【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器及其制造方法
本专利技术涉及谐振器
，更具体地，涉及一种体声波谐振器及其制造方法
技术介绍
自模拟射频通讯技术在上世纪90代初被开发以来，射频前端模块已经逐渐成为通讯设备的核心组件。在所有射频前端模块中，滤波器已成为增长势头最猛、发展前景最大的部件。随着无线通讯技术的高速发展，5G通讯协议日渐成熟，市场对射频滤波器的各方面性能也提出了更为严格的标准。滤波器的性能由组成滤波器的谐振器单元决定。在现有的滤波器中，薄膜体声波谐振器(FBAR)因其体积小、插入损耗低、带外抑制大、品质因数高、工作频率高、功率容量大以及抗静电冲击能力良好等特点，成为最适合5G应用的滤波器之一。通常，薄膜体声波谐振器包括两个薄膜电极，并且两个薄膜电极之间设有压电薄膜层，其工作原理为利用压电薄膜层在交变电场下产生振动，该振动激励出沿压电薄膜层厚度方向传播的体声波，此声波传至上下电极与空气交界面被反射回来，进而在薄膜内部来回反射，形成震荡。当声波在压电薄膜层中传播正好是半波长的奇数倍时，形成驻波震荡。但是，目前制作出的空腔型...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：/n压电叠层；/n位于压电叠层上的介质层，所述介质层中设有贯穿介质层的空腔；/n位于介质层上的基板，所述基板覆盖所述介质层；/n位于基板中的伪腔，所述伪腔贯穿所述基板，且所述伪腔延伸至所述空腔外围的介质层中；/n位于介质层中的气压平衡孔，所述气压平衡孔连通所述伪腔和所述空腔。/n
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：
压电叠层；
位于压电叠层上的介质层，所述介质层中设有贯穿介质层的空腔；
位于介质层上的基板，所述基板覆盖所述介质层；
位于基板中的伪腔，所述伪腔贯穿所述基板，且所述伪腔延伸至所述空腔外围的介质层中；
位于介质层中的气压平衡孔，所述气压平衡孔连通所述伪腔和所述空腔。
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述压电叠层包括第一电极、位于第一电极上的压电层和位于压电层上的第二电极。
3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述气压平衡孔位于介质层和基板之间。
4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述气压平衡孔位于介质层和压电叠层之间。
5.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述空腔的宽度为100um～400um，所述伪腔的宽度为20um～50um。
6.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，还包括第二绝缘层，设置在除所述空腔所在区域以外的所述第二电极与所述介质层之间，所述第二绝缘层包括氧化硅、氮化硅中的任意一种或两种组合。
7.根据权利要求6所述的体声波谐振器，其特征在于，所述压电叠层还包括调频层，所述调频层包括第一调频层和第二调频层，所述第一调频层设置于所述第一电极远离压电层的一侧表面，所述第二调频层设置于所述第二绝缘层与第二电极之间；
所述第一调频层和/或所述第二调频层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝和氮化铝中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其特征在于，还包括：位于所述空腔、气压平衡孔和伪腔的外围区域的第一构件连接孔和第二构件连接孔，所述第一构件连接孔贯穿所述第一调频层并暴露所述第一电极的局部；所述第二构件连接孔贯穿所述基板、所述介质层、所述第二绝缘层以及所述第二调频层并暴露出所述第二电极的局部。
9.根据权利要求8所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一构件连接孔和第二构件连接孔底部分别设有金属焊盘。
10.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述气压平衡孔的垂向宽度为所述气压平衡孔的横向长度为
11.一种体声波谐振器的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，在所述衬底上形成压电叠层；
在所述压电叠层上形成介质层；
在所述介质层中形成贯穿所述介质层的空腔；
在所述介质层中形成气压平衡孔，所述气压平衡孔与所述空腔连通；
提供基板；
将所述基板覆盖于所述介质层之上；
在所述基板中形成贯穿所述基板的伪腔，所述伪腔延伸至所述空腔外围的所述介...
【专利技术属性】
技术研发人员：周春宇，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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