上制备压电层，更容易形成单晶压电层，从而实现用单晶压电层制备滤波器，提高了滤波器的信号转换和传输性能。本专利技术解决了在金属电极上较难沉积单晶压电层，难以利用单晶压电层制备滤波器，导致滤波器的性能较差的问题，实现了用单晶压电层制备滤波器，达到了提高滤波器信号转换和信号传输的性能的效果。
附图说明
[0016]图1是本专利技术实施例提供的一种滤波器的制备方法的流程图；图2是本专利技术实施例提供的又一种滤波器的制备方法的流程图；图3是本专利技术实施例提供的又一种滤波器的制备方法的流程图；图4是本专利技术实施例提供的又一种滤波器的制备方法的流程图；图5
‑
图27是本专利技术实施例提供的滤波器的制备方法各步骤对应的剖面图。
具体实施方式
[0017]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0018]图1是本专利技术实施例提供的一种滤波器的制备方法的流程图，图5
‑
图27是本专利技术实施例提供的滤波器的制备方法各步骤对应的剖面图，参见图1，滤波器的制备方法包括：S110、提供第一衬底和第二衬底。
[0019]参见图5，提供第一衬底510和第二衬底520，第一衬底510例如可以是蓝宝石衬底、硅（Si）衬底或氮化镓（GaN）衬底，第二衬底520例如可以是高阻硅衬底、蓝宝石衬底或玻璃衬底。第一衬底510和第二衬底520具有支撑和保护等的作用，可以为滤波器的制备提供基础。并且，第二衬底520上可以设有布拉格反射层，用于反射声波，便于形成谐振。
[0020]S120、在第一衬底的表面形成单晶压电层。
[0021]参见图6，可以通过沉积的方式在第一衬底510的表面形成单晶压电层530，可以通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)或原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)等设备进行沉积。单晶压电层530的稳定性较好、电损耗较低，所以通过形成单晶压电层530可以增强滤波器的稳定性，并减小损耗，使得滤波器对信号的转换和传输更准确，有利于提高滤波器的性能。单晶压电层530的厚度例如为0.2μm~2μm，但并不进行限定，滤波器可通过的信号的频率与单晶压电层530的厚度相关，单晶压电层530的具体厚度可以根据所需的滤波器频率进行确定，此处并不进行限定。
[0022]S130、在单晶压电层背离第一衬底的表面形成第一电极。
[0023]参见图7，在单晶压电层530背离第一衬底510的表面形成第一电极540，第一电极540例如为滤波器的下电极，可以通过沉积或溅射的方式形成第一电极540，沉积好第一电极540后，对第一电极540进行图形化处理，刻蚀出第一电极540的图形，完成第一电极540的制备。其中，第一电极540的材料为金属材料，金属材料可以包括钼（Mo）、铜（Au）或钛（Ti）等。第一电极540的厚度例如为0.1~0.3μm，如果第一电极540过薄，小于0.1μm，就会使得第一电极540的电阻较大，使得滤波器的损耗较大；如果第一电极540过厚，大于0.3μm，会增加成本，所以第一电极540的厚度为0.1~0.3μm时，可以既减小电阻，降低损耗，还可以降低成本。
[0024]S140、将第一电极背离单晶压电层的表面与第二衬底键合。
[0025]参见图8，例如可以采用晶圆键合工艺将第一电极540背本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器的制备方法，其特征在于，包括：提供第一衬底和第二衬底；在所述第一衬底的表面形成单晶压电层；在所述第一衬底的表面形成单晶压电层包括：在所述第一衬底的表面形成过渡层；在所述过渡层背离所述第一衬底的表面形成单晶压电层；在所述单晶压电层背离所述第一衬底的表面形成第一电极；在所述第一电极和所述单晶压电层形成至少一个沟槽，所述沟槽露出所述过渡层背离所述第一衬底的表面；将所述第一电极背离所述单晶压电层的表面与所述第二衬底键合；去除所述第一衬底；去除所述第一衬底包括：通过所述沟槽腐蚀所述过渡层，以去除所述过渡层和所述第一衬底；在所述单晶压电层背离所述第一电极的表面形成第二电极。2.根据权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，所述沟槽位于相邻两个滤波器振子之间；所述沟槽限定出所述滤波器振子；或者，所述沟槽位于相邻两个滤波器之间，所述沟槽限定出所述滤波器。3.根据权利要求1所述的滤波器的制备方法，其特征在于，所述过渡层包括氮化镓层，所述单晶压电层包括氮化铝层和/或铝钪氮层；或者，所述过渡层包括氮化铝层，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：缪建民，张金姣，王志宏，
申请(专利权)人：迈感微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：