一种半导体制造用湿法氧化装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于半导体制造技术领域，涉及一种半导体制造用湿法氧化装置。包括扩散炉和水气供给管路，所述水气供给管路包括与氧气源连接的输氧管、与氮气源连接的输氮管、与去离子水源连接的去离子水输送管，所述输氧管和输氮管上设置有开关阀和流量控制阀，所述去离子水输送管上设有开关阀和水泵，所述输氧管和输氮管连接于扩散炉的进气口，所述去离子水输送管伸入扩散炉的炉膛内。相较于现有的湿法水汽氧化设备，本实用新型专利技术采用去离子水直接输送进入扩散炉中进行汽化，能够保证去离子水蒸汽供应量的稳定，从而保证半导体元器件上氧化层生长速率稳定，一致性较好，同时简化了设备结构，降低了成本，并杜绝了人员操作过程发生烫伤的安全隐患。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体制造用湿法氧化装置
本技术属于半导体制造
，涉及一种半导体制造用湿法氧化装置。
技术介绍
湿法水汽氧化是半导体制造工艺必不可少的工艺，现有的湿法水汽氧化设备使用的是电炉加热去离子水形成去离子水蒸汽，氧气输送进入电炉加热内与去离子水蒸汽混合，再输入进入扩散炉内，在半导体器件上进行氧化层的生长；由于电炉加热内去离子水蒸气的生成量受加热温度、去离子水体积和人工操作影响，去离子水蒸汽生成量是不稳定的，因此导致扩散炉内的水汽供应量不稳，造成半导体元器件氧化层生长速率不稳定，一致性、重复性差，同时，人工操作电炉加热过程有时会发生人员烫伤，具有一定的安全隐患。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有技术存在的问题提供一种水汽可控的半导体制造用湿法氧化装置。本技术的具体技术方案如下：一种半导体制造用湿法氧化装置，包括扩散炉和水气供给管路，其特征在于：所述水气供给管路包括与氧气源连接的输氧管、与氮气源连接的输氮管、与去离子水源连接的去离子水输送管，所述输氧管和输氮管上设置有开关阀和流量控制阀，所述去离子水输送管上设有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制造用湿法氧化装置，包括扩散炉（1）和水气供给管路，其特征在于：所述水气供给管路包括与氧气源连接的输氧管（2）、与氮气源连接的输氮管（3）、与去离子水源连接的去离子水输送管（4），所述输氧管（2）和输氮管（3）上设置有开关阀（5）和流量控制阀（6），所述去离子水输送管（4）上设有开关阀（5）和水泵（8），所述输氧管（2）和输氮管（3）连接于扩散炉（1）的进气口，所述去离子水输送管（4）伸入扩散炉（1）的炉膛内。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造用湿法氧化装置，包括扩散炉（1）和水气供给管路，其特征在于：所述水气供给管路包括与氧气源连接的输氧管（2）、与氮气源连接的输氮管（3）、与去离子水源连接的去离子水输送管（4），所述输氧管（2）和输氮管（3）上设置有开关阀（5）和流量控制阀（6），所述去离子水输送管（4）上设有开关阀（5）和水泵（8），所述输氧管（2）和输氮管（3）连接于扩散炉（1）的进气口，所述去离子水输送管（4）伸入扩散炉...

【专利技术属性】
技术研发人员：王昭，
申请(专利权)人：天水天光半导体有限责任公司，
类型：新型
国别省市：甘肃;62