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本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种射频模组超薄堆叠方法，包括以下步骤：在硅片正面开空腔并嵌入芯片，填充缝隙，对硅片背面做减薄处理，形成超薄的硅片嵌入转接板，把多层嵌入芯片的硅片结构进行堆叠；在堆叠后的硅片正面制作TSV，填充金属，使TS...
该专利属于浙江集迈科微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江集迈科微电子有限公司授权不得商用。

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