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本发明提供了半导体封装后期固化方法，包括以下步骤，S1低温入炉，将炉内温度加热到50℃，将产品放入，将炉内温度加热到175℃；S2高温固化，将炉内的温度控制在120‑175℃；S3炉内降温，将炉内的温度在40min内降低至50℃；S4出炉，...
该专利属于安徽大衍半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大衍半导体科技有限公司授权不得商用。

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