【技术实现步骤摘要】
一种利用射频电感优化单晶薄膜体声波谐振器滤波器
本技术涉及薄膜体声波谐振器
与MEMS微机械加工领域，具体涉及一种利用射频电感优化单晶薄膜体声波谐振器滤波器。
技术介绍
随着5G技术的普及与发展，通信领域迎来又一次高速增长时期。相应的技术升级，器件更新换代也接踵而至。继4G时代主流SAW声表面波器件，BAW体声波器件也逐渐进入人们视线。作为射频信号前端处理的关键元件，FBAR被称为薄膜体声波器件，是BAW器件中目前应用最广泛最有发展前景的一员。FBAR体声波滤波器件拥有适用频率高，品质因数高，加工难度相对较低的优点。目前主流的FBAR体声波滤波器件主要分为三种结构：硅背刻蚀型、空气腔型以及固体装配型。其中硅背刻蚀型具有加工难度低，品质因数高等优势，将在未来5G滤波领域扮演重要角色。主流的FBAR滤波器制备方法是将多个FBAR谐振器进行串联与并联形成拓扑结构，但是这种方式在制备高频滤波器件特别是在5GHz以上时，存在插入损耗大，带外抑制差等问题。如何通过易于加工制备的射频电感部件协调带内插入损耗与带外抑制...
【技术保护点】
1.一种利用射频电感优化的单晶薄膜体声波谐振器滤波器，其特征在于，包括外延衬底（101）、底电极（102）、压电薄膜（103）、顶电极（104）、保护层（105）、电学连接通孔（106）、电极连接微带线（107）及射频电感平面金属线段（108）；所述外延衬底（101）与底电极（102）连接；所述底电极（102）与压电薄膜（103）连接；所述压电薄膜（103）与顶电极（104）连接；所述顶电极（104）与保护层（105）连接；所述保护层（105）上设有电学连接通孔（106）；所述电学连接通孔（106）与顶电极（104）连接；所述射频电感平面金属线段（108）通过电极连接微带线...
【技术特征摘要】
1.一种利用射频电感优化的单晶薄膜体声波谐振器滤波器，其特征在于，包括外延衬底（101）、底电极（102）、压电薄膜（103）、顶电极（104）、保护层（105）、电学连接通孔（106）、电极连接微带线（107）及射频电感平面金属线段（108）；所述外延衬底（101）与底电极（102）连接；所述底电极（102）与压电薄膜（103）连接；所述压电薄膜（103）与顶电极（104）连接；所述顶电极（104）与保护层（105）连接；所述保护层（105）上设有电学连接通孔（106）；所述电学连接通孔（106）与顶电极（104）连接；所述射频电感平面金属线段（108）通过电极连接微带线（107）与电学连接通孔（106）连接；所述外延衬底（101）的底面向内凹陷，裸露出底电极（102）的中部。
2.根据权利要求1所述的利用射频电感优化的单晶薄膜体声波谐振器滤波器，其特征在于，所述外延衬底（101）为单晶硅晶圆或GaN抛光晶圆。
3.根据权利要求1所述的利用射频电感优化的单晶薄膜体声波谐振器滤波器，其特征在于，所述底电极（102）的厚度为30nm-1μm；所述底电极（102）为Mo、Ti、Cu、Al、Au、Ag中的一种；所述底电极（102）的数量为2个；从俯视角度看，所述底电极（102）为各边不相互平行的五边形。
4.根据权利要求1所述的利用射频电感优化的单晶薄膜体声波谐振器滤波器，其特征在于，所述压电薄膜（103）为AlN压电层；所述压电薄膜...
【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，张铁林，刘红斌，衣新燕，刘鑫尧，赵利帅，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东;44
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