【技术实现步骤摘要】
一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法
本专利技术涉及功能材料领域，具体涉及一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法；尤其涉及一种以VO2，Mg2V2O5为主要成分的常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法。
技术介绍
NTC热敏电阻它是一种负温度系数的热敏电阻，这种电阻值特性变现为随温度增大而减小。1940年以来，发现将某些过渡金属氧化物按照一定的比例混合，经过成型烧结以后，能够获得很大负电阻温度系数的半导体，这类氧化物半导体电阻温度系数在-(1-6)％/℃范围内。近年来研究NTC材料的有很多，有以氧化锌为主体材料的，也有以氧化锰为主体材料的。以二氧化钒为主体的玻璃态热敏电阻材料的研究却罕见报道。二氧化钒是一种典型的相变金属氧化物,单晶相变温度为68℃，继续升高温度，二氧化钒由半导体相转变为金属相，相变具有可逆性且存在着热滞。然而，在实际应用中要求其在室温热电阻温度系数(TCR)高，且没有热滞。目前国内外关于制备二氧化钒薄膜的研究有很多，物理制备方法可以分为直流磁控溅射，射频溅射法，脉冲激光沉积法、离子束增强沉积法...
【技术保护点】
1.一种常温NTC热敏电阻薄膜，其特征在于，所述薄膜是以VO
【技术特征摘要】
1.一种常温NTC热敏电阻薄膜，其特征在于，所述薄膜是以VO2，Mg2V2O5为主要成分的玻璃态多混合材料薄膜。
2.根据权利要求1所述的常温NTC热敏电阻薄膜，其特征在于，所述薄膜在-30℃～30℃条件下的电阻温度系数TCR为﹣(14％～5.5％)/℃，材料常数Bn为9100K～6200K，薄膜的电阻率为20～0.1Ω·cm。
3.一种如权利要求1所述的常温NTC热敏电阻薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上，采用磁控溅射镀膜或者离子束溅射镀膜，对还原性金属靶和五氧化二钒靶进行共溅射，制得所述常温NTC热敏电阻薄膜。
4.根据权利要求3所述的常温NTC热敏电阻薄膜的制备方法，其特征在于，所述还原性金属靶包括金属镁靶、铝靶或锂靶。
5.根据权利要求4所述的常温NTC热敏电阻薄膜的制备方法，其特征在于，加在金属镁靶和五氧化二钒靶上的功率比值为20～40:300。
6.根据权利要求3所述的常温NTC热敏电阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：付学成，程秀兰，王英，乌李瑛，权雪玲，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。