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提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体图案、栅结构、第一间隔物、第一半导体层和第二半导体层。半导体图案可以形成在衬底上，并且可以在与衬底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，并可以在竖直方向上重叠。栅结构可以形成在衬底和半...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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