一种光刻胶及其光刻工艺制造技术

本发明专利技术提供一种光刻胶，包括含酚树脂、溶剂和感光剂，其中溶剂为丙二醇甲醚醋酸脂与碳酸丙烯脂的混合溶剂。本发明专利技术还提供一种光刻胶的光刻工艺，包括：在基片衬底上喷涂本发明专利技术的光刻胶；将喷涂完光刻胶的基底进行真空干燥、烘烤、曝光和显影。本发明专利技术的光刻胶可以显著提升光刻胶的流平性，有效减轻光刻胶涂布后边缘堆积，解决基片衬底边缘光刻胶堆积导致的显影残留问题；本发明专利技术的光刻工艺能够改善光刻胶内部无规则的溢流，从而解决干燥后基底中间区域光刻胶膜厚均匀性差的问题，从而提升光刻胶的膜厚均匀性，提升芯片产品的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻胶及其光刻工艺
本专利技术属于半导体和微电子领域，尤其涉及一种光刻胶及其光刻工艺。
技术介绍
半导体工艺包括清洗、镀膜、光刻、刻蚀等工序，其中光刻工序又包含光刻胶涂布、预烤、曝光、显影等制程。光刻胶涂布是半导体行业中必不可少的一道工艺，常见的光刻胶涂布方式有旋涂法、狭缝式涂布、喷涂法、滚轮式涂布等。不管用何种方式涂布，由于光刻胶表面张力的原因，光刻胶涂布后的液膜存在向外溢流扩散的趋势，导致基底边缘都会有光刻胶堆积的问题，边缘光刻胶的膜厚偏厚，显影时造成光刻胶残留的问题。针对基底是硅晶圆、大尺寸玻璃等行业，边缘光刻胶堆积在基底边缘的无效区域，如图1所示，可通过后期洗边、或切割等方式来解决，不影响中间的有效功能区；但对于一些特殊基底的行业，如金属基压敏传感器芯片来说影响很大，基底需先加工成小片芯片再进行半导体制程，基底边缘没有无效区，如图2所示，光刻胶堆积造成的显影残留对产品的性能和良品率有致命的影响。CN103353209A公开的真空干燥工艺在抽真空的同时对基片衬底进行加热，但是挥发干燥速度较慢，需同时对基片衬底加热来提高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻胶，包括含酚树脂、溶剂和感光剂，其特征在于，所述溶剂为丙二醇甲醚醋酸脂与碳酸丙烯脂的混合溶剂。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶，包括含酚树脂、溶剂和感光剂，其特征在于，所述溶剂为丙二醇甲醚醋酸脂与碳酸丙烯脂的混合溶剂。


2.如权利要求1所述的光刻胶，其特征在于，所述混合溶剂中，丙二醇甲醚醋酸脂与碳酸丙烯脂的质量比为2～8∶1。


3.如权利要求1或2所述的光刻胶，其特征在于，所述光刻胶还包括添加剂；所述添加剂为表面活性剂、流平剂、消泡剂中的一种或两种以上。


4.如权利要求1或2所述的光刻胶，其特征在于，所述含酚树脂为酚醛树脂。


5.如权利要求1或2所述的光刻胶，其特征在于，所述感光剂为重氮萘醌...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国秋，黄坚，陈璀，
申请(专利权)人：湖南启泰传感科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43