用于气相沉积含钛膜的形成含钛膜的组合物制造技术

披露了包含含卤化钛的前体的形成含钛膜的组合物。还披露了合成并且使用所披露的前体经由气相沉积工艺在一个或多个基板上沉积含钛膜的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于气相沉积含钛膜的形成含钛膜的组合物相关申请的交叉引用本申请要求于2018年5月1日提交的美国申请号15/968,099的优先权，该申请是2017年11月30日提交的美国申请号15/827,783的部分继续，其全部内容出于所有目的通过引用结合在此。
披露了包含含卤化钛的前体的形成含Ti膜的组合物。还披露了合成并且使用所披露的前体经由气相沉积工艺在一个或多个基板上沉积含钛膜的方法。
技术介绍
随着半导体装置的按比例缩小，需要具有高介电常数的新材料。化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)已被变成用于此类薄膜的主要沉积技术。CVD和ALD可以提供具有精细限定的厚度和高阶梯覆盖的不同膜(金属、氧化物、氮化物等)。在CVD和ALD中，前体分子起到获得具有高保形性和低杂质的高品质膜的关键作用。在高k电介质之中，钛基材料(诸如TiO2)非常有前途，无论用作纯氧化物或混合氧化物，还是用于层压体中。TiN可用于电极和/或Cu扩散阻挡应用。氧化钛也可用于其在光刻应用中的抗蚀刻特性，诸如用于硬掩模或间隔定义的多重图案化应用。硅化钛可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成含钛膜的组合物，该组合物包含具有下式的含卤化钛的前体：/nTiX

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171130 US 15/827,783;20180501 US 15/968,0991.一种形成含钛膜的组合物，该组合物包含具有下式的含卤化钛的前体：
TiXb:Ac
其中b＝3或4；c＝1-3；X＝Br或I；A＝SRR’、SeRR’、或TeRR’，并且R和R’独立地是H或C1-C5烃。


2.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，进一步包含在大约0％w/w与0.2％w/w之间、优选地在大约0％w/w与0.1％w/w之间的卤氧化物(TiX2(＝O))、羟基卤化物(TiX3(OH))、以及氧化物(TiO2)的混合物。


3.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，进一步包含在大约0％w/w与0.1％w/w之间的卤化氢(HX)。


4.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，进一步包含在大约0％w/w与5％w/w之间的烃溶剂或游离加合物。


5.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，进一步包含在大约0％w/w与5ppmw之间的H2O。


6.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，其中X是Br。


7.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，其中X是I。


8.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，其中A是SRR’。


9.如权利要求1所述的形成含钛膜的组合物，其中A是...

【专利技术属性】
技术研发人员：安东尼奥·桑切斯，让马克·吉拉尔，格里戈里·尼基福罗夫，尼古拉斯·布拉斯科，
申请(专利权)人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR