一种等离子体刻蚀系统及其可用于加热的法拉第屏蔽装置制造方法及图纸

技术编号:26393140 阅读:24 留言:0更新日期:2020-11-20 00:06
本实用新型专利技术公开了一种等离子体刻蚀系统及其可用于加热的法拉第屏蔽装置,法拉第屏蔽装置包括法拉第屏蔽板和贴置在法拉第屏蔽板下端面的电阻丝;法拉第屏蔽板包括导电环和多个辐射对称连接在导电环外周的导电瓣状件;电阻丝的外表面设置有绝缘导热层;刻蚀工艺时,电阻丝通电加热。本实用新型专利技术当刻蚀工艺时,导通加热电路与电阻丝,使电阻丝通电温度升高,加热介质窗,减少产物的沉积量;由于电阻丝与介质窗直接接触,加热效率高,热量散失少,简化了设备结构;法拉第屏蔽板位于射频线圈与电阻丝之间形成屏蔽,可防止射频线圈与电阻丝之间产生耦合及放电;加热电源的输出端经滤波电路单元滤波后,连接至电阻丝,防止射频线圈与电阻丝之间产生耦合。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体刻蚀系统及其可用于加热的法拉第屏蔽装置
本技术属于半导体刻蚀
,尤其涉及一种等离子体刻蚀系统及其可用于加热的法拉第屏蔽装置。
技术介绍
在刻蚀工艺中,等离子体线圈的不同部分之间的电压电容耦合到等离子体,虽然这种耦合促进点火和稳定,但电容耦合部分可在反应腔室引起局部加强电压,这可能加速离子从等离子体离开以局部的影响介质窗,导致局部溅射损害;在其他情况下,电容耦合可能导致局部沉积。溅射可能导致介质窗上的表面涂层损坏,然后颗粒可脱落并可能降落在生产的晶片上导致缺陷。为解决上述问题,现有技术采用如图1的等离子体刻蚀机介质窗加热技术,所示主要组成部分为,射频线圈001,介质窗002,加热网004,送热风扇005,外屏蔽罩006。射频线圈001产生等离子体穿过介质窗002进行工艺,加热网004产生热量,经所述送热风扇005按示意图箭头所示方向吹送至所述介质窗002进行加热。此方法的缺点主要有:风扇送热热量四散,加热效率低;另一方面会同时对线圈及其他电器元件如匹配器等同时进行加热,造成电器件高温而易损;为防止风热四散而温度越来越高,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体刻蚀系统的可用于加热的法拉第屏蔽装置,包括法拉第屏蔽板;所述法拉第屏蔽板包括导电环和多个辐射对称连接在导电环外周的导电瓣状件;其特征在于:所述法拉第屏蔽装置还包括贴置在法拉第屏蔽板下端面的电阻丝;所述电阻丝的外表面设置有绝缘导热层;刻蚀工艺时,所述电阻丝通电加热。/n

【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀系统的可用于加热的法拉第屏蔽装置,包括法拉第屏蔽板;所述法拉第屏蔽板包括导电环和多个辐射对称连接在导电环外周的导电瓣状件;其特征在于:所述法拉第屏蔽装置还包括贴置在法拉第屏蔽板下端面的电阻丝;所述电阻丝的外表面设置有绝缘导热层;刻蚀工艺时,所述电阻丝通电加热。


2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀系统的可用于加热的法拉第屏蔽装置,其特征在于:还包括用于为电阻丝供电的加热电路;所述加热电路包括加热电源和滤波电路单元;所述加热电源的输出端经滤波电路单元滤波后,连接至电阻丝。


3.根据权利要求2所述的等离子体刻蚀系统的可用于加热的法拉第屏蔽装置,其特征在于:还包括反馈控制电路;所述反馈控制电路包括测温传感器、温度控制器和固态继电器;所述固态继电器设置在加热电路上,用于控制加热电路启闭;所述测温传感器用于测量电阻丝温度,传送数据至温度控制器;所述温度控制器根据设定温度,反馈信号控制固态继电器的启闭。


4.根据权利要求1-3任意一项所述的等离子体刻蚀系统的可用于加热的法拉第屏蔽装置...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭颂刘海洋王铖熠程实然刘小波张军胡冬冬许开东
申请(专利权)人:北京鲁汶半导体科技有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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