【技术实现步骤摘要】
一种薄膜压电声波谐振器、滤波器及电子设备
本专利技术涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种薄膜压电声波谐振器、滤波器及电子设备。
技术介绍
自从射频通讯技术在上世纪90代初被开发以来，射频前端模块已经逐渐成为通讯设备的核心组件。在所有射频前端模块中，滤波器已成为增长势头最猛、发展前景最大的部件。随着无线通讯技术的高速发展，5G通讯协议日渐成熟，市场对射频滤波器的各方面性能也提出了更为严格的标准。滤波器的性能由组成滤波器的谐振器单元决定。在现有的滤波器中，薄膜体声波谐振器其体积小、插入损耗低、带外抑制大、品质因数高、工作频率高、功率容量大以及抗静电冲击能力良好等特点，成为最适合5G应用的滤波器之一，包括薄膜空腔体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator,FBAR)和表面固定体声波谐振器(SurfaceMountedResonatorSMR)。通常，薄膜体声波谐振器包括两个薄膜电极，并且两个薄膜电极之间设有压电薄膜层，其工作原理为利用压电薄膜层在交变电场下产生振动，该振动激励出沿压电薄膜层厚度方向传播...
【技术保护点】
1.一种薄膜压电声波谐振器，其特征在于，包括：从上至下依次叠置的上电极、压电层和下电极；/n在有效谐振区所述上电极、压电层和下电极依次重叠，且所述有效谐振区在所述压电层方向上的投影为六边形；/n所述六边形具有长度最长的第一边、与所述第一边相对的第二边，长度最短的第三边、与所述第三边相对的第四边；/n通过所述有效谐振区的第一边界延伸出所述有效谐振区的上电极定义为上电极引出部，通过所述有效谐振区的第二边界延伸出所述有效谐振区的下电极定义为下电极引出部；所述第一边界和所述第二边界其中之一为为所述第一边，另一为所述第二边；/n第一外部信号连接端、与所述上电极引出部连接，第二外部信号...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜压电声波谐振器，其特征在于，包括：从上至下依次叠置的上电极、压电层和下电极；
在有效谐振区所述上电极、压电层和下电极依次重叠，且所述有效谐振区在所述压电层方向上的投影为六边形；
所述六边形具有长度最长的第一边、与所述第一边相对的第二边，长度最短的第三边、与所述第三边相对的第四边；
通过所述有效谐振区的第一边界延伸出所述有效谐振区的上电极定义为上电极引出部，通过所述有效谐振区的第二边界延伸出所述有效谐振区的下电极定义为下电极引出部；所述第一边界和所述第二边界其中之一为为所述第一边，另一为所述第二边；
第一外部信号连接端、与所述上电极引出部连接，第二外部信号连接端，与所述下电极引出部连接；
位于第三边处的第一开口，在有效谐振区外侧贯穿所述上电极、压电层和下电极；
位于第四边处的第二开口，在有效谐振区外侧贯穿所述上电极、压电层和下电极。
2.如权利要求1所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述压电层的材料具有晶格结构，所述晶格结构具有六边形晶面。
3.如权利要求2所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述六边形晶面的各个内角与六边形有效谐振区的各个内角基本相同。
4.如权利要求2所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述压电层的材料具有六方晶格结构。
5.如权利要求4所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述六边形的最大内角不超过140度，最小内角不小于100度。
6.如权利要求4所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述六边形的的三组对边两两平行或近似平行，内角均为120度，且相互平行或近似平行的对边不等长。
7.如权利要求4所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述压电层的材料包括：氮化铝，其C轴与压电层平面近乎垂直。
8.如权利要求7所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述压电层上下表面保持相对平行，并与所述C轴垂直。
9.如权利要求1所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述六边形包括至少一对相互平行或近似平行的对边，相互平行或近似平行的对边等长或不等长。
10.如权利要求9所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述第一边和所述第二边为相互平行或近似平行的对边。
11.如权利要求10所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述述第一边和所述第二边不等长。
12.如权利要求10所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述第二边为所述六边形的次长边。
13.如权利要求9或10所述的薄膜压电声波谐振器，其特征在于，所述第三边...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄河，罗海龙，李伟，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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