【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体霍尔元件，尤其涉及一种提高灵敏度的霍尔传感器。
技术介绍
1、霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔元件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高(可达1mhz)，耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
2、霍尔元件在一种实际应用场景下，是基于封装技术将传感器芯片及引脚框架封装在塑封壳内部，通过暴露出来的引脚进行连接使用。但是这种封装结构的霍尔元件在实际使用过程中通常都会具有灵敏度和响应时间这样的参数特性，用以评价霍尔元件的性能；而如何提高霍尔元件的性能，即提高灵敏度、降低响应时间也一致是本领域的技术人员一致致力研究的方向之一。
技术实现思路
1、本申请针对上述技术问题提出一种提高灵敏度的霍尔传感器，具体技术方案如下：
2、一种提高灵敏度的霍尔传感器，其特征在于，包括：
3、引脚框架层，所述引脚框架层包括衬底和布置在衬底两侧的键合区，所述衬底上设置有缺口；
4、传感器芯片，所述传感器芯片贴片式固定于衬底表面；
5、塑封壳，所述塑封壳包覆于引脚框架层和传感器芯片外部。
6、进一步的，所述衬底为导电金属片材。
7、进一步的，所述缺口由衬底的一侧向中心延伸形成。
8、进一步的，所述缺口在衬底上形成的边缘至少为弧形或多段线中的一种。
9、进一步的，所述缺
10、本专利技术的有益效果为：本专利技术将原有的基于to-92的封装形式的霍尔元件中衬底上开口后，使被测环境中的磁场在缺口处不经过衬底而直接作用在传感器芯片上，让传感器芯片检测到的磁通量的变化更接近于真实的变化量，另一方面，霍尔元件置于被测环境中的磁场中时，衬底上具有缺口使得衬底上感应生成的涡流电场也会变小，对被测环境中磁场的抵消也会变弱，从而有助于提高灵敏度、降低响应时长。
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1.一种提高灵敏度的霍尔传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种提高灵敏度的霍尔传感器，其特征在于，所述衬底为导电金属片材。
3.根据权利要求1所述的一种提高灵敏度的霍尔传感器，其特征在于，所述缺口由衬底的一侧向中心延伸形成。
4.根据权利要求1所述的一种提高灵敏度的霍尔传感器，其特征在于，所述缺口在衬底上形成的边缘至少为弧形或多段线中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种提高灵敏度的霍尔传感器，其特征在于，所述缺口在衬底上形成的边缘为锯齿状。
【技术特征摘要】
1.一种提高灵敏度的霍尔传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种提高灵敏度的霍尔传感器，其特征在于，所述衬底为导电金属片材。
3.根据权利要求1所述的一种提高灵敏度的霍尔传感器，其特征在于，所述缺口由衬底的一侧向中心...
【专利技术属性】
技术研发人员：田剑彪，陈永锋，
申请(专利权)人：安徽大衍半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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