半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序制造方法及图纸

本发明专利技术通过多次重复下述循环，在基板上形成非化学计量组成的氧化硅膜，所述循环非同时地进行：(a)对基板供给伪催化剂，使其吸附在基板的表面上的工序，(b)对基板供给氢化硅，通过吸附在基板表面上的伪催化剂的作用，使氢化硅中所含的硅吸附在基板表面上的工序，和(c)在不产生原子状氧的条件下，对基板供给氧化剂，使吸附在基板表面上的硅氧化的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序
本专利技术涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序。
技术介绍
作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时进行在基板上形成氧化硅膜的处理(参照例如专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-066587号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于提供一种能够提高在基板上形成的氧化硅膜的膜质的技术。解决课题的方法根据本专利技术的一个方案，提供一种技术，其通过将下述循环多次重复，在基板上形成非化学计量组成的氧化硅膜，所述循环非同时地进行(a)对上述基板供给伪催化剂，使其吸附在上述基板的表面上的工序，(b)对上述基板供给氢化硅，通过吸附在上述基板的表面上的上述伪催化剂的作用，使上述氢化硅中所含的硅吸附在上述基板的表面上的工序，和(c)在不产生原子状氧的条件下，对上述基板供给氧化剂，使吸附在上述基板的表面上的硅氧化的工序。专利技术效果根据本专利技术，能够提高在基板上形成的氧化硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，具有通过多次重复下述循环，在基板上形成非化学计量组成的氧化硅膜的工序，所述循环非同时地进行：(a)对所述基板供给伪催化剂，使其吸附在所述基板的表面上的工序，(b)对所述基板供给氢化硅，通过吸附在所述基板的表面上的所述伪催化剂的作用，使所述氢化硅中所含的硅吸附在所述基板的表面上的工序，和(c)在不产生原子状氧的条件下，对所述基板供给氧化剂，使吸附在所述基板的表面上的硅氧化的工序。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180427 JP 2018-0876971.一种半导体装置的制造方法，具有通过多次重复下述循环，在基板上形成非化学计量组成的氧化硅膜的工序，所述循环非同时地进行：(a)对所述基板供给伪催化剂，使其吸附在所述基板的表面上的工序，(b)对所述基板供给氢化硅，通过吸附在所述基板的表面上的所述伪催化剂的作用，使所述氢化硅中所含的硅吸附在所述基板的表面上的工序，和(c)在不产生原子状氧的条件下，对所述基板供给氧化剂，使吸附在所述基板的表面上的硅氧化的工序。


2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述氧化硅膜中硅原子数相对于氧原子数的比例大于化学计量组成的氧化硅膜中硅原子数相对于氧原子数的比例。


3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述氧化硅膜是由通式SiOx表示的物质，1.5≦x≦1.9。


4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述氧化硅膜是由通式SiOx表示的物质，1.6≦x≦1.8。


5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述伪催化剂不发生气相分解的条件下进行(a)、(b)和(c)。


6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述伪催化剂含有卤素，在(a)中，所述基板表面以卤素为末端。


7.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述伪催化剂是卤化硼。


8.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述循环在进行(a)之后、进行(b)之前，还包括将漂浮在存在所述基板的空间中的所述伪催化剂除去的工序。


9.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述伪催化剂吸附在所述基板的表面上且所述催化剂不漂浮在存在所述基板的空间中的状态下，进行(b)。


10.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
(a)中，通过吸附在所述基板的表面上的所述伪催化剂的作用，使由所述氢化硅分解而生成的中间体中所含的硅吸附在所述基板的表面上。


11.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述氢化硅是由通式SinH2n+2表示的化合物，n为1以上的整数。


12.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述氢化硅是SiH4和Si2H6中的至少任一种。


13.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：中谷公彦，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP