半导体组件制造技术

本公开的半导体组件具备：绝缘基板；第一导体部，其配置于所述绝缘基板；第二导体部，其配置于所述绝缘基板；第一半导体元件，其安装于所述第一导体部；第二半导体元件，其安装于所述第二导体部；第一母线，其在所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的区域内与所述第一导体部连接；第二母线，其与所述第二半导体元件连接；以及输出母线，其将所述第一半导体元件与所述第二导体部连接，并在所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的区域内与所述第二导体部连接。所述输出母线配置为与所述第一母线的至少一部分重叠，在所述输出母线与所述第一母线重叠的区域，所述输出母线位于比所述第一母线靠上方的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体组件
本公开涉及一种在各种电子设备中使用的半导体组件。
技术介绍
下面，使用附图来说明以往的半导体组件。图7是示出以往的半导体组件1的结构的立体图，图8是示出以往的半导体组件1的结构的截面图，半导体组件1具有上臂半导体2和下臂半导体3。上臂半导体2的漏电极2D与被供给正电压的正电极端子30连接，上臂半导体2的源电极2S与引线5连接，引线5连接至输出端子4。下臂半导体3的漏电极3D与输出端子4连接，下臂半导体3的源电极3S与引线5连接，引线5连接负电极端子6。而且，由于在源电极2S与输出端子4之间以及源电极3S与负电极端子6之间流过大电流，因此通过将多个引线5以并联连接的方式设置来确保电流容量。此外，作为与该申请相关联的现有技术文献信息，例如已知有专利文献1。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2016/002385号
技术实现思路
本公开的一个方式的半导体组件具备：绝缘基板，其在第一方向上具有面；第一导体部，其在所述第一方向上具有面，所述第一导体部配置于所述绝缘基板的所述面；第二导体部，其在所述第一方向上具有面，所述第二导体部配置于所述绝缘基板的所述面；第一半导体元件，其安装于所述第一导体部的所述面；第二半导体元件，其安装于所述第二导体部的所述面，相对于所述第一半导体元件位于第二方向上；第一母线，其在从所述第一方向观察的所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的区域内与所述第一导体部的所述面连接，被供给第一电位和第二电位中的一方；第二母线，其与所述第二半导体元件连接，被供给所述第一电位和所述第二电位中的另一方；以及输出母线，其将所述第一半导体元件与所述第二导体部的所述面连接，在从所述第一方向观察的所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的所述区域内与所述第二导体部的所述面连接，其中，在从所述第一方向观察时，所述输出母线配置为与所述第一母线的至少一部分重叠，在从所述第一方向观察时，在所述输出母线与所述第一母线重叠的区域，所述输出母线相对于所述第一母线位于所述第一方向上，所述输出母线输出被供电至所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件的所述第一电位或者所述第二电位。根据本公开，与第一导体部连接的第一母线以比第一导体部更接近输出母线且与输出母线相对的状态配置。因此，特别是在将从外部通过第一半导体元件供电的电力向输出侧供给时，输出母线和第一母线双方中产生的磁通量容易被抵消，从而抑制输出母线和第一母线双方中的电感成分的值。并且，容易获得在第一母线与输出母线之间产生的电容成分，抑制成为伴随瞬间的阻抗上升而产生浪涌电压的主要原因的在第一母线和输出母线双方中的电感成分。结果是，在半导体元件的开关频率变高的情况下，也能够抑制浪涌电压的产生。附图说明图1是示出本公开的实施方式1中的半导体组件的结构的立体图。图2是示出本公开的实施方式1中的半导体组件的结构的截面图。图3是示出本公开的实施方式1中的半导体组件的结构的电路块概要图。图4是示出本公开的实施方式2中的半导体组件的结构的截面图。图5是示出本公开的实施方式3中的半导体组件的结构的截面图。图6是示出本公开的实施方式4中的半导体组件的结构的立体图。图7是示出以往的半导体组件的结构的立体图。图8是示出以往的半导体组件的结构的截面图。具体实施方式在使用图7和图8说明的以往的半导体组件1中，在引线5中流过大的电流，并且存在很多的电感成分。因此，特别是在上臂半导体2或者下臂半导体3中的开关频率变高的情况下，存在如下问题：因伴随瞬间的阻抗上升产生浪涌电压而对上臂半导体2或者下臂半导体3施加过电压，从而可能产生击穿或劣化。在本公开的半导体组件中，能够抑制浪涌电压的产生。(实施方式1)[半导体组件7的结构]下面，使用图1～图3来说明本公开的实施方式1的半导体组件7的结构。图1是示出本公开的实施方式1中的半导体组件7的结构的立体图，图2是示出本公开的实施方式中的半导体组件7的结构的截面图。半导体组件7包括绝缘基板8、第一导体部9、第二导体部10、第一半导体元件11、第二半导体元件12、第一母线13、第二母线14以及输出母线15。第一导体部9和第二导体部10配置于绝缘基板8的第一方向D1(参照图2)上的面8a。第一半导体元件11安装于第一导体部9的第一方向D1上的面9a。第二半导体元件12安装于第二导体部10的第一方向D1上的面10a。而且，第二半导体元件12相对于第一半导体元件位于第二方向D2上。从外部向第一母线13供电正电位(第一电位)和负电位(第二电位)中的一方(未图示)。此外，在本实施方式中，使用从外部向第一母线13供给正电位的例子进行说明，在后面记述该例子。而且，第一母线13的一个端部(连接部13A)配置为在第一半导体元件11与第二半导体元件12之间的区域与第一导体部9的面9a连接。第二母线14与在第二半导体元件12的第一方向D1上的面12a形成的源电极12S连接。而且，向第二母线14供电正供电于第一母线13的正电位或者负电位的另一方。也就是说，如果供电至第一母线13的电位为正电位，则供电至第二母线14的电位为负电位，如果供电至第一母线13的电位为负电位，则供电至第二母线14的电位为正电位。输出母线15将在第一半导体元件11的面11a(图2中的第一半导体元件11的上表面)形成的源电极11S与第二导体部10的面10a(图2中的第二导体部10的上表面)连接。第二导体部10与第二半导体元件12的漏电极12D之间导通，其结果是，输出母线15将第二半导体元件12的漏电极12D与第一半导体元件11的源电极11电连接。并且，输出母线15覆盖第一母线13的第一方向上的面(第一母线13的上表面)。也就是说，在从第一方向D1观察时，输出母线15配置为与第一母线13的在第一导体部上的至少一部分(连接部13A)重叠。在从第一方向D1观察时，在输出母线15与第一母线13重叠的区域，输出母线15相对于第一母线13位于第一方向D1上。而且，输出母线15输出从外部供电至第一半导体元件11或者第二半导体元件12的正电位或者负电位。根据以上的结构，与第一导体部9连接的第一母线13(连接部13A)配置为比第一导体部9更接近输出母线15且与输出母线15相向。因此，在经由输出母线15输出从外部通过第一半导体元件11供电的电力(正电位或者负电位)时，在输出母线15和第一母线13双方中产生的磁通量容易被抵消。因此，能够抑制输出母线15和第一母线13双方中的电感成分的值。并且，容易获得在第一母线13与输出母线15之间产生的电容成分。上述的电容成分抑制成为浪涌电压产生的主要原因的在第一母线13和输出母线15双方中的电感成分所产生的影响。结果是，在第一半导体元件11和第二半导体元件12的开关频率变高的情况下，也能够抑制瞬间的阻抗上升，从而能够抑制浪涌电压的产生。因此，抑制伴随施加高电压而引起的第一半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体组件，具备：/n绝缘基板，其在第一方向上具有面；/n第一导体部，其在所述第一方向上具有面，所述第一导体部配置于所述绝缘基板的所述面；/n第二导体部，其在所述第一方向上具有面，所述第二导体部配置于所述绝缘基板的所述面；/n第一半导体元件，其安装于所述第一导体部的所述面；/n第二半导体元件，其安装于所述第二导体部的所述面，相对于所述第一半导体元件位于第二方向上；/n第一母线，其在从所述第一方向观察的所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的区域内与所述第一导体部的所述面连接，被供给第一电位和第二电位中的一方；/n第二母线，其与所述第二半导体元件连接，被供给所述第一电位和所述第二电位中的另一方；以及/n输出母线，其将所述第一半导体元件与所述第二导体部的所述面连接，在从所述第一方向观察的所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的所述区域内与所述第二导体部的所述面连接，/n其中，在从所述第一方向观察时，所述输出母线配置为与所述第一母线的至少一部分重叠，/n在从所述第一方向观察时，在所述输出母线与所述第一母线重叠的区域，所述输出母线相对于所述第一母线位于所述第一方向上，/n所述输出母线输出被供电至所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件的所述第一电位或者所述第二电位。/n...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180326 JP 2018-0573821.一种半导体组件，具备：
绝缘基板，其在第一方向上具有面；
第一导体部，其在所述第一方向上具有面，所述第一导体部配置于所述绝缘基板的所述面；
第二导体部，其在所述第一方向上具有面，所述第二导体部配置于所述绝缘基板的所述面；
第一半导体元件，其安装于所述第一导体部的所述面；
第二半导体元件，其安装于所述第二导体部的所述面，相对于所述第一半导体元件位于第二方向上；
第一母线，其在从所述第一方向观察的所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的区域内与所述第一导体部的所述面连接，被供给第一电位和第二电位中的一方；
第二母线，其与所述第二半导体元件连接，被供给所述第一电位和所述第二电位中的另一方；以及
输出母线，其将所述第一半导体元件与所述第二导体部的所述面连接，在从所述第一方向观察的所述第一半导体元件与所述第二半导体元件之间的所述区域内与所述第二导体部的所述面连接，
其中，在从所述第一方向观察时，所述输出母线配置为与所述第一母线的至少一部分重叠，
在从所述第一方向观察时，在所述输出母线与所述第一母线重叠的区域，所述输出母线相对于所述第一母线位于所述第一方向上，
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈浦伸吾，木村润一，松本惇，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP