发光装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种发光装置及其制备方法，其中，装置中包括：倒装LED芯片；于倒装LED芯片出光侧表面设置的硅胶保护层；于倒装LED芯片中与电极侧表面相对的出光侧表面上硅胶保护层表面设置的出光层，出光层中包含有光转换材料；于出光层表面设置的阻隔层，用于保护出光层；及于倒装LED芯片四周及电极侧表面设置的光反射层，光反射层中包含有光反射颗粒。其通过硅胶保护层、阻隔层及光反射层将出光层中的光转换材料包围起来，解决其在使用过程中性能不稳定的问题，同时提升发光装置的色域及亮度。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其是一种发光装置及其制备方法。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展，人们对显示器需求越来越高，基于LED高光效、低碳环保、节能的特点，目前大部分电视、手机采用LED作为背光源。为了满足LED背光源高色域覆盖率的要求，业内试图导入一些窄半波宽的新荧光粉材料，但这些材料自身存在一些信赖性缺陷，在使用过程中性能不稳定。
技术实现思路
为了克服以上不足，本专利技术提供了一种发光装置及其制备方法，有效解决现有技术应用窄半波宽新荧光粉材料过程中存在的性能不稳定的技术问题。本专利技术提供的技术方案为：一种发光装置，包括：倒装LED芯片；于所述倒装LED芯片出光侧表面设置的硅胶保护层；于所述倒装LED芯片中与电极侧表面相对的出光侧表面上硅胶保护层表面设置的出光层，所述出光层中包含有光转换材料；于所述出光层表面设置的阻隔层，用于保护所述出光层；及于所述倒装LED芯片四周及电极侧表面设置的光反射层，所述光反射层中包含有光反射颗粒。一种发光装置制备方法，包括：于支撑膜表面制备阻隔层；于所述阻隔层表面制备出光层，所述出光层中包含有光转换材料；于所述出光层表面制备具备粘性的硅胶保护层，所述硅胶保护层的粘度大于1000mpa.s；将多颗倒装LED芯片排列于所述硅胶保护层表面，并进行压合；压合后所述倒装LED芯片侧面硅胶保护层的厚度不大于所述倒装LED芯片的厚度；对压合后的硅胶保护层进行固化，并进行切割得到单颗白光芯片；将切割得到的白光芯片重新排列于支撑膜表面，并于白光芯片之间填充光反射胶，制备光反射层；所述光反射层表面不高于电极表面；沿白光芯片之间的光反射层切割得到单颗发光装置。在本专利技术提供的发光装置及其制备方法中，通过在出光层表面制备具有粘性的硅胶保护层的方式完成贴膜工艺，使用该方法制备得到的发光装置相对于现有技术中无硅胶结构或少量硅胶结构来说，提升亮度了1.5～3％。另外，该方法能够简单方便的实现倒装LED芯片四周硅胶结构的制备，相较于其他结构形成的硅胶结构来说，制备方法简单易于实现的同时将发光装置的发光角度增大至150°。再有，通过硅胶保护层、阻隔层及光反射层将出光层中的光转换材料KSF或KGF或QD包围起来，解决其在使用过程中性能不稳定的问题，同时提升发光装置的色域及亮度。附图说明图1为本专利技术中发光装置结构示意图；图2为本专利技术中发光装置制备方法流程示意图。附图说明：1-倒装LED芯片，2-硅胶保护层，3-出光层，4-阻隔层，5-光反射层，6-支撑膜。具体实施方式为了更清楚地说明本专利技术实施案例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本专利技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。如图1所示为本专利技术提供的发光装置结构示意图，从图中可以看出，在该发光装置中包括：倒装LED芯片1；于倒装LED芯片1出光侧表面设置的硅胶保护层2；于倒装LED芯片1中与电极侧表面相对的出光侧表面上硅胶保护层2表面设置的出光层3，出光层3中包含有光转换材料；于出光层3表面设置的阻隔层4，用于保护出光层3；及于倒装LED芯片1四周及电极侧表面设置的光反射层5，光反射层5中包含有光反射颗粒。在该发光装置中，硅胶保护层2于倒装LED芯片1四周的厚度不大于倒装LED芯片1的厚度，即硅胶保护层2不会溢出至芯片1电极侧表面。光反射层5表面不高于电极表面，在实例中，如图1所示，光反射层5表面与芯片1电极表面齐平。在出光层3中的光转换材料为KSF或KGF或QD，其中，KSF/KGF(KSF中的S具体指代Si元素，KGF中的G指代Ge元素)是指包含A2(MF6):Mn4+结构式配方的一个类型的化合物的缩写，其中A为Li、Na、K、Rb、Cs或NH4中的一种，M为Ge、Si、Sn、Ti或Zr元素中的一种或多种元素组合；QD量子点是一种新型纳米材料，其晶粒直径在2-20纳米之间，激发后能发出能谱集中，非常纯正的高品质红，绿单色光。在实际应用中，出光层的厚度为70～100μm，在硅胶中掺杂相应的光转换材料使用，各组成之间的质量比根据需求进行确定，这里不做具体限定。阻隔层4由二氧化硅或二氧化钛制备而成，且硅胶与二氧化硅/二氧化钛的质量比为1％～100％，厚度为40μm～100μm。本专利技术还提供了一种发光装置制备方法，如图2所示，包括：1.1于支撑膜6表面制备阻隔层4并烘烤成型，如图2(a)所示。具体，阻隔层4由二氧化硅或二氧化钛制备而成，且硅胶与二氧化硅/二氧化钛的质量比为1％～100％，厚度为40μm～100μm。1.2于阻隔层4表面制备出光层3并烘烤成型，如图2(b)所示。具体，出光层3中包括KSF或KGF或QD光转换材料，其中，KSF/KGF(KSF中的S具体指代Si元素，KGF中的G指代Ge元素)是指包含A2(MF6):Mn4+结构式配方的一个类型的化合物的缩写，其中A为Li、Na、K、Rb、Cs或NH4中的一种，M为Ge、Si、Sn、Ti或Zr元素中的一种或多种元素组合；QD量子点是一种新型纳米材料，其晶粒直径在2-20纳米之间，激发后能发出能谱集中，非常纯正的高品质红，绿单色光。在实际应用中，出光层的厚度为70～100μm，在硅胶中掺杂相应的光转换材料使用，各组成之间的质量比根据需求进行确定，这里不做具体限定。阻隔层4由二氧化硅或二氧化钛制备而成，且硅胶与二氧化硅/二氧化钛的质量比为1％～100％，厚度为40μm～100μm。1.3于出光层3表面制备具备粘性的硅胶保护层2，如图2(c)所示。这里，具备粘性具体指代硅胶保护层2处于未完全固化状态，即固液共存且无法流动的状态。可在50℃～120℃之间对其进行烘烤得到未完全固化具备粘黏芯片能力的硅胶保护层2(粘度应大于1000mpa.s)。1.4将多颗倒装LED芯片1排列于硅胶保护层2表面，在压合机设备下进行真空压合使芯片嵌入硅胶保护层2中，如图2(d)和图2(e)所示。这里，为了保证芯片出光及压合后透明硅胶不会溢出至倒装LED芯片1的电极侧表面，可根据实际情况对硅胶保护层2的厚度进行限定，确保压合后倒装LED芯片1周围的透明硅胶厚度不大于芯片的厚度。对于倒装LED芯片来说，一般厚度在150～250μm，为实现目的，可限定硅胶保护层的厚度较倒装LED芯片小一些，如，当倒装LED芯片厚度为200μm时，限定硅胶保护层的厚度为不大于50μm(厚度可限定为10～50μm之间)。应当清楚，由于压合后硅胶保护层的上升高度除了受限于自身的厚度之外，同时受限于支撑膜的面积及倒装LED芯片的数量等因素，故这里对其厚度不做具体限定，在实际应用中能够实现专利技术目的均可。1.5对压合后的硅胶保护层2进行固化，并进行切割本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：/n倒装LED芯片；/n于所述倒装LED芯片出光侧表面设置的硅胶保护层；/n于所述倒装LED芯片中与电极侧表面相对的出光侧表面上硅胶保护层表面设置的出光层，所述出光层中包含有光转换材料；/n于所述出光层表面设置的阻隔层，用于保护所述出光层；及/n于所述倒装LED芯片四周及电极侧表面设置的光反射层，所述光反射层中包含有光反射颗粒。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：
倒装LED芯片；
于所述倒装LED芯片出光侧表面设置的硅胶保护层；
于所述倒装LED芯片中与电极侧表面相对的出光侧表面上硅胶保护层表面设置的出光层，所述出光层中包含有光转换材料；
于所述出光层表面设置的阻隔层，用于保护所述出光层；及
于所述倒装LED芯片四周及电极侧表面设置的光反射层，所述光反射层中包含有光反射颗粒。


2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述出光层中的光转换材料为KSF或KGF或QD；和/或所述出光层的厚度为70～100μm。


3.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述阻隔层中包含二氧化硅或二氧化钛。


4.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述阻隔层的厚度为40μm～100μm。


5.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述倒装LED芯片侧面硅胶保护层的厚度不大于所述倒装LED芯片的厚度，所述光反射层表面不高于电极表面。


6.一种发光装置制备方法，其特征在于，包括：
于支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁伏波，徐海，
申请(专利权)人：江西省晶能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36