一种射频模组超薄堆叠方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，具体涉及一种射频模组超薄堆叠方法，包括以下步骤：在硅片正面开空腔并嵌入芯片，填充缝隙，对硅片背面做减薄处理，形成超薄的硅片嵌入转接板，把多层嵌入芯片的硅片结构进行堆叠；在堆叠后的硅片正面制作TSV，填充金属，使TSV金属跟各层芯片的PAD互联，然后抛光堆叠后的硅片正面并制作RDL和正面焊盘；在堆叠后的硅片背面制作背面凹槽并嵌入射频芯片，填充缝隙，在射频芯片的正面做RDL和焊盘；在PCB表面焊接微流通道结构，在正面焊盘植球，通过贴片工艺使模组跟PCB互联，同时射频芯片跟微流道结构互联，最后在射频芯片表面贴装无源芯片。本发明专利技术能大大减小射频模组的面积，并能最大限度的增加射频芯片的散热能力。

【技术实现步骤摘要】
一种射频模组超薄堆叠方法
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种射频模组超薄堆叠方法。
技术介绍
毫米波射频技术在半导体行业发展迅速，其在高速数据通信、汽车雷达、机载导弹跟踪系统以及空间光谱检测和成像等领域都得到广泛应用。新的应用对产品的电气性能、紧凑结构和系统可靠性提出了新的要求，对于无线发射和接收系统，目前还不能集成到同一颗芯片上（SOC系统级芯片），因此需要把不同的芯片包括射频单元、滤波器、功率放大器等集成到一个独立的系统中实现发射和接收信号的功能。传统封装工艺把各种功能芯片和无源器件安装在基板上，占用面积大，可靠性差，不能满足封装系统越来越小型化的趋势，而基于标准硅工艺的三维异构封装技术（系统级封装SIP）运用TSV技术和空腔结构将不同衬底不同功能的芯片集成在一起，能在较小的区域内实现芯片的堆叠和互联，大大减小了功能件的面积并增加了其可靠性，越来越成为该产业未来发展的方向。但是对于高功率的射频芯片来说，工作时需要散发大量的热量，如果这些热量不能及时排出，就会出现整个模组可靠性大大降低，甚至直接烧毁的危险。另外跟射频芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频模组超薄堆叠方法，其特征在于，包括以下步骤，/nA、在硅片（101）正面开空腔（102），在空腔（102）内面朝下嵌入芯片（104），填充芯片（104）与硅片（101）之间的缝隙，对硅片（101）背面做减薄处理，形成超薄的硅片嵌入转接板，把多层嵌入芯片的硅片结构进行堆叠；/nB、在堆叠后的硅片正面制作TSV（105），填充金属，使TSV金属跟各层芯片（104）的PAD互联，然后抛光堆叠后的硅片正面并制作 RDL和正面焊盘（107）；/nC：在堆叠后的硅片背面制作背面凹槽（108），沉积钝化层，在背面凹槽（108）内嵌入射频芯片（109），填充射频芯片（109）与硅片（101）之间的...

【技术特征摘要】
1.一种射频模组超薄堆叠方法，其特征在于，包括以下步骤，
A、在硅片（101）正面开空腔（102），在空腔（102）内面朝下嵌入芯片（104），填充芯片（104）与硅片（101）之间的缝隙，对硅片（101）背面做减薄处理，形成超薄的硅片嵌入转接板，把多层嵌入芯片的硅片结构进行堆叠；
B、在堆叠后的硅片正面制作TSV（105），填充金属，使TSV金属跟各层芯片（104）的PAD互联，然后抛光堆叠后的硅片正面并制作RDL和正面焊盘（107）；
C：在堆叠后的硅片背面制作背面凹槽（108），沉积钝化层，在背面凹槽（108）内嵌入射频芯片（109），填充射频芯片（109）与硅片（101）之间的缝隙，在射频芯片（109）的正面做RDL和焊盘；
D、在PCB（110）表面焊接微流通道结构（111），在正面焊盘（107）植球，通过贴片工艺使步骤C形成的模组跟PCB（110）互联，同时射频芯片（109）跟微流道结构（111）互联，最后在射频芯片（109）表面贴装无源芯片（112）。


2.如权利要求1所述的射频模组超薄堆叠方法，其特征在于，所述步骤A的具体步骤如下：...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫炯炯，冯光建，顾毛毛，郭西，高群，
申请(专利权)人：浙江集迈科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33