半导体封装后期固化方法技术

本发明专利技术提供了半导体封装后期固化方法，包括以下步骤，S1低温入炉，将炉内温度加热到50℃，将产品放入，将炉内温度加热到175℃；S2高温固化，将炉内的温度控制在120‑175℃；S3炉内降温，将炉内的温度在40min内降低至50℃；S4出炉，将产品取出置于室温下冷却；本发明专利技术的有益效果：降低产品入炉的温度以及产品出炉的温度，使产品缓慢升温、降温，消除产品内应力，使分层不良比率从2.49％降低至0.6％；高温固化由恒温175℃持续120min经30min降温至恒温120℃持续120min；固化过程中，内应力逐渐释放，材料分层不良比率降低至0，降低了高温持续时间，节能；降低了产品出炉的温度，减少室温冷却时间，产品在PMC后期固化总时长相近，不会降低生产效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装后期固化方法
本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及半导体封装后期固化方法。
技术介绍
半导体器件的生产全过程通常分为圆片制造工艺和封测工艺两部分，一般封测工艺包括圆片减薄、背面蒸发、晶圆划片、装片、键合、封装、后期固化、高温贮存、去飞边、浸锡、切筋、测试分类、打印、包装等工序。常规工艺中，包括入炉、恒温以及出炉三个步骤，如图1所示，入炉的温度在150℃，将产品放入后，升温20min至175℃，再进入恒温175℃状态保持400min，最后产品在175℃的状态下出炉，在室温下冷却60min；在这种工艺下，产品产生分层的不良比率在2.49％左右，如何降低产品产生分层的不良比率是目前需要去解决的问题。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的不足，提供了半导体封装后期固化方法。本专利技术通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：半导体封装后期固化方法，包括以下步骤，S1低温入炉将炉内温度加热到50℃，将产品放入，将炉内温度加热到175℃；S2高温固化r>将炉内的温度控制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体封装后期固化方法，其特征在于：包括以下步骤，/nS1低温入炉/n将炉内温度加热到50℃，将产品放入，将炉内温度加热到175℃；/nS2高温固化/n将炉内的温度控制在120-175℃；/nS3炉内降温/n将炉内的温度在40min内降低至50℃；/nS4出炉/n将产品取出置于室温下冷却。/n

【技术特征摘要】
1.半导体封装后期固化方法，其特征在于：包括以下步骤，
S1低温入炉
将炉内温度加热到50℃，将产品放入，将炉内温度加热到175℃；
S2高温固化
将炉内的温度控制在120-175℃；
S3炉内降温
将炉内的温度在40min内降低至50℃；
S4出炉
将产品取出置于室温下冷却。


2.根据权利要求1所述的半导体封装后期固化方法，其特征在于：所述S1中将产品放入后，经27min加热至175℃。


3.根据权利要求1所述的半导体封装后期固化方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴贤斌，
申请(专利权)人：安徽大衍半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34