高频功率放大器制造技术

本发明专利技术涉及在相同金属板上，主要将放大用GaN类芯片与形成有其预匹配电路的GaAs类芯片通过导线而连接的高频功率放大器。本发明专利技术涉及的高频功率放大器通过将呈现减极性互感的耦合器设置于GaAs类芯片，从而能够抵消相邻的导线间的互感，能够抑制从GaN类芯片的栅极端子观察信号源时的二次谐波阻抗的相对于频率的扩展，能够将所期望的基波频带处的功率放大器的效率保持得高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频功率放大器
本专利技术涉及在同一金属板上，主要将使用了GaN类HEMT的放大用晶体管与形成有其预匹配电路的GaAs类半导体通过导线而连接的高频功率放大器。
技术介绍
近年来，发挥宽带隙的优点，使用了与以往的GaAs类晶体管、Si类LDMOS晶体管相比能够在更高的电源电压下进行动作的GaN类HEMT(高电子迁移率晶体管)的高频功率放大器在民用领域也逐渐普及。其主要领域之一是移动电话基站所使用的高频功率放大器。动作频率1～5GHz左右为主流，通常能够在28～50V的高电源电压下进行动作，因此与以往的GaAs类、Si类晶体管相比能够使用小栅极宽度的晶体管而实现相同输出功率。栅极宽度小会带来向标准阻抗即50Ω的阻抗匹配时的损耗降低或功率分配合成损耗的降低。因此，使用了GaN类HEMT的高频功率放大器与使用了GaAs类、Si类晶体管的放大器相比，具有能够实现高增益并且能够高效率地动作这样的优点(例如参照非专利文献1)专利文献1：日本特开2007－60616号专利文献2：日本特表2004－523172号非专利文献1：2016Pr本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频功率放大器，其具有：/n场效应晶体管，其具有栅极端子、源极端子和漏极端子，该场效应晶体管用于对高频基波信号进行放大；/n第1半导体芯片，其形成有所述场效应晶体管；/n预匹配电路，其具有所述场效应晶体管的输入侧基波匹配用的第1输入端子和第1输出端子；/n二次谐波短路用电容器，其具有所述场效应晶体管的输入侧二次谐波短路用端子；/n耦合器，其具有第2输入端子、第3输入端子、第2输出端子、以及第3输出端子，该第2输入端子与所述第1输出端子连接，该第3输入端子与所述输入侧二次谐波短路用端子连接，该第2输出端子输出来自所述第2输入端子的信号，该第3输出端子输出来自所述第3输入端子的信号，在从所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高频功率放大器，其具有：
场效应晶体管，其具有栅极端子、源极端子和漏极端子，该场效应晶体管用于对高频基波信号进行放大；
第1半导体芯片，其形成有所述场效应晶体管；
预匹配电路，其具有所述场效应晶体管的输入侧基波匹配用的第1输入端子和第1输出端子；
二次谐波短路用电容器，其具有所述场效应晶体管的输入侧二次谐波短路用端子；
耦合器，其具有第2输入端子、第3输入端子、第2输出端子、以及第3输出端子，该第2输入端子与所述第1输出端子连接，该第3输入端子与所述输入侧二次谐波短路用端子连接，该第2输出端子输出来自所述第2输入端子的信号，该第3输出端子输出来自所述第3输入端子的信号，在从所述第2输入端子和所述第3输入端子同时输入了信号的情况下，该耦合器呈现减极性互感；
第2半导体芯片，其形成有所述预匹配电路、所述二次谐波短路用电容器和所述耦合器；
第1导线，其将所述第2输出端子与所述栅极端子连接；以及
第2导线，其将所述第3输出端子与所述栅极端子连接，该第2导线与第1导线之间呈现加极性互感。


2.根据权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，
所述第1半导体芯片是GaN类HEMT芯片，所述第2半导体芯片是GaAs类芯片。


3.根据权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，
所述第1半导体芯片是GaN类HEMT芯片，所述第2半导体芯片是SOI芯片。


4.根据权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，
所述第1半导体芯片和所述第2半导体芯片都是GaAs类芯片。


5.根据权利要求1所述的高频功率放大器，其特征在于，
所述第2半导体芯片是IPD芯片。
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木善伸，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP