基板处理装置、反应管形状测定方法以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

基板的位置精度对在基板制得的膜的均匀性产生的影响增大，产生了如下状况：即使将基板与晶舟的中心轴对齐地插入反应管，也很难说放置于反应管的中心轴。因此，需要基于反应管等的实际的安装尺寸，将晶圆载置于适当的位置，提高处理的均匀性。因此，具有：晶舟(21)，其载置多个基板；处理炉(2)，其具有反应管(4)且晶舟插入反应管，进行对载置于晶舟的基板的成膜；以及基板移载机(125)，其将基板搬入晶舟，基板移载机以反应管的假想中心轴为基准将基板搬入晶舟。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、反应管形状测定方法以及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及基板处理装置，尤其涉及改善立式处理炉的成膜等的均匀性的基板处理装置、测定立式处理炉的反应管的形状的反应管形状测定方法以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
在基板处理装置的立式反应炉中，在对基板(晶圆)成膜时，将多个晶圆插入反应管，在预定的压力、温度条件下，流通反应气体进行成膜。为了确保良好的膜厚均匀性及膜质，基于加热器加热的晶圆面内温度及面间温度的温度均匀性、相对于晶圆的气流的均匀性非常重要。近年来，为了提高反应管的气体置换性，有时要求尽可能缩小晶圆的边缘与反应管内表面的间隙。在专利文献1中公开了如下示教技术：为了控制将基板移载至晶舟的机器人，对晶舟的位置、形状等进行测定。这样，为了向机器人示教每个基板处理装置、或者每个晶舟的微小的尺寸差(机械误差)，通常在装置的操作前仅进行一次。使机器人自身基于程序进行测定本身，这被称为自动示教。关于在半导体立式炉装置中将向晶舟移载基板的移载位置设为哪个位置是适当的，在专利文献1中没有记载。另外，专利文献2中公开了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：/n晶舟，其载置多个基板；/n处理炉，其具备反应管且上述晶舟插入上述反应管，进行对载置于上述晶舟的基板的成膜；以及/n基板移载机，其将基板搬入上述晶舟，/n上述基板移载机以上述反应管的假想中心轴为基准将基板搬入上述晶舟。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
晶舟，其载置多个基板；
处理炉，其具备反应管且上述晶舟插入上述反应管，进行对载置于上述晶舟的基板的成膜；以及
基板移载机，其将基板搬入上述晶舟，
上述基板移载机以上述反应管的假想中心轴为基准将基板搬入上述晶舟。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
具有控制上述基板移载机的控制器，
上述处理炉具有使插入于上述反应管的上述晶舟载置于旋转轴体上并旋转的旋转机构，
上述控制器基于预先计测出的上述旋转轴体的旋转轴与上述反应管的假想中心轴的差控制上述基板移载机，以使被上述基板移载机搬入到上述晶舟的基板的中心位置包含于上述晶舟的中心轴与上述反应管的假想中心轴之间且距离上述晶舟的中心轴满足预定以上的安全率的范围。


3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
在上述反应管的假想中心轴包含于距离上述晶舟的中心轴满足预定以上的安全率的上述范围的情况下，上述控制器控制上述基板移载机，以使被上述基板移载机搬入到上述晶舟的基板的中心位置成为上述反应管的假想中心轴。


4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，
上述反应管具有双重管构造，上述双重管构造具有内管和外管，
上述反应管的假想中心轴是通过以上述旋转轴体的旋转轴为基准计测上述内管的内表面的形状而求出。


5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，
上述旋转轴体具有使上述反应管的内外连通且与上述旋转轴体的旋转轴同轴的开口，
上述控制器使用基于传感器的数据决定的上述假想中心轴，上述传感器从上述开口插入，并获得上述内管的内表面的形状。


6.一种反应管形状测定方法，其在具有处理炉的基板处理装置中测定上述反应管的形...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹胁基哉，谷山智志，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP