发光装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种发光装置及其制备方法，其中，装置中包括：倒装LED芯片；于倒装LED芯片出光侧表面设置的硅胶保护层；于倒装LED芯片中与电极侧表面相对的出光侧表面上硅胶保护层表面设置的出光层，出光层中包含有光转换材料；于出光层表面设置的阻隔层，用于保护出光层；及于倒装LED芯片四周及电极侧表面设置的光反射层，光反射层中包含有光反射颗粒。其通过硅胶保护层、阻隔层及光反射层将出光层中的光转换材料包围起来，解决其在使用过程中性能不稳定的问题，同时提升发光装置的色域及亮度。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其是一种发光装置及其制备方法。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展，人们对显示器需求越来越高，基于LED高光效、低碳环保、节能的特点，目前大部分电视、手机采用LED作为背光源。为了满足LED背光源高色域覆盖率的要求，业内试图导入一些窄半波宽的新荧光粉材料，但这些材料自身存在一些信赖性缺陷，在使用过程中性能不稳定。
技术实现思路
为了克服以上不足，本专利技术提供了一种发光装置及其制备方法，有效解决现有技术应用窄半波宽新荧光粉材料过程中存在的性能不稳定的技术问题。本专利技术提供的技术方案为：一种发光装置，包括：倒装LED芯片；于所述倒装LED芯片出光侧表面设置的硅胶保护层；于所述倒装LED芯片中与电极侧表面相对的出光侧表面上硅胶保护层表面设置的出光层，所述出光层中包含有光转换材料；于所述出光层表面设置的阻隔层，用于保护所述出光层；及于所述倒装LED芯片四周及电极侧表面设置的光反射层，所述光反射层中包含有光反射颗粒。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：/n倒装LED芯片；/n于所述倒装LED芯片出光侧表面设置的硅胶保护层；/n于所述倒装LED芯片中与电极侧表面相对的出光侧表面上硅胶保护层表面设置的出光层，所述出光层中包含有光转换材料；/n于所述出光层表面设置的阻隔层，用于保护所述出光层；及/n于所述倒装LED芯片四周及电极侧表面设置的光反射层，所述光反射层中包含有光反射颗粒。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：
倒装LED芯片；
于所述倒装LED芯片出光侧表面设置的硅胶保护层；
于所述倒装LED芯片中与电极侧表面相对的出光侧表面上硅胶保护层表面设置的出光层，所述出光层中包含有光转换材料；
于所述出光层表面设置的阻隔层，用于保护所述出光层；及
于所述倒装LED芯片四周及电极侧表面设置的光反射层，所述光反射层中包含有光反射颗粒。


2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述出光层中的光转换材料为KSF或KGF或QD；和/或所述出光层的厚度为70～100μm。


3.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述阻隔层中包含二氧化硅或二氧化钛。


4.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述阻隔层的厚度为40μm～100μm。


5.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述倒装LED芯片侧面硅胶保护层的厚度不大于所述倒装LED芯片的厚度，所述光反射层表面不高于电极表面。


6.一种发光装置制备方法，其特征在于，包括：
于支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁伏波，徐海，
申请(专利权)人：江西省晶能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36