光刻胶组合物、用它形成光刻图案的方法及其用途技术

本发明专利技术涉及一种光刻胶组合物，包括：金属氧化物纳米簇，所述金属氧化物纳米簇包括金属氧化物内核和与所述金属氧化物内核配位的有机配体，其分子通式为M

【技术实现步骤摘要】
光刻胶组合物、用它形成光刻图案的方法及其用途
本专利技术涉及光刻胶
，特别涉及一种光刻胶组合物及用它形成光刻图案的方法及其用途。
技术介绍
光刻胶产品(photoresist)是一类利用光化学反应将精细图形结构转移到晶圆表面的电子化学品，主要应用于集成电路和显示器等微电子产业中的关键工艺——光刻。光刻胶又称为光致抗蚀剂，对光和射线表现出较高灵敏性，经紫外光、准分子激光束、离子束、电子束或X射线等辐照后，发生光交联或光分解反应，使曝光前后胶膜溶解性质发生变化，由此可分为正性光刻胶和负性光刻胶。随着电子器件持续向高集成化和高速化方向发展，作为微电子
关键性基础材料，光刻胶的作用越来越重要。现有光刻胶在使用时仍存在一定的不足之处，贮存和传送条件受到限制。现有光刻胶必须避光、密闭、低温存储，还必须规定光刻胶的使用期限，一旦超过存贮时间或较高的温度范围，负性光刻胶会发生交联，正性光刻胶会发生感光延迟，严重影响光刻胶的使用效果。作为一种精细化学品，尤其是用于集成电路的高端光刻胶成本昂贵。一旦失效，无法使用会造成很大的浪费。因此，如何提高光刻胶贮本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻胶组合物，其特征在于，包括：/n金属氧化物纳米簇，所述金属氧化物纳米簇包括金属氧化物内核和与所述金属氧化物内核配位的有机配体，其分子通式为M

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶组合物，其特征在于，包括：
金属氧化物纳米簇，所述金属氧化物纳米簇包括金属氧化物内核和与所述金属氧化物内核配位的有机配体，其分子通式为MxOy(OH)mLn，M为金属元素，L为所述有机配体，且为含有双键的有机基团，4≤x≤8，2≤y≤8，0≤m≤4，12≤n≤16；
光产酸剂；自由基淬灭剂；以及溶剂。


2.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，M选自锆、钛和铪中的任意一种。


3.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，L选自丙烯酸配位基或甲基丙烯酸配位基。


4.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述金属氧化物纳米簇为Hf4O2(MAA)12、Zr4O2(MAA)12、Ti8O8(MAA)16、Zr6O4(OH)4(MAA)12、Hf4O2(AA)12、Zr4O2(AA)12、Ti8O8(AA)16、Zr6O4(OH)4(AA)12以及它们的二聚体或多聚体中的一种或多种。


5.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述光产酸剂包括鎓盐、硝基苄基化合物、重氮化合物、N-羟基酰亚胺磺酸酯以及卤代三嗪中的一种或多种。


6.根据权利要求1所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述自由基淬灭剂包括哌啶衍生物类自由基淬灭剂、酚类自由基淬灭剂以及醌类自由基淬灭剂中的一种或多种。


7.根据权利要求6所述的光刻胶组合物，其特征在于，所述哌啶衍生物类自由基淬灭剂包括2,2,6,6-四甲基-1-哌啶氧化物、2,2,6,6-四甲基哌啶醇、1,2,2,6,6-五甲基哌啶醇、3-(2,2,6,6-四甲基哌啶-4-氨基)丙酸十二酯、4-苯甲酸基-2,2,6,6-四甲基哌啶和双(1,2,2,6,6-五甲基哌啶基)...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐宏，何向明，王倩倩，
申请(专利权)人：清华大学，北京华睿新能动力科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11