半导体器件及其制造方法技术

提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体图案、栅结构、第一间隔物、第一半导体层和第二半导体层。半导体图案可以形成在衬底上，并且可以在与衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，并可以在竖直方向上重叠。栅结构可以形成在衬底和半导体图案上。栅结构的至少一部分可以在竖直方向上形成在半导体图案之间。第一间隔物可以覆盖栅结构的相对侧壁，所述侧壁在第一方向上彼此相对。第一半导体层可以覆盖半导体图案在第一方向上的侧壁以及第一间隔物和衬底的表面。第一半导体层可以具有第一杂质浓度。第二半导体层可以形成在第一半导体层上，并且可以具有高于第一杂质浓度的第二杂质浓度。该半导体器件可以具有良好的特性和高可靠性。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法本申请要求于2019年5月27日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2019-0061794的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
示例实施例涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，示例实施例涉及具有竖直堆叠沟道的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
已经开发出了具有高集成度和高性能的多桥沟道MOSFET(MBCFET)。在用于形成MBCFET中的多桥沟道的工艺中，在多桥沟道的两侧形成的源/漏区的半导体材料可能被部分地去除，因此可能发生源/漏区的缺陷。
技术实现思路
示例实施例提供了一种具有良好特性的半导体器件。示例实施例提供了一种具有良好特性的半导体器件的制造方法。根据示例实施例，一种半导体器件可以包括半导体图案、栅结构、第一间隔物、第一半导体层和第二半导体层。半导体图案可以形成在衬底上，并且可以在与衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，并可以在竖直方向上重叠。栅结构可以形成在衬底和半导体图案上。栅结构的至少一部分可以在竖直方向上形成在半导体图案之间。第一间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n衬底上的半导体图案，所述半导体图案在与所述衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，并且在竖直方向上重叠；/n所述衬底和所述半导体图案上的栅结构，所述栅结构的至少一部分在竖直方向上形成于所述半导体图案之间；/n第一间隔物，覆盖所述栅结构的相对侧壁，所述侧壁在第一方向上彼此相对；/n第一半导体层，覆盖所述半导体图案在所述第一方向上的侧壁以及所述第一间隔物和所述衬底的表面，所述第一半导体层具有第一杂质浓度；以及/n所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层具有高于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度。/n

【技术特征摘要】
20190527 KR 10-2019-00617941.一种半导体器件，包括：
衬底上的半导体图案，所述半导体图案在与所述衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，并且在竖直方向上重叠；
所述衬底和所述半导体图案上的栅结构，所述栅结构的至少一部分在竖直方向上形成于所述半导体图案之间；
第一间隔物，覆盖所述栅结构的相对侧壁，所述侧壁在第一方向上彼此相对；
第一半导体层，覆盖所述半导体图案在所述第一方向上的侧壁以及所述第一间隔物和所述衬底的表面，所述第一半导体层具有第一杂质浓度；以及
所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层具有高于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一间隔物的至少一部分在半导体图案的边缘处接触所述半导体图案的上表面和下表面。


3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，对于每个半导体图案，所述半导体图案与所述第一间隔物接触的边缘部分在竖直方向上的第一厚度小于所述半导体图案不与所述第一间隔物接触的部分在竖直方向上的第二厚度。


4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，与所述栅结构和所述半导体图案接触的所述第一间隔物具有在所述第一方向上朝向所述栅结构的中部的凹入倒圆形状。


5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅结构在所述第一方向上的最大宽度小于每个半导体图案在所述第一方向上的最大宽度。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述第一间隔物上以及在所述半导体图案在所述第一方向上的侧壁上形成的所述第一半导体层具有第一厚度，并且在所述衬底的表面上形成的所述第一半导体层具有大于所述第一厚度的第二厚度。


7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在竖直方向上彼此间隔开的所述半导体图案用作半导体图案结构，并且多个半导体图案结构在所述第一方向和第二方向中的每个方向上彼此间隔开，所述第二方向垂直于所述第一方向。


8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层具有连续连接的形状，以覆盖所述半导体图案结构中的所述半导体图案和所述第一间隔物的侧壁以及所衬述底，并且其中所述第二半导体层填充所述第一方向上彼此相邻的所述半导体图案之间的空间。


9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述栅结构与所述半导体图案结构中包括的所述半导体图案在所述第二方向上的侧表面接触，并且所述栅结构在所述第二方向上延伸。


10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一间隔物的外壁被设置为在竖直方向上与所述半导体图案的侧壁对准。


11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一间隔物的外壁在所述第一方向上从所述半导体图案的侧壁向内凹入。


12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅结构还形成在最上面的半导体图案上，并且还包括在形成于所述最上面的半导体图案上的所述栅结构在所述第一方向上的侧壁上的第二间隔物。


13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一间隔物包括氮化硅、氮碳化硅、氮化硅硼和氮氧化硅中的至少一种。


14.一种半导体器件，包括：
形成在衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括半导体图案、栅结构和第一间隔物，并且所述半导体图案和所述第一间隔物在所述堆叠结构在与所述衬底的上表面平行的第一方向上的外壁处被暴露；
第一半导体层，覆盖所述堆叠结构在所述第一方向上的外壁并覆盖所述衬底的表面，所述第一半导体层掺杂有第一浓度的杂质；以及
所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层掺杂有第二浓度的杂质，所述第二浓度高...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹荣大，张星旭，郑秀珍，金正泽，李始炯，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR