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本发明涉及在相同金属板上，主要将放大用GaN类芯片与形成有其预匹配电路的GaAs类芯片通过导线而连接的高频功率放大器。本发明涉及的高频功率放大器通过将呈现减极性互感的耦合器设置于GaAs类芯片，从而能够抵消相邻的导线间的互感，能够抑制从Ga...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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