一种超小型径向玻璃封装热敏电阻及其制作方法技术

技术编号:26602671 阅读:28 留言:0更新日期:2020-12-04 21:26
本发明专利技术提供了一种超小型径向玻璃封装热敏电阻的制作方法,包括以下步骤:S1、将两根引线穿设于瓷柱,两根引线平齐并露出瓷柱外;S2、将两根引线露出瓷柱一端沾银浆;S3、将热敏芯片装填至两根引线之间,热敏芯片两电极端分别与引线沾银浆端连接,经烧结后形成半成品;S4、制备玻璃浆料并涂在S3的半成品表面;S5、加热烘干,使表面的玻璃浆料得到初步固化;S6、将S5得到的初步固化品进行450℃低温烧结,形成带玻璃层的热敏电阻半成品;S7、选取两个经PI液浸泡过的PI管,分别安装至S5的热敏电阻半成品的引线上,PI管一端进入瓷柱的通孔内,之后加热进行PI液固化得到热敏电阻成品。本发明专利技术制成产品能适应更小尺寸,成本低、密封性良好、抗外力强度高。

【技术实现步骤摘要】
一种超小型径向玻璃封装热敏电阻及其制作方法
本专利技术涉及一种玻璃封装热敏电阻,尤其涉及一种超小型径向玻璃封装热敏电阻及其制作方法。
技术介绍
随着热敏电阻应用领域的不断扩张,小型化趋势的不断发展以及人们对热敏电阻加工方式的多样化需求,传统径向玻璃封装结构的NTC热敏电阻,将面临极其严峻的挑战,传统径向玻璃封装方法已进入新的技术瓶颈。传统径向玻璃封装结构的热敏电阻采用的是玻壳封装(如图1所示,10-1、10-2引线,10-1、10-2银浆,30热敏芯片,40玻璃浆料),封装后热敏电阻尺寸一方面受各厂家玻壳尺寸规格影响,封装尺寸较为固定(通常为φ2.0mm、φ1.5mm、φ1.3mm等),难以实现根据使用空间制定外形尺寸,尺寸偏差为±0.15mm,外观一致性较差,当运用于特定需求的应用领域,其后续加工也产生一定影响。另一方面受玻壳自身物理特性影响,结合产品本身特性,传统径向玻璃封装方法是在650~700℃的高温下将玻壳在烧成过程经高温软化后,熔融状态的玻壳受重力影响会向下流动,最终形成水滴状玻封外观,在此温度区间下烧成存在产品上半部分棱角处出现玻璃层偏薄、芯片玻璃封装不完全现象进而导致绝缘不良,玻璃层厚度不均匀现象;同时在烧成过程中产品内部应力相对较大,导致产品磁体部分与玻璃层收缩差异较大,影响磁体与玻璃的结合性能进而影响密封性能和阻值集中度。当低于650℃或高于700℃进行烧成时,以上问题发生概率将会大幅提升。并且随着头部玻璃体积的变小,抗外力强度降低,两引线间距逐步减小,两引线电气间隙缩小,在生产应用过程中极易发生玻璃层破裂风险和引线短接风险,从而造成产品质量风险和生产难度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术之缺陷,提供了一种操作方便、快捷、低成本、密封性良好、抗外力强度高能适应更小尺寸的径向玻璃封装NTC热敏电阻制作方法。本专利技术是这样实现的:本专利技术提供一种超小型径向玻璃封装热敏电阻制作方法,包括以下步骤:S1、将两根引线穿设于瓷柱,两根引线平齐并露出瓷柱外;S2、将两根引线露出瓷柱一端沾银浆;S3、将热敏芯片装填至两根引线之间,热敏芯片两电极端分别与引线沾银浆端连接,经烧结后形成半成品;S4、制备玻璃浆料,并将玻璃浆料涂在S3的半成品表面;S5、将S4的半成品加热烘干,使其表面的玻璃浆料得到初步固化;S6、将S5得到的初步固化品进行450℃低温烧结,形成带玻璃层的热敏电阻半成品;S7、选取两个经PI液浸泡过的PI管,分别安装至S5的热敏电阻半成品的引线上,并且PI管一端进入瓷柱的通孔内,之后加热进行PI液固化得到热敏电阻成品。进一步地,S4中玻璃浆料的成分为:玻璃粉、六偏磷酸钠、粘结剂以及有机溶剂。进一步地,S4中玻璃浆料的制备方法为:S41、称取200~230g玻璃粉、2~3g六偏磷酸钠、76~78g粘结剂以及60~63g有机溶剂,混合均匀;S42、用容器盛装S41中混合料并加入1/3-1/2容器体积的锆球,再将其密封使用球磨机搅拌混合均匀,然后使用200目网纱过筛分离锆球和玻璃浆料。进一步地,所述有机溶剂为醋酸正丙酯与异丁醇的混合物。进一步地,S4中玻璃浆料采用流体喷涂方式涂在热敏芯片和瓷柱之间的区域。进一步地,所述引线露出瓷柱端长1mm。进一步地,所述S3烧结温度为100℃,S5固化温度为100℃,S7固化温度为150℃。进一步地,所述引线为杜镁丝,所述瓷柱为氧化铝瓷柱。本专利技术还提供一种由上述制作方法制作的超小型径向玻璃封装热敏电阻。瓷柱与热敏芯片的距离保持在0.50-1.00mm本专利技术具有以下有益效果:1、本专利技术通过玻璃浆料固化后将热敏芯片、杜镁丝引线和氧化铝陶瓷柱融合成一体,进一步的通过氧化铝陶瓷柱的自身抗压强度和其固定两根杜镁丝引线使热敏电阻在抗拉、抗压强度上得到提升,通过PI液固化后将PI管固定于两根引线上,从而更进一步的提升热敏电阻自身绝缘性能。2、本专利技术采用450℃低温烧结,有效减小玻璃烧制过程中产品磁体部分的的内应力和提升阻值集中度,烧结后玻璃浆料材质更为致密,磁体与玻璃可以更好的结合在一起,起到一个更佳的密封作用。3、本专利技术玻璃浆料原料中以玻璃粉为主要原料,加入少许粘结剂以保证玻璃浆料在喷涂到超小型玻璃封装NTC热敏电阻表面后能够较好的吸附在表面,同时加入六偏磷酸钠可以让玻璃粉体充分、均匀的分散在溶剂中,不仅保证了喷涂后径向玻璃封装NTC热敏电阻表面玻璃层的平整性,还使其避免了在高温烧结过程中因重力影响造成软化后玻璃向下流挂造成的产品上端棱角处玻璃层偏薄、玻璃封装不完全现象。4、本专利技术是以玻璃浆料形式喷涂在产品表面,涂布的均匀性好,且玻璃浆料与热敏芯片粘附性高,浆料层厚度较薄(30~40微米),也可根据尺寸调整浆料厚度,因触变性良好在烧制时其所受的重力影响很小。5、本专利技术采用的有机组分多为无机盐类、有机醇类跟酯类芳香烃混合配置而成,可直接用手接触,为操作员工提供一个安全的作业环境;可避免对大气土壤和水体造成污染。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为现有技术中热敏电阻的结构示意图;图2为本专利技术实施例中超小型径向玻璃封装热敏电阻的结构示意图。图中:1-1、1-2杜镁丝;2-1、2-2PI管;3氧化铝陶瓷柱;4-1、4-2银浆;5热敏芯片;6玻璃浆料。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本专利技术保护的范围。如图2所示,本专利技术实施例提供一种超小型径向玻璃封装热敏电阻制作方法,包括以下步骤:S1、将两根引线穿设于瓷柱,两根引线平齐并露出瓷柱外,其中引线露出瓷柱端长1mm;S2、将两根引线露出瓷柱一端沾银浆;S3、将热敏芯片装填至两根引线之间,热敏芯片两电极端分别与引线沾银浆端连接,经烧结后形成半成品;S4、制备玻璃浆料,玻璃浆料采用流体喷涂方式涂在热敏芯片和瓷柱之间的区域;S4中玻璃浆料的制备方法为:S41、称取200~230g玻璃粉、2~3g六偏磷酸钠、76~78g粘结剂以及60~63g有机溶剂,混合均匀,有机溶剂为醋酸正丙酯与异丁醇的混合物;S42、用容器盛装S41中混合料并加入1/3-1/2容器体积的锆球,再将其密封使用球磨机搅拌混合均匀,然后使用200目网纱过筛分离锆球和玻璃浆料。玻璃浆料原料中以玻璃粉为主要原料本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种超小型径向玻璃封装热敏电阻的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1、将两根引线穿设于瓷柱,两根引线平齐并露出瓷柱外;/nS2、将两根引线露出瓷柱一端沾银浆;/nS3、将热敏芯片装填至两根引线之间,热敏芯片两电极端分别与引线沾银浆端连接,经烧结后形成半成品;/nS4、制备玻璃浆料,并将玻璃浆料涂在S3的半成品表面;/nS5、将S4的半成品加热烘干,使其表面的玻璃浆料得到初步固化;/nS6、将S5得到的初步固化品进行450℃低温烧结,形成带玻璃层的热敏电阻半成品;/nS7、选取两个经PI液浸泡过的PI管,分别安装至S5的热敏电阻半成品的引线上,并且PI管一端进入瓷柱的通孔内,之后加热进行PI液固化得到热敏电阻成品。/n

【技术特征摘要】
1.一种超小型径向玻璃封装热敏电阻的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将两根引线穿设于瓷柱,两根引线平齐并露出瓷柱外;
S2、将两根引线露出瓷柱一端沾银浆;
S3、将热敏芯片装填至两根引线之间,热敏芯片两电极端分别与引线沾银浆端连接,经烧结后形成半成品;
S4、制备玻璃浆料,并将玻璃浆料涂在S3的半成品表面;
S5、将S4的半成品加热烘干,使其表面的玻璃浆料得到初步固化;
S6、将S5得到的初步固化品进行450℃低温烧结,形成带玻璃层的热敏电阻半成品;
S7、选取两个经PI液浸泡过的PI管,分别安装至S5的热敏电阻半成品的引线上,并且PI管一端进入瓷柱的通孔内,之后加热进行PI液固化得到热敏电阻成品。


2.如权利要求1所述的超小型径向玻璃封装热敏电阻的制作方法,其特征在于,S4中玻璃浆料的成分为:玻璃粉、六偏磷酸钠、粘结剂以及有机溶剂。


3.如权利要求1所述的超小型径向玻璃封装热敏电阻的制作方法,其特征在于:S4中玻璃浆料的制备方法为:
S41、称取200~230g玻璃粉、2~3g六偏磷酸钠、76~78g粘结剂以及60~...

【专利技术属性】
技术研发人员:阳星易敏赵大春
申请(专利权)人:孝感华工高理电子有限公司
类型:发明
国别省市:湖北;42

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