【技术实现步骤摘要】
滤波器单元，包括该滤波器单元的基板处理设备和基板处理方法相关申请的交叉引用根据35U.S.C.§119要求在2019年5月22日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0060068号的优先权，该申请的全部内容以引用方式并入本文。
本文描述的专利技术构思的实施例涉及滤波器单元和包括该滤波器单元的基板处理设备。另外，本文描述的专利技术构思的实施例还涉及使用滤波器单元的基板处理方法。
技术介绍
在基板处理设备中，静电吸盘可用于将放置在腔室中的基板支撑件上的基板固定。当将基板放置在基板支撑件上时，将电流提供给设置在基板支撑件上的静电吸盘以产生静电，并且静电吸盘使用这种静电将基板附接到基板支撑件上。另外，静电吸盘还包括用于在处理期间调节基板的温度的加热器。加热器被供应交流电并且产生热量以将基板保持在恒定温度。在使用等离子体的基板处理工艺中，基板的温度极大地影响了基板上的等离子体的形成，因此用于将基板保持在适当温度的静电吸盘的加热器控制在该工艺的生产率中起重要作用。传统的静电吸盘具有的问题在...
【技术保护点】
1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：/n腔室，在所述腔室中限定有处理空间；/n支撑单元，其用于将所述基板支撑在所述处理空间中；/n加热器电源，其用于向容纳在所述支撑单元中的加热器施加电力；/n高频电源，其用于将高频电力施加到容纳在所述支撑单元中的下部电极；以及/n滤波器单元，其安装在用于将所述加热器电源和所述加热器彼此连接的线路处以防止高频流入，/n其中，所述滤波器单元包括：/n壳体，/n一个或多个线圈，其容纳在所述壳体中，和/n调节构件，其设置在所述壳体和所述线圈之间。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190522 KR 10-2019-00600681.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：
腔室，在所述腔室中限定有处理空间；
支撑单元，其用于将所述基板支撑在所述处理空间中；
加热器电源，其用于向容纳在所述支撑单元中的加热器施加电力；
高频电源，其用于将高频电力施加到容纳在所述支撑单元中的下部电极；以及
滤波器单元，其安装在用于将所述加热器电源和所述加热器彼此连接的线路处以防止高频流入，
其中，所述滤波器单元包括：
壳体，
一个或多个线圈，其容纳在所述壳体中，和
调节构件，其设置在所述壳体和所述线圈之间。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述调节构件由非磁性材料制成。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述调节构件由介电材料制成或实施为浮动壁。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述调节构件以预定间隔与所述线圈间隔开，
其中，所述调节构件与所述壳体的内壁间隔开或与所述壳体的所述内壁接触。
5.根据权利要求3所述的设备，其中，所述滤波器单元的所述调节构件调节所述线圈与所述壳体的所述内壁之间的距离，以控制由所述滤波器单元阻挡的频率。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，调节所述滤波器单元的所述调节构件的厚度、放置位置、数量和材料以控制由所述滤波器单元阻挡的频率。
7.一种用于处理基板的设备，该设备包括：
腔室，在所述腔室中限定有处理空间；
支撑单元，其用于将所述基板支撑在所述处理空间中；
加热器电源，其用于向容纳在所述支撑单元中的加热器施加电力；
高频电源，其用于将高频电力施加到容纳在所述支撑单元中的下部电极；以及
滤波器单元，其安装在用于将所述加热器电源和所述加热器彼此连接的线路处以防止高频流入，
其中，滤波器单元包括：
壳体，
低通滤波器，其容纳在所述壳体中，和
一个或多个陷波滤波器，其串联连接到所述低通滤波器，
其中，所述低通滤波器包括第一线圈和第一电容器，
其中，所述陷波滤波器包括第二线圈和第二电容器，
其中，调节所述第一线圈或所述第二线圈与所述壳体的内壁之间的距离以控制由滤波器单元阻挡的频率，所述壳体的所述内壁靠近所述第一线圈或所述第二线圈。
8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述滤波器单元包括设置在所述壳体与所述第一线圈之间、或在所述壳体与所述第二线圈之间的调节构件。
技术研发人员：O·噶尔斯特延，成晓星，全炳建，安宗焕，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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