一件堆迭式半导体封装件制造技术

本发明专利技术公开了一件堆迭式半导体封装件，其结构包括电路板、安装底框、堆迭式封装结构、加固底杆、电路,本发明专利技术具有的效果：上芯片和下芯片通过引脚框架的结构设置，能够使上芯片和下芯片的信号传输延迟减小，适应频率大大提高，提高信号的传输速度，降低寄生电容的耗电量，通过形成的活动安装结构，能够快速对上芯片和下芯片进行分离式拆装，提高芯片的换装效率，且在多重导热结构以及架空结构设置下，能够改善电热性能，提高芯片的散热的效率，避免芯片封装积热和积尘。

【技术实现步骤摘要】
一件堆迭式半导体封装件
本专利技术涉及半导体封装领域，尤其是涉及到一件堆迭式半导体封装件。
技术介绍
堆迭式半导体封装件通常是将多个彼此堆迭的半导体封装件设置于电路板上，一般而言，由于最底部的半导体封装件直接设于电路板上，故其热量可通过电路板传导出去，以上的半导体封装件与电路板距离比较远，则散热效率较差，由于底部半导体封装件以上的半导体封装件与电路板的距离较远，则金属布线长度需要增加，造成传输速度较慢，导致寄生电容耗电量增加，因此需要研制一种堆迭式半导体封装件，以此来解决由于最底部的半导体封装件直接设于电路板上，故其热量可通过电路板传导出去，以上的半导体封装件与电路板距离比较远，则散热效率较差，由于底部半导体封装件以上的半导体封装件与电路板的距离较远，则金属布线长度需要增加，造成传输速度较慢，导致寄生电容耗电量增加的问题。本
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术是通过如下的技术方案来实现：一件堆迭式半导体封装件，其结构包括电路板、安装底框、堆迭式封装结构、加固底杆、电路，所述的电路板底部设有安装底框，所述的电路板和安装底框相扣合，所述的安装底框中心位置设有加固底杆，所述的加固底杆和安装底框相焊接，所述的电路板表面上设有电路，所述的电路板顶部设有堆迭式封装结构，所述的堆迭式封装结构安装在电路板顶部并且与电路电连接。作为本技术方案的进一步优化，所述的堆迭式封装结构包括有上芯片、陶瓷封装盖、内金线、引脚框架、陶瓷封装框、下芯片、陶瓷防尘片，所述的引脚框架顶部设有陶瓷封装盖，所述的陶瓷封装盖和引脚框架相卡合，所述的陶瓷封装盖底部设有上芯片，所述的上芯片安装在陶瓷封装盖上并且与引脚框架配合，所述的上芯片两侧均设有内金线，所述的内金线和上芯片相连接，所述的上芯片通过内金线与引脚框架配合，所述的上芯片下方设有下芯片，所述的下芯片设于陶瓷封装框的中心位置，所述的下芯片和陶瓷封装框相扣合，所述的下芯片顶部设有陶瓷防尘片，所述的陶瓷防尘片和下芯片固定连接，所述的下芯片通过引脚框架与上芯片相配合。作为本技术方案的进一步优化，所述的引脚框架包括有陶瓷杆、散热封装底片、上引导座、侧边引导纵杆、活动轨、下引导支架、集热引导底片，所述的陶瓷杆两侧均设有上引导座，所述的上引导座和陶瓷杆固定连接，所述的陶瓷杆上方设有散热封装底片，所述的散热封装底片和陶瓷杆相互平行并且与上引导座连接，所述的散热封装底片两侧均设有侧边引导纵杆，所述的侧边引导纵杆垂直安装在散热封装底片上并且与上引导座连接，所述的陶瓷杆下方设有集热引导底片，所述的集热引导底片两侧设有下引导支架，所述的下引导支架和集热引导底片固定连接，所述的下引导支架顶部和外侧均设有活动轨，所述的活动轨和下引导支架固定连接。作为本技术方案的进一步优化，所述的散热封装底片包括有上陶瓷片、陶瓷内框、热传导环、气孔，所述的上陶瓷片顶部设有陶瓷内框，所述的陶瓷内框和上陶瓷片为一体化结构，所述的上陶瓷片底部中心位置设有热传导环，所述的热传导环和上陶瓷片相卡合，所述的热传导环上环向设有气孔，所述的气孔和热传导环相连接并且与上陶瓷片为一体化结构。作为本技术方案的进一步优化，所述的活动轨包括有陶瓷直轨、导电圆套、导电杆、导电弹簧拨片，所述的陶瓷直轨内部排列有导电弹簧拨片，所述的导电弹簧拨片后端设有导电圆套，所述的导电圆套和陶瓷直轨相卡合，所述的导电圆套内部设有导电杆，所述的导电杆和导电圆套采用滑动配合，所述的导电圆套和陶瓷直轨采用过盈配合，所述的导电杆前端与导电弹簧拨片相焊接，所述的陶瓷直轨通过导电圆套与下引导支架电连接。作为本技术方案的进一步优化，所述的集热引导底片包括有长铜片、短铜片、下陶瓷片、热引导侧架、隔断片，所述的下陶瓷片底部中心位置设有隔断片，所述的隔断片和下陶瓷片为一体化结构，所述的隔断片两侧设有热引导侧架，所述的热引导侧架与隔断片为一体化结构，所述的隔断片中心位置设有长铜片，所述的长铜片和隔断片相卡合，所述的长铜片前后两端均分布有短铜片，所述的短铜片倾斜固定在下陶瓷片底部。作为本技术方案的进一步优化，所述的导电弹簧拨片呈圆弧片状结构并且两个为一组呈轴对称设置在陶瓷直轨内部。作为本技术方案的进一步优化，所述的短铜片八个为一组设置在隔断片的一端并且每四个短铜片设置在长铜片的一侧。有益效果本专利技术一件堆迭式半导体封装件，设计合理，功能性强，具有以下有益效果：本专利技术上芯片和下芯片通过引脚框架的结构设置，能够使上芯片和下芯片的信号传输延迟减小，适应频率大大提高，提高信号的传输速度，降低寄生电容的耗电量，通过形成的活动安装结构，能够快速对上芯片和下芯片进行分离式拆装，提高芯片的换装效率，且在多重导热结构以及架空结构设置下，能够改善电热性能，提高芯片的散热的效率，避免芯片封装积热和积尘；本专利技术上引导座呈T形结构并且与下引导支架顶部设有的活动轨采用滑动配合，且侧边引导纵杆呈L形结构并且与下引导支架外侧设有的活动轨采用滑动配合，通过形成的活动安装结构，能够使上芯片和下芯片同步导电，且通过滑动的形式，能够对上芯片和下芯片拆装，在上引导座、侧边引导纵杆和下引导支架以及活动轨连接组成的活动式引脚结构作用下，能够缩短上芯片和下芯片之间的电信号传输，提高信号的传输速度，且有利于便捷安装在电路板上，提高芯片的换装效率；本专利技术导电弹簧拨片呈圆弧片状结构并且两个为一组呈轴对称设置在陶瓷直轨内部，且陶瓷直轨通过导电圆套与下引导支架电连接，利用呈轴对称结构设置的两个导电弹簧拨片产生的复位对向作用力，对上引导座和侧边引导纵杆进行限位固定，且利用导电弹簧拨片和导电杆以及导电圆套连接组成电传导结构，对电流进行传输，通过采用的点触式活动连接方式，能够避免接触端温度过高，影响芯片的效率，从而提高电流传输分布效率；本专利技术上芯片底部通过上陶瓷片、陶瓷内框和热传导环以及气孔连接组成的结构进行封装，且气孔和热传导环相连接并且与上陶瓷片为一体化结构，且设有的三个热传导环为直径相异的同心圆环，并且直径由内向外依次扩大，通过热传导环和气孔以及陶瓷材料的加持作用下，能够使置于下芯片上方的上芯片能够高效散热，避免积热，下芯片底部通过长铜片、短铜片、下陶瓷片和热引导侧架以及隔断片连接组成的结构进行封装，且短铜片八个为一组设置在隔断片的一端并且每四个短铜片设置在长铜片的一侧的结构作用下，能够分散下芯片底部的热量，使热量向周围分散，避免热量集中在下芯片和电路板之间，通过架高的结构设置，能够有利于进一步提高芯片周围的散热效率。附图说明通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本专利技术一件堆迭式半导体封装件的俯视结构示意图；图2为本专利技术堆迭式封装结构的前视结构示意图；图3为本专利技术引脚框架的前视剖面结构示意图；图4为本专利技术散热封装底片的仰视结构示意图；图5为本专利技术活动轨的俯视剖面结构示意图；图6为本专利技术集热引导底片的仰视结构示意图。图中：电路板-1、安装底框-2、堆迭本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一件堆迭式半导体封装件，其结构包括电路板(1)、安装底框(2)、堆迭式封装结构(3)、加固底杆(4)、电路(5)，其特征在于：/n所述的电路板(1)底部设有安装底框(2)，所述的安装底框(2)中心位置设有加固底杆(4)，所述的电路板(1)表面上设有电路(5)，所述的电路板(1)顶部设有堆迭式封装结构(3)，所述的堆迭式封装结构(3)安装在电路板(1)顶部并且与电路(5)电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一件堆迭式半导体封装件，其结构包括电路板(1)、安装底框(2)、堆迭式封装结构(3)、加固底杆(4)、电路(5)，其特征在于：
所述的电路板(1)底部设有安装底框(2)，所述的安装底框(2)中心位置设有加固底杆(4)，所述的电路板(1)表面上设有电路(5)，所述的电路板(1)顶部设有堆迭式封装结构(3)，所述的堆迭式封装结构(3)安装在电路板(1)顶部并且与电路(5)电连接。


2.根据权利要求1所述的一件堆迭式半导体封装件，其特征在于：所述的堆迭式封装结构(3)包括有上芯片(31)、陶瓷封装盖(32)、内金线(33)、引脚框架(34)、陶瓷封装框(35)、下芯片(36)、陶瓷防尘片(37)，所述的引脚框架(34)顶部设有陶瓷封装盖(32)，所述的陶瓷封装盖(32)底部设有上芯片(31)，所述的上芯片(31)安装在陶瓷封装盖(32)上并且与引脚框架(34)配合，所述的上芯片(31)两侧均设有内金线(33)，所述的上芯片(31)下方设有下芯片(36)，所述的下芯片(36)设于陶瓷封装框(35)的中心位置，所述的下芯片(36)顶部设有陶瓷防尘片(37)，所述的下芯片(36)通过引脚框架(34)与上芯片(31)相配合。


3.根据权利要求2所述的一件堆迭式半导体封装件，其特征在于：所述的引脚框架(34)包括有陶瓷杆(34a)、散热封装底片(34b)、上引导座(34c)、侧边引导纵杆(34d)、活动轨(34e)、下引导支架(34f)、集热引导底片(34g)，所述的陶瓷杆(34a)两侧均设有上引导座(34c)，所述的陶瓷杆(34a)上方设有散热封装底片(34b)，所述的散热封装底片(34b)和陶瓷杆(34a)相互平行并且与上引导座(34c)连接，所述的散热封装底片(34b)两侧均设有侧边引导纵杆(34d)，所述的侧边引导纵杆(34d)垂直安装在散热封装底片(34b)上并且与上引导座(34c)连接，所述的陶瓷杆(34a)下方设有集热引导底片(34g)，所述的集热引导底片(34g)两侧设有下引导...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨月英，
申请(专利权)人：杨月英，
类型：发明
国别省市：福建;35