一种用于真空等离子体设备的匀气环制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于真空等离子体设备的匀气环，包括等离子体区域、气体喷淋盘、上腔体、下腔体和下电极，所述气体喷淋盘和下电极之间为等离子体区域，等离子体区域的一侧设有上腔体和下腔体，下电极和下腔体之间设有排气环，其特征在于，所述下腔体与排气环之间设有排气通道，本实用新型专利技术提出的排气环与下电极之间配合形成的排气通道可以具有更大的深宽比（大于15：1至40:1），而且排气通道入口与上下电极之间形成的电场方形垂直，具有更好的等离子体隔离效果，最终形成更高的等离子体浓度，实现更快的样品表面等离子处理或刻蚀速度。

【技术实现步骤摘要】
一种用于真空等离子体设备的匀气环
本技术涉及等离子体
，具体是一种用于真空等离子体设备的匀气环。
技术介绍
真空等离子设备主要由真空腔体，真空获得系统，气体输送系统，等离子发生系统与控制系统组成。在现有技术中，一种常见的真空等离子体设备的真空腔结构如图1所示，包括形成真空腔体的上腔体、下腔体、气体喷淋盘、下电极、限位环及排气环。其中，反应气体由位于腔体上部的气体喷淋盘进入腔体，并在由上述部件构成的空间中形成等离子体，之后通过排气环上气体通道，最终被真空系统抽走。为了获得较高的等离子体浓度，从而实现较快的样品表面等离子处理或刻蚀速度，需要等离子能够被约束在等离子区域，而不会沿着排气环上的气体通道被抽走；这需要排气环上的气体通道要具有较高的深宽比。图1上的气体通道一般通过加工孔或者沟槽的方式实现，最大深宽比通常小于15:1，且深宽比越大，加工越困难，成本越高；在能加工出的最大深宽比情况下，仍不能充分阻断等离子提通过排气环上的气体通道通过。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于真空等离子体设备的匀气环，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于真空等离子体设备的匀气环，包括等离子体区域、气体喷淋盘、上腔体、下腔体和下电极，所述气体喷淋盘和下电极之间为等离子体区域，等离子体区域的一侧设有上腔体和下腔体，下电极和下腔体之间设有排气环，其特征在于，所述下腔体与排气环之间设有排气通道。作为本技术的进一步方案：所述气体喷淋盘上设有上电极。作为本技术的进一步方案：所述排气通道的深宽比为15:1~40:1。作为本技术的进一步方案：所述等离子体区域内设有样品。作为本技术的进一步方案：所述排气通道入口与上下电极之间形成的电场方形垂直。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术提出的排气环与下电极之间配合形成的排气通道可以具有更大的深宽比（大于15：1至40:1），而且排气通道入口与上下电极之间形成的电场方形垂直，具有更好的等离子体隔离效果，最终形成更高的等离子体浓度，实现更快的样品表面等离子处理或刻蚀速度。附图说明图1是现有真空腔结构图。图2是本技术结构图。图3是图2中的A处放大图。图中：1-等离子体区域、2-气体喷淋盘、3-上腔体、4-下腔体、5-排气环、6-限位环、7-样品、8-下电极、9-排气通道。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图2-3，实施例1：一种用于真空等离子体设备的匀气环，包括等离子体区域1、气体喷淋盘2、上腔体3、下腔体4和下电极8，所述气体喷淋盘2和下电极8之间为等离子体区域1，等离子体区域1的一侧设有上腔体3和下腔体4，下电极8和下腔体4之间设有排气环5，其特征在于，所述下腔体4与排气环5之间设有排气通道9。气体喷淋盘2上设有上电极。本提案通过排气环与下电极之间配合形成大深宽比的排气通道（比如15:1~40:1），另外，排气通道位于排气环与下电极之间，整体尺寸比图1方案更紧凑，等离子体区域容积更小，等离子体浓度更高。现有技术还设有限位环6，本设计提出的排气环与下电极之间配合形成的排气通道可以具有更大的深宽比（大于15：1至40:1），而且排气通道入口与上下电极之间形成的电场方形垂直，具有更好的等离子体隔离效果，最终形成更高的等离子体浓度，实现更快的样品表面等离子处理或刻蚀速度。实施例2：在实施例1的基础上，排气通道入口与上下电极之间形成的电场方形垂直，具有更好的等离子体隔离效果。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于真空等离子体设备的匀气环，包括等离子体区域（1）、气体喷淋盘（2）、上腔体（3）、下腔体（4）和下电极（8），所述气体喷淋盘（2）和下电极（8）之间为等离子体区域（1），等离子体区域（1）的一侧设有上腔体（3）和下腔体（4），下电极（8）和下腔体（4）之间设有排气环（5），其特征在于，所述下腔体（4）与排气环（5）之间设有排气通道（9）。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于真空等离子体设备的匀气环，包括等离子体区域（1）、气体喷淋盘（2）、上腔体（3）、下腔体（4）和下电极（8），所述气体喷淋盘（2）和下电极（8）之间为等离子体区域（1），等离子体区域（1）的一侧设有上腔体（3）和下腔体（4），下电极（8）和下腔体（4）之间设有排气环（5），其特征在于，所述下腔体（4）与排气环（5）之间设有排气通道（9）。


2.根据权利要求1所述的一种用于真空等离子体设备的匀气环，其特征在于，所述气...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭帆，漆宏俊，夏欢，
申请(专利权)人：上海稷以科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31