LED光源的封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术揭露一种LED光源的封装结构及其制作方法，LED光源的封装结构包括基板、第一蓝光芯片、第二蓝光芯片和荧光胶层，第一蓝光芯片与第二蓝光芯片皆设置于基板上，且第一蓝光芯片的峰值波长范围为440nm‑465nm，第二蓝光芯片的峰值波长范围为465nm‑495nm，荧光胶层覆盖第一蓝光芯片和第二蓝光芯片，其中，荧光胶层中的荧光粉被第一蓝光芯片和第二蓝光芯片共同激发后，产生的光与第一蓝光芯片和第二蓝光芯片发出的光混合形成一种对人体有益的健康照明光谱，该光谱减弱了450nm附近的有害蓝光强度，增强了485nm‑495nm附近的有益蓝光强度。借此，减小了蓝光对人眼的伤害作用，且有效抑制褪黑素的分泌，使人在学习或工作时保持精力充沛，提升效率，促使人体形成正常的生物节律。

【技术实现步骤摘要】
LED光源的封装结构及其制作方法
本专利技术涉及LED照明
，尤其涉及一种LED光源的封装结构及其制作方法。
技术介绍
LED光源作为第四代照明光源，相对于前几代的照明产品具有发光效率高、响应速度快、使用寿命长、无有毒气体、无辐射、抗冲击、易控制等显著优点，其应用范围及市场占有率日益提高。现有的常规白光LED封装系统普遍采用波长范围在440nm-460nm的蓝光芯片激发不同波长的荧光粉，从而获得白光。通过改善使用的荧光粉的波长，可以得到不同显色指数的白光LED产品。现有的白光LED产品普遍关注显色指数的提升，忽视了其使用的波长范围440nm-460nm的蓝光芯片对人体健康的负面作用。以常规4000K白光LED光谱为例,其显色指数Ra80，如图4所示，与4000K标准光源相比，常规4000K白光LED光谱的连续性较差，其波长440nm-460nm附近的光谱相对强度非常强，同时在波长480nm-490nm附近的光谱相对强度有一个非常明显的下降，导致其在波长480nm-490nm附近的蓝光强度明显不足。光谱波长450nm处的极大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED光源的封装结构，其特征在于，所述LED光源的封装结构包括：/n基板；/n第一蓝光芯片，设置于所述基板上，所述第一蓝光芯片的峰值波长范围为440nm-465nm；/n第二蓝光芯片，设置于所述基板上，所述第二蓝光芯片的峰值波长范围为465nm-495nm；以及/n荧光胶层，覆盖所述第一蓝光芯片和所述第二蓝光芯片，其中，当所述荧光胶层被所述第一蓝光芯片和所述第二蓝光芯片激发发光时，所述荧光胶层与所述第一蓝光芯片和所述第二蓝光芯片产生的光混合形成照明光谱，所述光谱减弱波长450nm附近的蓝光强度，增强波长485nm-495nm附近的蓝光强度。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED光源的封装结构，其特征在于，所述LED光源的封装结构包括：
基板；
第一蓝光芯片，设置于所述基板上，所述第一蓝光芯片的峰值波长范围为440nm-465nm；
第二蓝光芯片，设置于所述基板上，所述第二蓝光芯片的峰值波长范围为465nm-495nm；以及
荧光胶层，覆盖所述第一蓝光芯片和所述第二蓝光芯片，其中，当所述荧光胶层被所述第一蓝光芯片和所述第二蓝光芯片激发发光时，所述荧光胶层与所述第一蓝光芯片和所述第二蓝光芯片产生的光混合形成照明光谱，所述光谱减弱波长450nm附近的蓝光强度，增强波长485nm-495nm附近的蓝光强度。


2.如权利要求1所述的LED光源的封装结构，其特征在于，所述第一蓝光芯片与所述第二蓝光芯片的个数比为1:1、1:2、1:3、2:1或3:1。


3.如权利要求1所述的LED光源的封装结构，其特征在于，所述第一蓝光芯片和所述第二蓝光芯片的半波宽均为10nm-40nm，主体材质皆为氮化镓。


4.如权利要求1所述的LED光源的封装结构，其特征在于，所述LED光源的封装结构的色温范围为1600K-10000K，显色指数Ra范围为60-99，且显色指数R1-R15可全部＞90。


5.如权利要求1所述的LED光源的封装结构，其特征在于，所述荧光胶层包括第一荧光粉和胶水，所述第一荧光粉是绿色荧光粉、黄色荧光粉或红色荧光粉，其中，所述第一荧光粉混合所述胶水形成所述荧光胶层，所述第一荧光粉于所述荧光胶层中的重量百分比为10％-80％，所述胶水于所述荧光胶层中的重量百分比为20％-90％。


6.如权利要求1所述的LED光源的封装结构，其特征在于，所述荧光胶层包括第一荧光粉、第二荧光粉和胶水，所述第一荧光粉是绿色荧光粉、黄色荧光粉或红色荧光粉，所述第二荧光粉是绿色荧光粉、黄色荧光粉或红色荧光粉，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱澄，张智鸿，袁瑞鸿，陈锦庆，李昇哲，林紘洋，
申请(专利权)人：福建天电光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35