一种射频模组超薄堆叠工艺制造技术

本发明专利技术提供一种射频模组超薄堆叠工艺，包括：(a)、提供第一硅片，在第一硅片上刻蚀TSV孔，金属充满TSV孔；(b)、在第一硅片上临时键合载片，将第一硅片做减薄处理；(c)、第一硅片刻蚀第一凹槽，嵌入芯片，拆临时键合得到芯片嵌入结构；(d)、第二硅片上形成第二凹槽，第三硅片上形成第三凹槽和第四凹槽；(e)、第二硅片和第三硅片键合得到微流道芯片，微流道芯片贴装在芯片的下方，得到模组结构；(f)、将多层模组结构堆叠得到多层微流道模组；(g)、提供微流道支架；(h)、将多层微流道模组焊接在微流道支架上并固定，得到多层堆叠的射频模组结构。本发明专利技术的技术方案能够满足不同层的功率模组的散热需求。

【技术实现步骤摘要】
一种射频模组超薄堆叠工艺
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种射频模组超薄堆叠工艺。
技术介绍
毫米波射频技术在半导体行业发展迅速，其在高速数据通信、汽车雷达、机载导弹跟踪系统以及空间光谱检测和成像等领域都得到广泛应用，预计2018年市场达到11亿美元，成为新兴产业，新的应用对产品的电气性能、紧凑结构和系统可靠性提出了新的要求，对于无线发射和接收系统，目前还不能集成到同一颗芯片上（SOC），因此需要把不同的芯片包括射频单元、滤波器、功率放大器等集成到一个独立的系统中实现发射和接收信号的功能。传统封装工艺把各种功能芯片和无源器件安装在基板上，占用面积大，可靠性差，不能满足封装系统越来越小型化的趋势，而基于标准硅工艺的三维异构封装技术（系统级封装SIP）运用TSV技术和空腔结构将不同衬底不同功能的芯片集成在一起，能在较小的区域内实现芯片的堆叠和互联，大大减小了功能件的面积并增加了其可靠性，越来越成为该产业未来发展的方向。但是对于高功率的射频芯片来说，工作时需要散发大量的热量，如果这些热量不能及时排出，就会出现整个模组可靠性大大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频模组超薄堆叠工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n(a)、提供第一硅片，并在第一硅片上表面刻蚀多个TSV孔，形成TSV区，然后在第一硅片上表面形成第一钝化层，在第一钝化层上形成至少一层种子层；在种子层上电镀金属，使金属充满TSV孔形成金属柱；/n(b)、抛光去除第一硅片表面的金属和种子层，在设置TSV孔的第一硅片上表面临时键合载片，将第一硅片下表面做减薄处理，使得金属柱在第一硅片下表面露出；/n(c)、在第一硅片下表面形成第二钝化层，抛光使得第一硅片下表面的金属柱露出，在第一硅片下表面刻蚀第一凹槽，在第一凹槽底部填焊锡，嵌入芯片，回流完成芯片焊接，在第一凹槽和芯片之间的缝隙填充材料，...

【技术特征摘要】
1.一种射频模组超薄堆叠工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(a)、提供第一硅片，并在第一硅片上表面刻蚀多个TSV孔，形成TSV区，然后在第一硅片上表面形成第一钝化层，在第一钝化层上形成至少一层种子层；在种子层上电镀金属，使金属充满TSV孔形成金属柱；
(b)、抛光去除第一硅片表面的金属和种子层，在设置TSV孔的第一硅片上表面临时键合载片，将第一硅片下表面做减薄处理，使得金属柱在第一硅片下表面露出；
(c)、在第一硅片下表面形成第二钝化层，抛光使得第一硅片下表面的金属柱露出，在第一硅片下表面刻蚀第一凹槽，在第一凹槽底部填焊锡，嵌入芯片，回流完成芯片焊接，在第一凹槽和芯片之间的缝隙填充材料，然后在第一硅片下表面形成第三钝化层和RDL，使芯片信号PAD引出，拆临时键合得到芯片嵌入结构；
(d)、提供第二硅片，然后在第二硅片上表面形成第二凹槽，在第二硅片上表面沉积第四钝化层并制作焊盘；提供第三硅片，然后在第三硅片上表面形成第三凹槽，在第三硅片上表面沉积第五钝化层并制作焊盘，在第三硅片下表面形成第四凹槽；
(e)、把第二硅片和第三硅片通过晶圆级键合，切割，得到微流道芯片，在芯片嵌入结构下表面植球，并把微流道芯片贴装在芯片的下方，回流得到带有微流道和焊球的模组结构；
(f)、将多层模组结构堆叠得到多层微流道模组；
(g)、提供带有微通道结构的支架，支架上设置多个出液口，并将支架焊接在PCB板上，得到微流道支架，
(h)、将多层微流道模组焊接在微流道支架的PCB板上，并将微流道支架和多层微流道模组固定，得到多层堆叠的射频模组结构。


2.如权利要求1所述的射频模组超薄堆叠工艺，其特征在于，所述步骤（a）TSV孔的直径范围为...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯光建，莫炯炯，郭西，高群，顾毛毛，
申请(专利权)人：浙江集迈科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33