化学气相沉积装置以及氮化钨薄膜的沉积方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种化学气相沉积装置以及一种氮化钨薄膜的沉积方法，其中，所述化学气相沉积装置包括：反应腔室、支撑结构、以及气体喷洒部件和气体补偿部件；所述支撑结构，设置在所述反应腔室中；所述支撑结构的上表面用于支撑需要沉积薄膜的衬底；所述气体喷洒部件，设置在所述反应腔室上部并与所述支撑结构的所述上表面相对，以向所述支撑结构所支撑的衬底的表面喷洒第一前驱物和第二前驱物；所述气体补偿部件，设置在所述反应腔室下部；所述气体补偿部件从所述支撑结构的下方朝向所述支撑结构的边缘供应第一前驱物。

【技术实现步骤摘要】
化学气相沉积装置以及氮化钨薄膜的沉积方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种化学气相沉积装置以及氮化钨薄膜的沉积方法。
技术介绍
薄膜沉积工艺是半导体工艺中非常重要的一个环节，决定了最终产品中各膜层结构的生长质量。作为一种常用的薄膜沉积工艺，化学气相沉积(CVD)是通过化学反应在诸如半导体晶圆之类的目标衬底上形成薄膜的工艺；具体工艺中，通过在高温高压条件下，将前驱物气体注入到化学气相沉积装置的反应腔室中，通过化学反应生长化合物薄膜。在存储器件中，字线(WL，或称“栅极”)或位线(BL)通常采用导电材料形成，诸如钨(W)、氮化钨(WN)或其它导电材料。其中，在沉积形成氮化钨薄膜时，一般需要提供含氮和含钨的两种前驱物，含氮的前驱物例如氨气(NH3)，含钨的前驱物例如六氟化钨(WF6)。在沉积过程中，前驱物的供应均匀性直接影响最终形成薄膜的均匀性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种化学气相沉积装置以及氮化钨薄膜的沉积方法。为达到上述目的，本专利技术的技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括：反应腔室、支撑结构、以及气体喷洒部件和气体补偿部件；其中，/n所述支撑结构，设置在所述反应腔室中；所述支撑结构的上表面用于支撑需要沉积薄膜的衬底；/n所述气体喷洒部件，设置在所述反应腔室上部并与所述支撑结构的所述上表面相对，以向所述支撑结构所支撑的衬底的表面喷洒第一前驱物和第二前驱物；/n所述气体补偿部件，设置在所述反应腔室下部；所述气体补偿部件从所述支撑结构的下方朝向所述支撑结构的边缘供应第一前驱物。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括：反应腔室、支撑结构、以及气体喷洒部件和气体补偿部件；其中，
所述支撑结构，设置在所述反应腔室中；所述支撑结构的上表面用于支撑需要沉积薄膜的衬底；
所述气体喷洒部件，设置在所述反应腔室上部并与所述支撑结构的所述上表面相对，以向所述支撑结构所支撑的衬底的表面喷洒第一前驱物和第二前驱物；
所述气体补偿部件，设置在所述反应腔室下部；所述气体补偿部件从所述支撑结构的下方朝向所述支撑结构的边缘供应第一前驱物。


2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一前驱物为氨气；所述第二前驱物为六氟化钨气体。


3.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，还包括：环形结构；
所述环形结构位于所述支撑结构的边缘，所述环形结构与所述支撑结构的侧表面之间具有第一缝隙，所述环形结构与所述支撑结构的上表面之间具有第二缝隙，所述第一缝隙与所述第二缝隙连通；
所述气体补偿部件的出口与所述第一缝隙连通。


4.根据权利要求3所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述环形结构与所述支撑结构的下表面之间具有第三缝隙，所述第三缝隙与所述第一缝隙连通；
所述气体补偿部件的出口通过所述第三缝隙与所述第一缝隙连通。


5.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，
所述气体补偿部件还用于供应钝化气体。


6.一种氮化钨薄膜的沉积方法，其特征在于，所述方法包括：
将需要沉积氮化钨薄膜的衬底放入化学气相沉积装置的反应腔室内；
通过所...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊少游，程磊，谭力，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42