半导体模块制造技术

一种半桥功率模块(1)，包括：基板(2)，该基板包括内部负载轨迹(11)、两个中间负载轨迹(12，14)和两个外部负载轨迹(10，13)，其中，在中间负载轨迹(12，14)中的一个中间负载轨迹上安装外部端子，在外部负载轨迹(10，13)中的一个外部负载轨迹上安装外部端子(3，4)，并在内部负载轨迹(11)上安装外部端子(5)；其中，在外部负载轨迹(10，13)上安装半导体开关(101，102，105，106)并且将半导体开关(101，102，105，106)电连接到中间负载轨迹(12)；并且在中间负载轨迹(12，14)上安装半导体开关(103，104，107，108)并且将半导体开关(103，104，107，108)电连接到内部负载轨迹(11)。

【技术实现步骤摘要】
半导体模块
技术介绍
半导体功率模块在工业中被广泛使用。例如，这种功率模块可以用于大电流的受控切换，并且可以在功率转换器(例如逆变器)中使用，以将DC转换为AC，反之亦然，或者用于在不同电压或AC频率之间转换。此类逆变器被用在电机控制器，或者发电或存储或配电网之间的接口中。半导体功率模块被设计为满足两个主要特点：高功率转换效率和高功率密度。也考虑寿命、成本和质量之类的因素。为了实现高功率密度，可以使用诸如碳化硅(SiC)半导体开关之类的高性能宽带隙半导体，因为它们通常胜过标准的基于硅的半导体开关，即，绝缘栅双极晶体管(IGBT)。从热和电的角度来看，SiC器件对功率模块的设计提出了很高的要求。宽带隙半导体(例如，SiC半导体开关)具有切换非常快的特点，这意味着从传导模式到阻断模式的转变仅花费几纳秒的时间。当此类半导体功率模块使用时，电子电路中的快速切换与杂散电感一起导致电压过冲。这些电压过冲增加切换损耗，并且可以通过振荡而导致EMI辐射。由于切换期间的电流梯度较高，因此整个组件的杂散/寄生电感需要尽可能小。SiCMOSFET在应用中被用作半导体开关，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提供半桥的功率模块(1)，所述功率模块包括：/n至少一个基板(2)，所述至少一个基板(2)包括内部负载轨迹(11)、两个中间负载轨迹(12，14)和两个外部负载轨迹(10，13)，其中，所述内部负载轨迹(11)是细长的，并且实质上沿第一方向(8)延伸穿过所述至少一个基板(2)；/n其中，沿所述第一方向(8)，在所述功率模块的一端，在所述中间负载轨迹(12，14)中的至少一个中间负载轨迹上安装外部端子(6，7)；/n其中，在所述外部负载轨迹(10，13)中的至少一个外部负载轨迹上安装外部端子(3，4)，并且在所述内部负载轨迹(11)上安装外部端子(5)；/n其中，沿所述第一方向(8)，在...

【技术特征摘要】
20190516 DE 102019112935.41.一种提供半桥的功率模块(1)，所述功率模块包括：
至少一个基板(2)，所述至少一个基板(2)包括内部负载轨迹(11)、两个中间负载轨迹(12，14)和两个外部负载轨迹(10，13)，其中，所述内部负载轨迹(11)是细长的，并且实质上沿第一方向(8)延伸穿过所述至少一个基板(2)；
其中，沿所述第一方向(8)，在所述功率模块的一端，在所述中间负载轨迹(12，14)中的至少一个中间负载轨迹上安装外部端子(6，7)；
其中，在所述外部负载轨迹(10，13)中的至少一个外部负载轨迹上安装外部端子(3，4)，并且在所述内部负载轨迹(11)上安装外部端子(5)；
其中，沿所述第一方向(8)，在对着安装在所述中间负载轨迹中的至少一个中间负载轨迹上的外部端子(6，7)的所述功率模块的另一端安装外部端子(3，4，5)；
其中，在所述外部负载轨迹(10，13)上安装半导体开关(101，102，105，106)，并且将所述半导体开关(101，102，105，106)电连接到所述中间负载轨迹(12)；并且
其中，在所述中间负载轨迹(12，14)上安装半导体开关(103，104，107，108)，并且将所述半导体开关(103，104，107，108)电连接到所述内部负载轨迹(11)。


2.根据权利要求1所述的功率模块，其中，负载轨迹(10，11，12，13，14)的布局关于沿所述第一方向(8)延伸的线对称。


3.根据前述权利要求中任一项所述的功率模块，其中，每个中间负载轨迹(12，14)包括：第一细长臂(15)，所述第一细长臂(15)沿所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿尔瓦罗·豪尔赫·马里·库尔韦洛，托维亚斯·许茨，罗伯特·勒斯纳，
申请(专利权)人：丹佛斯硅动力有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE