【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装及其制造方法
本专利技术系关于一种半导体装置封装。
技术介绍
目前NAND快闪堆栈技术包括3D堆栈及2.5D堆栈。关于3D堆栈，一内存晶粒系设置于基板上。关于2.5D堆栈，复数个内存晶粒系分散地设置于基板上。然而，制造3D堆栈的成本是过高的。2.5D堆栈的内存则占据较大的基板面积，且2.5D堆栈的制造良率是相对低的。
技术实现思路
在一些实施例中，根据一个态样，一半导体装置封装包括一基板、一第一半导体装置、设置于该第一半导体装置上之一第一中介层、一第二半导体装置及一金属导线。该第一半导体装置安置于该基板上并电连接至该基板。第二半导体装置设置于该第一中介层上且电连接至该第一中介层。该金属导线电连接该第一半导体装置及该第二半导体装置。在一些实施例中，根据另一态样，揭示一种用于制造一半导体装置封装的方法。该方法包括：提供一基板及一第一半导体装置；提供一第一中介层及一第二半导体装置，该第二半导体装置系设置于该第一中介层上；将该第一中介层安置于该第一半导体装置上；及提供一金属导线以电连接该第一...
【技术保护点】
1.一种半导体装置封装，其包含：/n基板；/n第一半导体装置，其安置于该基板上并电连接至该基板；/n第一中介层，其设置于该第一半导体装置上；/n第二半导体装置，其设置于该第一中介层上且电连接至该第一中介层；及/n金属导线，其电连接该第一半导体装置及该第二半导体装置。/n
【技术特征摘要】
20190520 TW 1081172781.一种半导体装置封装，其包含：
基板；
第一半导体装置，其安置于该基板上并电连接至该基板；
第一中介层，其设置于该第一半导体装置上；
第二半导体装置，其设置于该第一中介层上且电连接至该第一中介层；及
金属导线，其电连接该第一半导体装置及该第二半导体装置。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中该基板为一第二中介层。
3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包含设置于该基板与该第一半导体装置之间之第三半导体装置，该第三半导体装置电连接该基板及该第一半导体装置。
4.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其中该第三半导体装置系特殊应用集成电路。
5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中该第一半导体装置及该第二半导体装置系内存装置。
6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中该第一半导体装置系用于该半导体装置封装之主要应用。
7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中该第二半导体装置系用于该半导体装置封装之附设应用。
8.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中该第二中介层包含硅穿孔(TSV)以用于信号传输。
9.根据权利要求8所述的半导体装置封装，其中该第二中介层之尺寸系大于该第一中介层之尺寸。
10.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包含设置于该第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨朋，涂顺财，黄敏龙，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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