【技术实现步骤摘要】
监控退火工艺稳定性的方法
本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种监控退火工艺稳定性的方法。
技术介绍
目前的集成电路制造工艺包括很多道制造工序，例如包括沉积、光刻、刻蚀、离子注入、平坦化等，以基于一晶圆来形成相应的半导体器件。而在这些制造工序中，通常还会为了修复离子注入损伤、激活掺杂离子、使非晶物结晶、形成硅化物、使晶格重排并消除应力等各种原因来对晶圆进行退火处理，退火处理的方法例如快速热退火工艺(rapidthermalannealing，RTA)等。在集成电路的制作过程中，任何工艺参数的波动都将可能导致形成的半导体器件的失效，显然，各道退火工艺的稳定性（即各道退火工序所使用的退火机台的稳定性）会直接影响半导体器件的性能，因此对退火工艺的稳定性进行监测，是非常必要的。目前常规的用于监控退火工艺稳定性的方法是：对退火工艺处理后的监控片进行方块电阻量测，且通常使用四探针法来量测方块电阻，准确度低，已经不能满足高性能产品的需要。因此，亟需改进监控退火工艺稳定性的方法，以满足高性能产品的需要。
【技术保护点】
1.一种监控退火工艺稳定性的方法，其特征在于，包括：/n提供晶圆监控片，在所述晶圆监控片的表面上形成待退火处理的膜层；/n对所述待退火处理的膜层进行退火处理；/n对退火处理后的具有所述膜层的晶圆监控片进行应力参数测量；/n根据所述应力参数测量结果，判断所述退火处理的工艺稳定性。/n
【技术特征摘要】
1.一种监控退火工艺稳定性的方法，其特征在于，包括：
提供晶圆监控片，在所述晶圆监控片的表面上形成待退火处理的膜层；
对所述待退火处理的膜层进行退火处理；
对退火处理后的具有所述膜层的晶圆监控片进行应力参数测量；
根据所述应力参数测量结果，判断所述退火处理的工艺稳定性。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待退火处理的膜层包括掺杂多晶硅薄膜、呈非晶状态且在退火处理后能变为晶态的薄膜、离子注入损伤能通过退火处理修复的膜层、通过退火处理能转变为硅化物的膜层、在退火处理后能发生晶格重排的膜层中的至少一种。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述待退火处理的膜层为掺杂多晶硅薄膜时，在所述晶圆监控片的表面上形成所述待退火处理的膜层的步骤包括：在所述晶圆监控片的正面和背面上形成未掺杂的多晶硅层；对所述未掺杂的多晶硅层进行N型或P型离子注入，以形成掺杂多晶硅薄膜；
或者，当所述待退火处理的膜层为掺杂多晶硅薄膜时，在所述晶圆监控片的表面上形成待退火处理的膜层的步骤包括：通过原位掺杂工艺在所述晶圆监控片的正面和背面上形成掺杂多晶硅薄膜。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在对所述待退火处理的膜层进行退火处理之后且在进行所述应力参数测量之前，先去除所述晶圆监控片的背面上的未掺杂的多晶硅层或者掺杂多晶硅薄膜。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述晶圆监控片的正面和背面上形成未掺杂的多晶硅层或者掺杂多晶硅薄膜之前，先在所述晶圆监控片的正面和背面上形成氧化层。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在对所述待退火处理的膜层进行退火处理之前，先对所述待退火处理的膜层进行第一次应力参数测量...
【专利技术属性】
技术研发人员：余忠寅，蔡丹华，刘鹏，
申请(专利权)人：中芯集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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