【技术实现步骤摘要】
一种薄膜体声波谐振器及其制造方法
本专利技术涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种薄膜体声波谐振器及其制造方法。
技术介绍
自模拟射频通讯技术在上世纪90代初被开发以来，射频前端模块已经逐渐成为通讯设备的核心组件。在所有射频前端模块中，滤波器已成为增长势头最猛、发展前景最大的部件。随着无线通讯技术的高速发展，5G通讯协议日渐成熟，市场对射频滤波器的各方面性能也提出了更为严格的标准。滤波器的性能由组成滤波器的谐振器单元决定。在现有的滤波器中，薄膜体声波谐振器(FBAR)因其体积小、插入损耗低、带外抑制大、品质因数高、工作频率高、功率容量大以及抗静电冲击能力良好等特点，成为最适合5G应用的滤波器之一。通常，薄膜体声波谐振器包括两个薄膜电极，并且两个薄膜电极之间设有压电薄膜层，其工作原理为利用压电薄膜层在交变电场下产生振动，该振动激励出沿压电薄膜层厚度方向传播的体声波，此声波传至上下电极与空气交界面被反射回来，进而在薄膜内部来回反射，形成震荡。当声波在压电薄膜层中传播正好是半波长的奇数倍时，形成驻波震荡。但是，目前制...
【技术保护点】
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：/n第一衬底；/n键合于所述第一衬底上的支撑层，所述支撑层中形成有贯穿所述支撑层的第一空腔；/n压电叠层结构，覆盖所述第一空腔，所述压电叠层结构包括依次层叠的第一电极、压电层和第二电极；/n介质层，生长于所述压电叠层结构上方，所述介质层中形成有贯穿所述介质层的第二空腔，所述第二空腔位于所述第一空腔上方；/n第二衬底，键合于所述介质层上，并覆盖所述第二空腔；/n第一沟槽，形成于所述第一空腔和所述第二空腔之间的所述压电叠层结构上，并贯穿所述第一电极和所述压电层，所述第一沟槽与所述第一空腔连通；/n第二沟槽，形成于所述第一空腔和所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：
第一衬底；
键合于所述第一衬底上的支撑层，所述支撑层中形成有贯穿所述支撑层的第一空腔；
压电叠层结构，覆盖所述第一空腔，所述压电叠层结构包括依次层叠的第一电极、压电层和第二电极；
介质层，生长于所述压电叠层结构上方，所述介质层中形成有贯穿所述介质层的第二空腔，所述第二空腔位于所述第一空腔上方；
第二衬底，键合于所述介质层上，并覆盖所述第二空腔；
第一沟槽，形成于所述第一空腔和所述第二空腔之间的所述压电叠层结构上，并贯穿所述第一电极和所述压电层，所述第一沟槽与所述第一空腔连通；
第二沟槽，形成于所述第一空腔和所述第二空腔之间的所述压电叠层结构上，并贯穿所述第二电极和所述压电层，所述第二沟槽与所述第二空腔连通，所述第一沟槽和所述第二沟槽围成的区域为所述谐振器的有效工作区，所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述第一衬底底面的投影的两个交界处相接或设有间隙。
2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述有效谐振区的横截面的形状为多边形，且所述多边形的任意两条边不平行。
3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一沟槽的侧壁与所述第二电极所在的平面的倾角大于90度；所述第二沟槽的侧壁与所述第一电极所在的平面的倾角大于90度。
4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，还包括绝缘层，设置于所述第一电极和所述支撑层之间。
5.根据权利要求4所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述绝缘层材料包括氧化硅或氮化硅。
6.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层的材料包括氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅或钛酸铅。
7.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑层或所述介质层的材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝和氮化铝中的一种或几种组合。
8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极或所述第二电极的材料包括钼、钨、铝、铜、钽、铂、钌、铑、铱、铬或钛中的任意一种或上述金属形成的叠层。
9.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：隋欢，齐飞，杨国煌，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。