激光退火铜层结构热处理方法及线性整合激光退火装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种激光退火铜层结构热处理方法，通过线性整形激光束斑的扫描铜层，所述铜层为电镀铜镀层或溅射铜种子层。本发明专利技术还公开了一种线性整合激光退火装置，包括激光器、移动平台装置、激光线性整合棱镜、操作系统。本发明专利技术的激光退火热处理方法及线性整合激光退火装置，能有效提高铜膜的晶粒的完整性，降低铜膜的杂质含量，并能局部加热以适应于更多精密制备场景，得到沿激光退火扫描方向生长的类柱状晶铜结构或柱状晶结构，得到的类柱状晶铜结构或柱状晶结构晶粒尺寸较大而具有优秀的电性能，优化铜互连线的电性能。

【技术实现步骤摘要】
激光退火铜层结构热处理方法及线性整合激光退火装置
本专利技术属于电子封装中的铜互连
，特别涉及一种激光退火铜层结构热处理方法及线性整合激光退火装置。
技术介绍
以集成电路(芯片)制造及封装技术为代表的高端电子制造技术是实现第四代工业革命的硬件基础及核心技术，其中垂直铜互连工艺是高端电子制造中的关键技术之一，以实现芯片中晶体管的垂直互连以及封装系统中元器件及芯片之间的垂直互连。在电子工业中，对于互连材料具有很高的要求。为满足性能和速度的要求，它需要材料具有低电阻电容。在20世纪90年代中期之前，铝材料仍然能够满足特大规模集成电路的互连要求，但随着集成电路的不断发展，特征尺寸越来越小，对于互连材料也提出了越来越高的要求。基于这一状况，铜取代铝成为更适合于高速发展的集成电路的互连材料。这是因为与铝材料相比，铜的电阻率更高，散热性能更好，抗电迁移能力以及抗应力迁移能力更优。铜的电阻率是1.67μΩ·cm，铝为2.65μΩ·cm，采用铜材料，电阻率可下降至原来63％，这样一方面可以缓解互连线的电容电阻延迟(RC延迟)现象，另一方面可以显著降低集成电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光退火铜层结构热处理方法，其特征在于，通过线性整形激光束斑的扫描铜层，所述铜层为电镀铜镀层或溅射铜种子层。/n

【技术特征摘要】
1.一种激光退火铜层结构热处理方法，其特征在于，通过线性整形激光束斑的扫描铜层，所述铜层为电镀铜镀层或溅射铜种子层。


2.根据权利要求1所述的激光退火铜层结构热处理方法，其特征在于，所述线性整形激光束斑为单线型激光的束斑，所述线性整形激光束斑的扫描路径单程为矩形。


3.根据权利要求1所述的激光退火铜层结构热处理方法，其特征在于，所述线性整形激光束斑扫描方式为重复式扫描。


4.根据权利要求3所述的激光退火铜层结构热处理方法，其特征在于，所述线性整形激光束斑扫描方式重复过程单程间应有一定的时间间隔。


5.根据权利要求1所述的激光退火铜层结构热处理方法，其特征在于，所述线性整形激光束斑的扫描路径的面积与所述铜层的面积一致。


6.根据权利要求1-5任一项所述的激光退火铜层结构热处理方法，其特征在于，所述线性整形激光束斑的扫描后铜层具有类柱状晶结构或柱状晶结构。

【专利技术属性】
技术研发人员：谭祾月，李明，陈淑慧，韩思琳，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：上海;31