一种封装结构及封装方法技术

本发明专利技术提供了封装结构及封装方法，涉及芯片封装技术领域，解决了现有IPM智能功率模块采用二维封装结构导致产品体积较大的技术问题。该封装结构包括引线框架、晶体管芯片和驱动芯片，所述晶体管芯片安装于所述引线框架，所述驱动芯片在垂直于所述引线框架的Z方向上设置于所述晶体管芯片的上方形成三维堆叠结构。驱动芯片在垂直于引线框架的Z方向上设置于晶体管芯片的上方而形成三维堆叠结构，与传统的晶体管芯片与驱动芯片均设置于引线框架的结构相比，取消了引线框架上驱动芯片的固晶部位，大大节省了空间，实现了产品体积的小型化；而且驱动芯片在晶体管芯片上进行堆叠固晶，缩小了驱动芯片与晶体管芯片的距离，过温保护更加精确可靠。

【技术实现步骤摘要】
一种封装结构及封装方法
本专利技术涉及芯片封装
，尤其是涉及一种封装结构及封装方法。
技术介绍
现有传统型IPM智能功率模块封装结构采用二维封装结构，如图1所示。驱动芯片MIC与IGBT芯片分别在引线框架上特定的PAD位上进行固晶，两个芯片固晶位置在沿引线框架宽度的Y方向上均占用了产品1/3的空间，导致产品体积相对较大，并且此封装结构限制了产品体积的小型化。另外，此封装结构驱动芯片MIC与IGBT芯片之间的空间距离较大，IGBT芯片在应用端使用时会产生热量，而驱动芯片MIC与IGBT芯片的空间距离较大，就会导致驱动芯片MIC检测到的温度与IGBT芯片实际的温度有段差，导致驱动芯片MIC未及时进行保护而致使IGBT芯片过温击穿损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种封装结构及封装方法，以解决现有技术中存在的IPM智能功率模块采用二维封装结构导致产品体积较大的技术问题。本专利技术提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。为实现上述目的，本专利技术提供了以下技术方案：...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其应用于IPM智能功率模块的封装，其特征在于，包括引线框架、晶体管芯片和驱动芯片，所述晶体管芯片安装于所述引线框架，所述驱动芯片在垂直于所述引线框架的Z方向上设置于所述晶体管芯片的上方形成三维堆叠结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其应用于IPM智能功率模块的封装，其特征在于，包括引线框架、晶体管芯片和驱动芯片，所述晶体管芯片安装于所述引线框架，所述驱动芯片在垂直于所述引线框架的Z方向上设置于所述晶体管芯片的上方形成三维堆叠结构。


2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述驱动芯片固接于所述晶体管芯片的焊点处。


3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述驱动芯片通过绝缘胶粘接于所述晶体管芯片的焊点处。


4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述晶体管芯片焊接于所述引线框架。


5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述三维堆叠结构包括依次设置的所述引线框架、焊锡层或银浆层、所述晶体管芯片、铝线焊点层、绝缘胶层和所述驱动芯片。

【专利技术属性】
技术研发人员：赵承贤，李鑫，颜志进，刘浩，周新龙，盘伶子，
申请(专利权)人：珠海格力新元电子有限公司，珠海格力电器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44