电声谐振器、具有增加的可用带宽的RF滤波器和制造电声谐振器的方法技术

提供了一种电声谐振器(EAR)，其允许在较宽频率范围内抑制横向模式的RF滤波器，以及提供了相应的RF滤波器和方法。谐振器具有压电材料上的电极结构(BB，EF)和横向声波导。波导具有中心激励区域(CEA)、陷阱条(TP)和屏障条(B)。中心激励区域与屏障条之间的波速的差(|VCEA‑VB|)确定了被抑制的横向模式的频率范围。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电声谐振器、具有增加的可用带宽的RF滤波器和制造电声谐振器的方法
本专利技术涉及电声谐振器、例如用于移动通信设备的RF滤波器，涉及具有增加的可用带宽的RF滤波器，并且涉及制造这种谐振器的方法。
技术介绍
电声谐振器利用声波并且具有压电材料和附接到压电材料的电极结构。电声谐振器可以组合以构建RF滤波器，用于从不需要的RF信号中选择需要的RF信号。RF滤波器的性能取决于电声谐振器的性能。期望的是，RF滤波器在通带内具有低插入损耗，并且在通带外具有高插入衰减。此外，优选地，通带与高衰减的频率范围之间的通带裙部在频率范围之间具有陡峭的过渡。SAW谐振器(SAW＝表面声波)建立了一种类型的电声谐振器。SAW谐振器具有叉指梳状电极结构，该电极结构具有连接到两个相对的汇流排中的一个汇流排上的电极指，以在RF信号与声波之间转换。所需的波模式沿着纵向方向传播，该纵向方向在相应压电材料的表面内定向并且主要垂直于电极指的延伸方向。相应地，电极指朝向横向方向延伸。尽管所需的波模式沿着纵向方向传播，但是由于波衍射，声波可能在偏离纵向方向的方向上传播。这可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电声谐振器，用于具有增加的带宽的带通滤波器，所述谐振器包括：/n-压电材料，/n-在所述压电材料上的电极结构，/n-横向声波导，所述横向声波导具有中心激励区域、位于所述中心激励区域侧面的陷阱条和位于所述陷阱条侧面的屏障条，/n其中/n-在所述中心激励区域中的波速是VCEA，/n-在所述陷阱条中的波速是VTP，/n-在所述屏障条中的波速是VB，/n并且对于期望的带宽Δf，0.5≤ΔV/(Δf*λ)≤1.5，/n并且ΔV＝abs(VB-VCEA)。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180419 DE 102018109346.21.一种电声谐振器，用于具有增加的带宽的带通滤波器，所述谐振器包括：
-压电材料，
-在所述压电材料上的电极结构，
-横向声波导，所述横向声波导具有中心激励区域、位于所述中心激励区域侧面的陷阱条和位于所述陷阱条侧面的屏障条，
其中
-在所述中心激励区域中的波速是VCEA，
-在所述陷阱条中的波速是VTP，
-在所述屏障条中的波速是VB，
并且对于期望的带宽Δf，0.5≤ΔV/(Δf*λ)≤1.5，
并且ΔV＝abs(VB-VCEA)。


2.根据前一项权利要求所述的谐振器，其中
0.9≤ΔV/(Δf*λ)≤1.1，或者
ΔV/(Δf*λ)＝1。


3.根据前述权利要求中的一项所述的谐振器，其中
-在凸慢度的情况下：VB＞VCEA，以及
-在凹慢度的情况下：VB＜VCEA。


4.根据前述权利要求中的一项所述的谐振器，其中ηCEA是所述中心激励区域中的金属化比，ηTP是所述陷阱条中的金属化比和/或ηB是所述屏障条中的金属化比，
以及
-所选择的ηCEA、ηTP和/或ηB的不同值的数量是1、2或3。


5.根据前述权利要求中的一项所述的谐振器，其中ηCEA是所述中心激励区域中的金属化比，ηTP是所述陷阱条中的金属化比，并且ηTP≠ηCEA。


6.根据前述权利要求中的一项所述的谐振器，进一步包括电介质材料，所述电介质材料沉积在所述中心激励区域中、所述陷阱条的区域中和/或所述屏障条的区域中。


7.根据前一项权利要求所述的谐振器，其中所述电介质材料包括：氮化硅，诸如Si3N4；氧化硅，诸如二氧化硅、诸如SiO2；和/或氧化铝，...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·许克，M·迈尔，
申请(专利权)人：RF三六零欧洲有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE